计算机应用现状及发展趋势

人类步入信息时代以后,计算机和人类的关系也显得日益密切.人们的生活、生产以及科学研究都离不开计算机.在这个计算机飞速发展的年代,我们应该了解计算机应用的现状以及它的发展趋势.     

基于Wang Tiles的几何纹理合成

提出了一种基于Wang Tiles的几何纹理合成方法来在不同物体表面上即时地生成几何纹理.首先根据给定的几何纹理预计算出一组Wang Tiles,然后用这组Wang Tiles在不同的目标物体上即时生成新的几何纹理.尽管基于Wang Tiles的方法已经应用于图像纹理,但由于几何纹理采用了与图像纹理完全不同的表示方式,因此需要用完全不同的方法来处理.采用了基于约束的几何纹理合成技术自动生成几何纹理Wang Tiles,从而保证了生成的几何纹理Wang Tiles在所有排列下都能保持其几何连续性.与现有的方法相比,生成的几何纹理Wang Tiles可以重用到不同的目标物体上,同时占用的存储空间及计算量更小,速度更快.     

特高压混合直流输电系统中串联换流器的电压分配策略

在常规直流(line commutated converter-high voltage direct current,LCC-HVDC)改造升级中,将受端换流站改造成柔性换流站是一种安全可行的技术方案.基于±800 kV特高压直流工程,将受端的双低端换流器置换为双柔性换流器(voltage source conver...     

松香基聚氧乙烯醚类非离子表面活性剂在永固紫颜料分散中的应用

分别将不同聚氧乙烯链长的松香胺聚氧乙烯醚和氢化松香醇聚氧乙烯醚作为分散剂应用于永固紫颜料色浆中,以着色力为标准探究了不同聚氧乙烯链长对永固紫颜料分散效果及分散稳定性的影响。结果表明两类松香基聚氧乙烯醚对永固紫均具有良好的润湿性;并且氢化松香醇聚氧乙烯醚的分散稳定性随着EO数减少而下降,松香胺聚氧乙烯醚则呈现与之相反的规律。     

用于直流系统超低频振荡抑制的调速器和FLC协同优化

针对云南电网实现异步互联后,出现的严重威胁电网安全运行的超低频振荡现象,分析了水轮机调速器的特性和直流频率限制器(Frequency Limit Controller,FLC)的数学模型,阐明了水轮机调速器和FLC的调节特征,探讨了它们对频率稳定性的影响,提出了优化水轮机调速器的PI参数、协调一次调频和FLC死区范围的...     

节能LED路灯

本文主要对路灯用白光LED光源的选择、LED路灯的光学系统和空间散热技术及风光互补LED路灯等进行评述。节能LED路灯的技术经济评估指明,LED路灯和传统路灯相比省电节能、寿命长、环保,但成本高。我国LED路灯开发走在国际前列,但也存在问题,并针对存在的问题提出了几点建议。LED路灯是路灯的发展方向,未来将迎来更大的发展机遇。     

泰安大河水库水资源补偿方案选择

分析了泰安抽水蓄能电站占用大河水库农业灌溉水源的情况,依据有关法律条文,论证了补偿的必要性,提出了3种补偿方案。通过分析比较,推荐节水替代工程方案：对大河水库灌区尚未衬砌的21km西干渠进行浆砌石防渗衬砌,对原有的22条、长21．27km土质支渠进行浆砌石防渗衬砌,并建设田间节水工程示范区1466．67hm^2。     

不容忽视的变压器空载损耗

电力变压器是企业生产和职工生活中一种必不可少的供能设备,也是电力生产过程中的主要电器,而变压器在变压和传递电功率的过程中,其自身也要产生功率损耗。电力变压器原功率损耗包括有功损耗和无功损耗两部分,下面我主要谈谈变压器空载时的有功功率损耗和无功功率损耗。1.变压器空载时的有功功率损耗变压器空载时的有功功率损耗,主要是铁心中的有功功率损耗,即我们常说的铁损,只要外加电压和频率不变,铁损也就不变,铁损的大小可由空载试验测定。变压器空载时的空载电流 I_0在一次线圈中     

空调器的节能运行

在使用空调器时,用户开机后,常把温控装置定于极限位置,认为越冷(热)越好,因而达不到理想的空调效果,以至造成浪费。空调器正常的温控范围是,制冷20～30℃,制热16～23℃。在室内所需要的最佳温度与给定温度平衡(相等)后,如再让空调器继续供冷(热),室内温度每降低(升高)1～2℃,所消耗的电能将是高代价的,已不是温度平衡前的正比关系。若要做到经济运行,就必须了解有效温度这个概念。有效温度 T 是与人体感觉到冷热相对应的温度。它与湿度(H)和气流(W)的影响一起成为空调指标(A)。其函数关系为A=f(T,H,W)。     

激光定位深亚微米CMOS SRAM单粒子翻转敏感区

The pulsed laser facility for SEU sensitivity mapping is utilized to study the SEU sensitive regions of a 0.18/zm CMOS SRAM cell. Combined with the device layout micrograph, SEU sensitivity maps of the SRAM cell are obtained. TCAD simulation work is performed to examine the SEU sensitivity characteristics of the SRAM cell. The laser mapping experiment results are discussed and compared with the electron micrograph information of the SRAM cell and the TCAD simulation results. The results present that the test technique is reliable and of high mapping precision for the deep submicron technology device.