氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响.在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容.I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高.经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7× 1012和4×1011eV-1·cm-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理.     

翻车机主体钢结构制造技术浅谈

为沁北制造的“C”形单车翻车机与以往制造的“C”形单车翻车机主体钢结构形式不同。通过对此翻车机主体钢结构的详细分析，研究出一套科学合理的制造技术，并就其技术要点做了介绍。     

用现代设计包装传统民间艺术精粹——潍坊年画的包装设计研究

潍坊年画具有浓郁的乡土气息和淳朴鲜明的艺术风格,在包装设计中应通过分析潍坊年画的精神内涵和吉祥寓意,通过对色彩、图形、文字等表象性要素的设计探索,抓住年画文化的本质和精神核心,把它融入到具体设计中,将年画传统的文化思想精髓同当代设计要素有机结合起来,创造具有鲜明艺术个性的包装设计形式。     

装载机抓具设计思路及结构优化

高效率、高可靠性是现代工程机械的发展趋势,轮胎式木材装载机作为市场份额较高,显著提高工作效率的产品备受装载机制造企业的青睐.介绍装载机抓具设计的一般思路,在市场调研和实际应用的基础上提出了几项结构优化措施,列举了几种设计中容易出现的干涉问题,为设计者提供参考.     

光接入网中的ECDM-PON技术(本期优秀论文)

基于电码分多址的无源光网络是一种新型的光接入网技术.文章首先介绍了ECDM-PON的基本结构,然后分析了ECDM-PON的关键技术,特别是以CCD-MF为基础的新型的相关和判决技术,以及超长距离传输的特点.最后,展望了ECDM-PON的应用前景.     

一种干扰最小化协作波束形成节点选择方法

针对无线传感器网络（Wireless Sensor Network，WSN）对周围无关基站造成干扰的问题，提出了一种基于禁忌搜索的协作波束形成节点选择方法。该方法以协作节点的组合方式为优化变量,以降低无关基站方向的波束能量增益为优化目标,能够在约束节点个数的条件下优化协作节点集，减小WSN对无关基站的干扰。仿真结果表明，所提方法能够有效降低协作波束形成在无关基站方向上的能量增益，与随机搜索算法、遗传算法和免疫算法相比,参数设置简单,寻优效率更高。     

外延生长碳化硅-石墨烯薄膜的制备及表征研究

石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体,具有诸多优异的特性,从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一。利用感应加热的高温CVD设备,先在4H-Si C衬底上外延生长一层2~10μm厚的碳化硅,然后直接再在外延碳化硅上原位外延生长石墨烯。实现外延碳化硅-石墨烯的连续生长,从而减少氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅富集严重削减现象,并使低成本制备碳化硅上的石墨烯成为可能。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及X射线光电子能谱等表征,验证了该方法生长的石墨烯具有较好的晶体质量。     

轮式装载机前车架结构设计及强度校核

论述了某型号轮式装载机前车架结构的设计过程,介绍了一种强度校核方法.针对前车架工作装置承载位置结构在实际作业过程中发生变形、断裂等问题,在设计过程中采用NX-Nastran软件对其结构进行有限元分析,确定结构优化方案,进行工作装置承载位置结构应力、应变校核及验证.分析表明:采用该设计方法可以有效地提高结构件强度、变形校...     

Logistic增长的时滞SIS模型分析

本文研究了一类具有生理阶段结构的Logistic增长的SIS传染病模型,给出了系统边界平衡点和正平衡点全局渐近稳定的条件。即得到了传染病最终消除和成为地方病的阈值。