基于STC89C516RD的视频信号采集与合成

针对具有二值倾向的图像：提出了以STC89C516RD单片机为核心,利用视频信号行同步脉冲作为中断信号源,通过时序逻辑电路,实现视频信号的快速采集与合成。具有硬件简单、图像处理数据量少等特点,为单片机进入图像识别控制领域提出了一种新的设计思想。     

应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺

介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0 μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV pMOS器件和薄栅氧HV nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入（HV N阱和PDA）和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV nVDMOS和HV pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力     

一种新型低功耗多功能漏电保护器芯片的设计

提出了一种新型漏电保护芯片,使用0.6μm CMOS工艺、数模混合信号设计.与传统的漏电保护芯片相比,该设计功耗低(10mW),数字延时响应确保控制保护的精确性,且实现了多功能集成(如漏电/过压/过流的检测与保护,自动切换).此外通过可编程端,该芯片可以用在三级保护的不同场合,同时运用数字电路对输入信号的检测,提高了芯片的抗干扰性.     

新型多功能漏电保护器芯片的设计

利用数模混合信号CMOS工艺实现了一种新型漏电开关保护器芯片.与传统的模拟电路保护芯片相比,这一芯片充分利用了数字电路带来的好处:降低了功耗,采用"定时延"方法大大提高了保护控制的精度,集成了电源的过压、过载保护功能以及自动重合闸功能,提供了适应不同应用环境的可编程性,同时对每一个输入的漏电信号都进行有效性检测,减小漏电保护器的误触发率,提高了抗干扰能力.     

智能开关电源集成电路TO PSw itch 的分析

近年来,由于便携设备的增多,对供电单元电路小型化的要求越来越迫切,各国政府对电源系统环保,节能的要求也更加严格,这些都要求有效率更高,集成度更高的开关电源加以配合,本文反向剖析了美国Power Integration公司的TOPSwitch系列智能开关电泊集成电路芯片,在系统地分析及全面的计算机仿真的基础之上,给出该电路的工作原理,设计方法及其应用,该集成电路除了一般的PWM控制功能外,还集成了自动重启功能,过渡,过热保护功能,大功能MOSFET等,具有效率高AC／DC转换效率可高达90％,外围元件少等特点,具有多项专利,是目前国际上最先进的智能开关电源产品之一,该电路的芯片生产工艺,更是集高压（700V）大功率（数十瓦）,数模混合,双极／CMOS兼容等最先进的半导体技术于一体,世界上目前只有少数几家公司具有生产该类电路的能力。     

快速信道响应估计算法及其应用

本文给出了一个快速高效且易于实现的信道响应估计算法。对本算法的一系列仿真,将证明基于该算法的自适应均衡具有低SNR门限,能对付大幅度（包括0dB的付径）付径的特点。由于该算法占用的硬件资源很少,尤其适用于数字电视地面广播中的VSB（残留边带调制）接收机。     

我国高校学分制本土化及影响因素分析

学分制是高等教育发展历程中的重要产物,在各国得到了广泛的适用和发展,在高校人才培养中发挥着重要作用。中国学分制本土化经历了较为曲折漫长的历程,各高校从形式上基本实现了学年制向学分制的转变,但是也面临着一些困境。最大限度发挥学分制功能,不仅要借鉴国外先进经验,还应对学分制在中国本土化进程中的重要影响因素进行分析,包括高校外部的经济、文化环境,以及高校内部的管理体系、资源保障、课程、学生以及教师等多方面因素。研究并分析这些因素对推进和完善学分制有着更为重要的意义。     

高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究

高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Medici为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了高压 BCD电路中高压功率器件的设计问题 ,其中包括器件结构、掺杂浓度、结深等主要参数及其它一些技术因素对器件耐压的影响 ,并给出了相应物理意义上的分析。根据这一设计 ,在国内进行了一块高压功率 BCD集成电路的试制 ,经测试 ,耐压超过 660伏 ,输出功率 40 W,且电路的其它器件参数达到设计值 ,IC电路整体功能正常 ,所有参数达标     

气体微机电传感系统中的片上ESD保护

摘要是本文提出了一种应用于微机电系统嵌入式传感器片上系统新工艺上的静电放电防护器件的电路结构.这个静电放电防护结构采用了以地端为参考电位的,多指条晶闸管类器件,包括以下几个部分1)输入/输出防护,2)电源钳位3)微机电处理过程中的内部传感器电极.本工作也提出了一种在有限的芯片面积下实现静电放电防护等级要求的多指条版图布局.这种静电放电防护设计体系在器件级和片上系统级都得到了测试和验证,有效性和鲁棒性都得到了证实.测试数据表明采用了本防护体系的片上系统在不引入闩锁,漏电流只有10-10A的情况下承受了4.1kV的人体放电模式的静电测试.     

一种智能化漏电保护芯片的设计

提出了一种智能化漏电保护芯片。电路基于0.6μm CMOS工艺、采用数模混合信号设计,并用全定制的方法实现。与现有模拟漏电保护芯片相比,该芯片具有较高的智能化:对输入信号是否有效进行辨识,以排除干扰,减少误动作;采用数字延时代替现有的RC延时方式,大大提高了控制精度及三级匹配;三级保护的不同应用环境的可编程性;实现智能化开关控制;具有报警功能,保障安全。由于芯片的大部分功能由数字电路实现,大大降低了功耗。通过采用全定制的方法,优化电路和版图设计,减少了芯片面积,降低了成本。