浅谈坝体充填式灌浆与劈裂式灌浆

我国大多水库始建于上世纪五、六十年代，经过长期的运行以后水库多出现坝体与坝基的渗漏问题，为了消除大坝坝体与坝基渗漏的病险，多采用坝体与坝基灌浆的方法，坝体灌浆主要有充填式灌浆和劈裂式灌浆两种方法，坝基主要采用帷幕灌浆的方法进行处理。主要针对充填式和劈裂式灌浆进行简单的论述，谈谈两者的联系和区别。     

水生态环境修复研究综述

我国综合国力提高,经济快速增长的同时,水生态环境遭到一定程度的破坏,如何修复受损的水生态环境已成为我国经济可持续发展的关键。主要从农村和城市两个不同地域对破坏水生态环境影响因素进行分析,对目前我国水生态修复的主要研究方法和治理措施进行论述。     

绿色混凝土在哈尔滨市松花江北岸防汛抢险通道工程中的应用

近年来,为了适应现代水利的需要,各种新型水利建筑材料得以应用。绿色混凝土因其具有特殊的结构与特性,除具有传统混凝土的特性外,还能够适应生物生长,保护生态环境,在水利工程中的应用受到了越来越广泛的关注。哈尔滨市松花江北岸堤防防汛抢险通道工程堤防护坡中也采用了绿色混凝土,既能满足该工程功能要求,又能满足修复生态环境的要求。     

混凝土水工建筑物冻融破坏与防治

1 造成混凝土冻融破坏的因素 1．1 内部因素 混凝土在浇筑凝固过程中，由于混凝土中部分水分的析出，内部形成了大量细小并相互连通的孔隙，当这些孔隙充水达到饱和之后，在0℃时开始结冰，封堵了混凝土孔隙与外界相通的孔口，水结成冰使体积膨胀，与此相当的水量被挤到混凝土的孔隙中，使孔隙受到压力，这种压力使混凝土膨胀开裂，融化后混凝土又不能恢复原状，经多次循环，混凝土就失去了承载能力。     

黑龙江省黑土流失概述

黑龙江省土壤资源主要以黑土为主,黑土耕作层因有机质含量高,土壤肥沃、土质疏松,适于耕作而闻名于世,但由于长期以来自然因素和人为因素的影响,使黑土区的水土流失加重,为了使土地资源更好地为人类服务,治理和保护黑土资源迫在眉睫。主要从黑土区分布现状、黑土流失危害、成因及防治措施等方面进行了论述。     

用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究

制备ＭＦＩＳ存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的ＳＢＴ铁电薄膜,介质层一般选用ＺｒＯ２作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在ＭＦＩＳ研制中,ＳＢＴ薄膜和ＺｒＯ２薄膜的刻蚀是关键工艺之一。研究了用ＳＦ６和Ａｒ作为反应气体刻蚀ＳＨＢＴ及ＺｒＯ２薄膜的方法,对不同条件下ＳＢＴ和ＺｒＯ２的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析,得到了刻蚀ＳＢＴ及ＺｒＯ２的优化工艺条件。     

MFIS结构的C-V特性

研究了运用SOL-GEL方法制备的Au/PZT(铅锆钛)/ZrO2/Si结构电容即MFIS(Metal/Ferroelectr c/Irsulator/Semiconductor)电容的方法,并对其进行了SEM、C-V特性测试及ZrO2介质层介电常数分析.研究了C-V存储窗口(Memory WindoW)电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系,得出MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为7 10左右,在外加电压5V-+5V时存储窗口可达2.52V左右.     

用于MFIS的ZrO_2薄膜的制备及特性研究

新型不挥发非破坏性读出铁电存储器金属 /铁电 /半导体器件结构中 ,存在着铁电薄膜与半导体衬底之间相互扩散、离子陷阱密度高、铁电薄膜难于直接淀积在硅衬底上、电荷注入等问题 ,因此在铁电薄膜与半导体之间增加一层合适的介质材料作为阻挡层是制备不挥发非破坏性读出铁电存储器的关键。文中研究了运用 SOL- GEL方法制备 Zr O2 介质层的方法 ,并且对制备的介质层的成份、结构、电特性进行了分析 ,为研制 MFIS作了准备。     

水利工程建设管理探讨

就目前我国水利工程建设管理的一些模式谈谈自己的看法,供参考。     

应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性

将ZrO2和PZT的sol-gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中,制作出应用Al/PZT/ZrO2/p-Si结构的MFIS电容和单管MFIS FET,研究了MFIS电容的界面和存储窗口特性,结果表明ZrO2介质阻挡层和Si衬底以及PZT的附着良好,在±5V测试电压、1MHz测试频率下,存储窗口电压为2.6V左右,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压差值的比为0.8.对于宽长比为500μm/50μm器件,采用栅极与源极、漏极写入方式,±10V时在写入电压下得到理想的输入-输出特性;小尺寸的40μm/8μm器件在±5V写入电压下特性较好.