Ta2O5薄膜的制备及其应用

本文阐述了Ta_2O_5薄膜的各种制备工艺、生长机理及其应用,用超薄Ta_2O_5膜制作的电容器电容量大、可靠性高,这种电容器用于双极式高速存储元件时,可使该元件面积减小到普通元件的1/3,它工作时最长存取时间<5ns。用溅射沉积的Ta_2O_5膜作光波导时,其光传输损耗<1dB/cm。采用S枪结构的磁控溅射技术制备的Ta_2O_5膜光反射率很小,透射率很大且光吸收系数低。它是一种优良的太阳能电池用抗反射(AR)涂层材料。X-轴取向Ta_2O_5膜是一种新型压电材料,用它制作的SAW器件温度稳定性好。另外,Ta_2O_5膜已用于制作湿敏、离子敏元件。     

FBAR用氮化铝压电薄膜研究

介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40 kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100~+100 MPa及-150~+220 MPa;对4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。     

单片式3.6μs pn结二极管存储相关器/卷积器

本文报道一种单片式金属氧化锌、二氧化硅(MZOS)结构存储相关器。在我国首次实现将参考信号“写入”(存储)二极管阵列中,然后用读信号将其“读出”,该器件也可用作卷积器。本文简叙了器件设计、结构、制作方法、工作模式和性能参数。     

R.F.溅射工艺参数对ZnO薄膜晶粒大小及结构的影响研究

本文阐述了r.f.溅射工艺参数,如:真空室压力、r.f.溅射功率、衬底温度和沉积速率对ZnO薄膜的晶粒大小及结构的影响,并给出了研究结果。这种薄膜是在正向功率大小为50—500W、真空室压力为0.13—13.3Pa、衬底温度为300—700K的条件下在康宁7059玻璃衬底上沉积的。研究结果表明,其结构和晶粒大小取决于沉积速率和衬底温度。在比平行取向的膜沉积速率及衬底温度低一些的条件下制备出了垂直取向的ZnO薄膜。     

ZnO/蓝宝石结构声表面波滤波器试验研究

该文从理论上计算得到了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构的声表面波相速度和机电耦合系数色散曲线。依据该色散曲线设计了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构声表面波滤波器。采用在蓝宝石衬底上先制备ZnO薄膜然后再制作芯片结构的方案研制出了声表面波器件样品。研制过程中生长出了a面结构的ZnO薄膜,其中厚膜样品测试得到了3种声波模式,即模式0、1及2,模式0、1和2的频率分别为1 073.79 MHz,1 290.63 MHz和1 572.3 MHz,因此,间接测得了模式0、1和2的相速度分别为3 865.67m/s,4 646.25m/s和5 660.27m/s。     

倍频程宽带声体波微波延迟线

报道了采用ZnO压电薄膜换能器设计制作倍频程宽带声体波微波延迟线和实际结果。工作频率2～6GHz，延时0．2μs，插入损耗波动≤6dB．     

FBAR用氮化铝压电薄膜研究

介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对?4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100~+100 MPa及-150~+220 MPa;对?4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。     

IDT／AIN／LiNb03结构声表面波滤波器模拟和分析

研究了IDT／AIN／LiNbO。结构声表面波滤波器的频散特性，发现了高机电耦合系数（〉18％），高声速（〉10km／s）的纵向假声表面波模式。对研究得到的二次模进行了归一化插入损耗频率响应的模拟，其结果与文献报道的实验结果基本一致。