标准化动态

质量认证工作动态我国近几年质量认证工作发展很快,特别是刚刚过去的2000年,此项工作继续保持快速发展的良好势头。截止到2000年11月底,经中国质量体系认证机构国家认可委员会(CANCR)认可的36家质量体认证机构共发出带有国家认可标志和国际认可论坛(IAF)国际互认标志的质量体系认证证书23426张;344家实验室获中国实验室国家认可委员会认可;经中国认证     

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN LCD透明电极的要求。     

晶体滤波器频率温度补偿

对石英晶体滤波器,尤其是在低频(几十KHz)窄带(±几Hz)情况下,提出了频率温度补偿的概念,采取了有效措施,解决了中心频率温漂问题。     

考虑禁带情况下半导体的电子与空穴分布

在考虑禁带特性的情况下,从理论上探讨了半导体中电子与空穴的分布．以Si为例,利用MATLAB定量分析了不同能量时本征Si半导体中电子占据导带底的几率-温度关系和不同温度时电子占据导带底的几率-能量关系．分析结果表明：导带中绝大多数电子分布在导带底附近,价带中绝大多数空穴分布在价带顶附近;温度越高,电子占据导带底的几率越大,温度每升高20K,电子占据的几率增加大约4到5倍;导带中能级具有的能量越高,电子占据该能级的几率越低,能量每增加0．02eV,电子占据的几率下降大约1／2．     

单边带石英晶体滤波器研制

采用10只AT切压电石英振子构成的两节差接桥型电路,研制出了1.65 MHz分立式上边带晶体滤波器新品种。该产品在-40~ 85℃环境温度工作时,具有通带波动小(≤2 dB),阻带衰减大(≥80 dB),矩形系数小(≤1.2),插入损耗低(≤2 dB)和中心频率偏差≤200 Hz的特性。     

晶振温补网络研究

介绍了有关晶体振荡器的温度补偿技术。对模拟补偿和数字补偿所用的网络和电路结构进行了研究和探讨，结合生产实际给出了常用的补偿网络、电路形式、补偿前后晶振的f～T曲线等。     

10MHz带阻型压电石英晶体滤波器研制

采用三节3晶体的格型电路.设计和研制出了用于边带型通讯机中进行狭窄频带抑制的一种中高频带阻型晶体滤波器新产品.其关键技术指标为10 MHz中高频滤波晶体半成品的设计,插损IL≤5 dB,3 dB带阻宽度BW3 dB≤±3 kHz,带阻衰减(限波)≥45 dB.另外,该文还给出了两节2晶体和三节3晶体的滤波器电路图及滤波器产品的实测传输曲线.     

一种新型低频窄带石英晶体滤波器的研制

利用了两只件切型厚度弯曲振动模式、切角为 5o的长方片石英晶体,设计并研制了一种新型的低频、窄带、带通型晶体滤波器,较好地实现了器件所要求的各项技术参数.在工作频率为80 kHz时达到了≥±3 Hz的通带宽度及≥±1 Hz的频率稳定性.如何实现极窄的通带宽度和极小的中心频率偏差是研制中所解决的关键技术问题.     

LST-15MHz晶体滤波器的研制

利用AT-切厚度振动模式的压电石英晶体振子，和当今晶体滤波器设计中最为常用的格型网络——差接桥型电路，成功设计研制了“LST-15MHz型”讯号双路平衡输入、输入/输出阻抗不对称两节差接桥型电路分立式带通滤波器新品种。它具有在一55～＋85℃工作环境温度范围内、工作频率15MHz时，中心频率偏差≤200Hz、矩形系数≤2．5的特性。     

基于STM32的半导体温差发电装置的研制

半导体温差发电装置是一种通过半导体热电器件把热能转换为电能的电源装置。根据半导体温差发电装置的组成结构,分别对内部模块、半导体热电器件、发电装置整体结构进行了研究、设计和试制,并应用相关理论计算分析了半导体热电器件的发电特性;对半导体热电器件进行了测试且研究了半导体热电器件的开路电压、短路电流、输出功率等一系列输出特性,总结出了热电器件发电性能的规律。