摩擦频率对Al-Mg_3Sb_2复相涂层摩擦学性能的影响

通过热喷涂在AZ31B表面制备了Al-Mg_3Sb_2复相涂层,分析了摩擦频率对涂层在干湿两种环境下摩擦性能的影响。采用SEM、XRD分析涂层形貌和物相;通过腐蚀磨损试验仪测试涂层的开路电位和摩擦因数;并用超景深三维显微镜测试涂层磨痕的截面轮廓和磨损体积。结果表明,在3.5%的NaCl溶液中,涂层的开路电位随摩擦频率的增大而降低。涂层在两种环境下的摩擦因数均随频率的增大而减小,而磨损率却随频率的增大而增大;涂层在3.5%的NaCl溶液中的摩擦因数和磨损率均小于干摩擦条件下的。涂层在干摩擦条件下的磨痕随频率的增大,剥落现象越来越明显;在3.5%的NaCl溶液中,涂层磨痕表面较光滑,随频率的增大,出现少量的剥落坑。     

工业产品造型评估中市场调查方法的新应用研究

从制造业产品开发的角度，以虚拟汽车的造型评估思路为主线，重点介绍一种遵循人脑认识事物规律并基于市场调查数据的科学评价方法及其产生思路。     

软件缺陷移除效率及其测量

软件缺陷移除在任何软件项目中都是开销最大的活动,并在很大程度上影响项目进度,因而对缺陷移除效率的测量成为软件开发组织最为重要的一项软件质量度量.为此通过矩阵的方法来记录缺陷起源和缺陷发现阶段的数据,得出了缺陷移除效率的操作定义,并定义了阶段缺陷移除效率、全面缺陷移除效率、审查效率和测试效率的计算公式.     

基于决策树方法的云南省森林分类研究

森林分类对于理解森林生态系统结构和功能具有重要意义。由于云南省地形和森林类型复杂,首先按云南省的16个行政区划将全省Landsat TM影像分为对应的16个区域。以TM波段1~5和7,以及由植被指数、缨帽变换、主成分变换、DEM组成的18个变量组,统计训练样本光谱值均值变化和光谱值与频率间的关系。利用交点计算公式计算类间最佳分类界点进而建立决策树,逐一分离各区的所有森林类型,将分类结果合并得到云南省阔叶林、针叶林和针阔混交林类型分布图。最后将分类结果与监督分类中的最大似然比法的分类结果进行对比。结果表明:监督分类的总体分类精度为74.39%,Kappa系数为0.63,决策树方法的总体分类精度为86.61%,Kappa系数为0.80,说明决策树方法可以提取高精度的云南省森林类型,进而为该区域森林叶面积指数和生物量反演等研究提供基础数据支持。     

可视化智能包装在食品新鲜度监测中的应用研究进展

食品安全问题是全社会高度关注的热点之一,快速、无损地评价食品安全在食品研究领域受到广泛关注。近年来,可视化智能包装发展迅速,但目前基于该技术的应用范围、局限性及未来发展方向缺乏系统总结,本文对可视化智能包装的研究进展进行综述,讨论目前可视化智能包装在食品检测领域应用的局限性,分析可视化智能包装监测结果准确度、精确度不高等问题的原因,总结可视化智能包装的发展趋势。未来可视化智能包装会与其他技术相结合,多学科联合,在材料的选择、检测灵敏度、精确度以及低风险、无污染等方面取得更好发展,实现对食品品质的快速、无损实时监控,以期为食品科学领域的应用提供参考。     

唐代卷草纹的构成形式及特征研究

卷草纹作为中国传统植物图案之一,广大的影响力和应用范围使其在世界装饰艺术中具有重要的地位.唐代各民族之间文化、艺术的交流融合,深刻影响着当时人们的审美需求,而这种审美需求的差异性使卷草纹在唐代不同时期具有不同的特点.文章试图分析唐代不同时期卷草纹的构成形式及特征,掌握其发展变化特征,为现代设计提供更多灵感,达到继承与发展的目的.     

并网光伏发电系统的发电原理及设计

太阳能作为可再生能源中最可靠、最环保、最安全并且取之不尽的能源,一直受到世人的关注,随着传统能源日渐枯竭、半导体技术的发展和光伏制造业的繁荣,光伏发电系统从军事装备、航空航天系统已逐渐向工业化、家庭甚至个人应用逐渐过渡。并网光伏发电系统凭借其成本低,可靠性高等优点被采用的最多。本文主要介绍光伏发电系统的发电原理及设计原则和步骤。     

薄膜太阳能电池制造工艺技术研究

在多种薄膜太阳能电池生产技术中,目前商业化最广泛的主要有硅基薄膜太阳能电池和铜铟镓硒薄膜太阳能电池。介绍这两种薄膜太阳能电池的结构特点、工艺技术及生产所需设备。     

Low ohmic contact AIN/GaN HEMTs grown by MOCVD

AlN/GaN high-electron-mobility transistors （HEMTs） on SiC substrates were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） and then characterized. An Si/Ti/Al/Ni/Au stack was used to reduce ohmic contact resistance （0.33 g2.mm） at a low annealing temperature. The fabricated devices exhibited a maximum drain current density of 1.07 A/mm （Vows = I V） and a maximum peak extrinsic transconductance of 340 mS/mm. The off-state breakdown voltage of the device was 64 V with a gate-drain distance of 1.9 μm. The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 36 and 80 GHz with a 0.25 μm gate length, respectively.