梧桐絮制备多孔纤维碳材料及其在超级电容器中的应用

以法国梧桐絮为原料、KOH为活化剂,通过碳化制备多孔纤维碳材料,并在此基础上组装了超级电容器器件。通过SEM、EDS、XRD、Raman、FTIR、BET等对制备的多孔纤维碳材料进行表征,并研究了多孔纤维碳材料电极的电化学性能。结果表明:在扫描速率为50 mV·s~(-1)时,800℃下碳化制备的梧桐絮多孔纤维碳材料电极的比电容可以达到236 F·g~(-1);所组装电极在循环10 000次后,比电容仍维持原来的99.8%,表明梧桐絮多孔纤维碳材料在超级电容器领域有巨大的应用潜力。     

传统村落公共空间规划中的图式语言建构研究

传统村落公共空间是承担居民生产、生活的主要载体,是居民进行各种公共活动的场所,承载着村落的历史与记忆,具有明显的地域特征。但随着快速城镇化的推进,越来越多的传统村落正迅速"空心化",村落公共空间也逐渐萎缩荒废。文中从公共空间的"字"(景观要素)、"词"(空间单元)、"词组"(空间组合)组织构建的图式语言体系入手,将传统村落公共空间景观图式语言与其村落空间形态的动态发展相结合,探索传统村落公共空间保护与发展的新思路,丰富和补充传统村落公共空间的更新设计。     

低碳环境下微电网供需联合优化调度

全球多国积极发展低碳经济,大力开发清洁能源。电力市场化改革的积极推进和用户用电个性化的提高,使得电源侧机组调度和需求侧用电管理结合的供需互动理念逐渐成为重要的研究课题。本文建立了以总运行成本最小为目标的微电网供需联合调度模型。该模型对电源侧考虑微源发电的经济性与环保性进行互补发电调度,对需求侧负荷调度时考虑阶梯式补偿价格,并在微电网供需联合调度的经济性目标函数中引入环保性参数,最后仿真验证模型的有效性,并分析了不同补偿价格对削减类负荷调度结果的影响。     

大气压射频均匀辉光放电的条件

大气压放电应用在很多领域时,其放电的均匀性显得十分重要。本文通过实验得出影响大气压射频放电的均匀性的条件。实验中研究的影响因素有介质阻挡、放电电压、放电气体组成以及放电间隙。实验采用单反照相机以及ICCD照相机对放电进行拍照,观察不同参数放电下的放电模式。通过放电现象发现对维持大面积均匀辉光放电影响最大的因素是采用介质阻挡和放电气体的组成,影响较小的是放电电压。放电间隙在可维持放电的间隙范围内对放电模式影响很小。实验得出,改变这些条件会使均匀辉光放电中出现放电丝,或完全转变为丝状放电甚至熄灭。     

基于PLC的铜线装载液压系统设计

针对现有铜线装载工序的复杂性缺陷,设计了一种基于PLC的铜线液压装载系统。根据用途分析了铜线装载的动作循环及工作原理,设计了铜线装载液压系统及PLC控制电路。该装载液压系统结构简单,运行平稳,精度满足工作要求。     

S波段35W GaN功率MMIC

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4 GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片.放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计.经匹配优化后放大器在2～4 GHz整个频带内脉冲输出功率大于35 W,小信号增益达到22 dB,在2.4 GHz频点处峰值输出功率达到40 W,对应的功率附加效率为3...     

海产养殖常用药物三氯异氰尿酸的光化学降解行为

[目的]含氯杀菌剂是渔业生产中广为应用的水体消毒药剂,光化学降解是其在水中分解的主要途径和速率限制步骤之一。研究典型海产养殖药物的光化学降解行为,有助于保证其施用效果及降低海产品农残。选择海产养殖常用药物三氯异氰尿酸(TCCA),在不同的光照强度下测定其反应速率。选择较优的光照条件,在不同的pH值、不同的温度条件下,通过离子色谱法对水中各时间段的氯离子浓度进行测定,研究其水中光化学降解行为。[结果]不同的光照强度和条件下,TCCA中氯离子解离速度变化较为明显,且解离速度随波长的增加而减小。紫外光照射条件下,酸性溶液抑制解离,碱性溶液促进解离;温度升高有利于药物的降解。TCCA的降解基本符合一级动力学,且时段不同反应速率常数不同。[结论]水产养殖的用药杀菌过程中,应该尽量使水质保持中性。对于海产养殖而言,由于通常情况下海水的pH值显弱碱性,所以在使用药物时应尽量在晴天使用,此时的光照效果及紫外强度均较大,这样既能使药物完全发挥效果也会使药物尽快解离。     

基于PLC的铜线装载系统液压设计

针对现有铜线装载工序的复杂性缺陷,设计了一种基于PLC的铜线装载液压系统。根据用途分析了铜线装载的动作循环及工作原理,设计了铜线装载液压系统及PLC控制电路。该装载液压系统结构简单,运行平稳,精度满足工作要求,其液压系统和PLC控制系统简单可靠。     

背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响

利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓度达到2.49×1013 cm-2,且不随势垒层厚度的变化而变化。重点模拟研究了具有背势垒的InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN和InAlN/AlN/GaN/InGaN/GaN两种结构的能带结构和2DEG的分布情况。理论结果表明,采用AlGaN背势垒结构时,对于AlGaN的任意Al组分,GaN沟道层导带底能量均被抬升,增强了AlN/GaN三角势阱对2DEG的限制作用,提高了电子迁移率。采用InGaN/GaN作为背势垒结构,当InGaN厚度为2或3 nm时,三角势阱中的2DEG随InGaN中In组分的增加先升高后降低,这主要是由于GaN/InGaN界面处产生的正极化电荷的影响,引起电子在AlN/GaN三角势阱和InGaN/GaN势阱之间的分布变化。