SZ541和SZ551型GaAs高速分频器

本文叙述了SZ541和SZ551分频器工作原理、电路设计和制作工艺技术。电路采用全离子注入平面工艺,L_g为0.6～0.8μm.SZ541GaAs静态分频器可从DC到3GHz工作。SZ551GaAs动态分频器工作带宽为0.5～4.5GHz。     

电子束蒸发铝制作铝-砷化镓势垒

本文叙述了采用超高真空无油电子束蒸发台蒸发铝制作GaAsMESFET的肖特基势垒的一些工艺实验结果。蒸发出的铝膜纯度高、钠离子沾污少、与衬底的粘附力强、电阻率低、势垒的理想因子低,与普通油扩散泵钨丝加热蒸发相比有明显的优点。     

计算机辅助计算微波低噪声晶体管的功率增益

本文叙述了微波低噪声双极晶体管最大可用功率增益计算的一种方法,即从器件的等效电路出发,通过数值求解得到器件的S参数,从而计算其功率增益。计算中考虑了内引线和封装所引入的一些寄生参量的影响。使用电子计算机进行计算。作为实例,给出了10千兆赫下工作的微波低噪声晶体管增益计算的一些结果,并对影响增益的某些因素进行了分析和讨论。     

有前途的磷化铟器件

虽然确定磷化铟的电子速度-电场特性比GaAs更有利于制作高效率的电子转移振荡器已经有一段时间了,但是直到最近,由于实际器件的制造方法的可控和可重复,这个优点才得以实现。改进器件效率的基础是InP的峰谷比高于GaAs,前者为3.5,后者为2.2,这使预期的效率差不多改进2倍。在大多数早期的器件研制中,虽然通过观察电流幅度确定了高的峰谷比,但是并没有看到效率方面的优越性。随着Rees关于电子转移器件(TED)损耗机理的发现,在1974年出现了突破。在诸如InP这样高阈值电场的材料和Rees提议的双区阴极结构中这一点是特别重要的(双     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .     

硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光

将Si、Ge和Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中,在N2气氛中,作550、650、750、850、950和1050℃退火后,进行电致发光研究.对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅.对于离子注入情况,只观察到Au/1050℃退火的离子注入的富硅二氧化硅/p-Si的电致发光.低于1050℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅,无论离子注入与否,都未观察到电致发光.Au/未注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光光谱在1.8eV处出现主峰,在2.4eV处还有一肩峰.在Au/Si注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光谱中,上述两峰的强度分别增加了2倍和8倍;在Au/Ge注入不大,但都观测到峰位位于2.2eV的新发光峰.采用隧穿-量子限制-发光中心模型对实验结果进行了分析和解释.     

在SiO2中掺A1对Au／纳米（SiO2／Si／SiO2）／p—Si结构电致发光的影响

利用射频磁控溅射方法,制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米（SiO2/Si/SiO2）/p-Si结构和纳米（SiO2:A1/Si/SiO2:A1)/p-Si结构,用磁控溅射制备纳米SiO2:A1时所用的SiO2/A1复合靶中的A1的面积百分比为1%。上述两种结构中Si层厚度均为1-3nm,间隔为0.2nm。为了对比研究,还制备了Si层厚度为零的样品。这两种结构在900℃氮气下退火30min,正面蒸半透明Au膜,背面蒸A1作欧姆接触后,都在正向偏置下观察到电致发光（EL）。在一定的正向偏置下,EL强度和峰位以及电流都随Si层厚度的增加而同步振荡,位相相同。但掺A1结构的发光强度普遍比不掺A1结构强。另外,这两种结构的EL具体振荡特性有明显不同,对这两种结构的电致发光的物理机制和SiO2中掺A1的作用进行了分析和讨论。     

在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响

利用射频磁控溅射方法 ,制成纳米 Si O2 层厚度一定而纳米 Si层厚度不同的纳米 (Si O2 / Si/ Si O2 ) / p- Si结构和纳米 (Si O2 ∶ Al/ Si/ Si O2 ∶ Al) / p- Si结构 ,用磁控溅射制备纳米 Si O2 ∶ Al时所用的 Si O2 / Al复合靶中的 Al的面积百分比为 1% .上述两种结构中 Si层厚度均为 1— 3nm ,间隔为 0 .2 nm .为了对比研究 ,还制备了 Si层厚度为零的样品 .这两种结构在 90 0℃氮气下退火 30 m in,正面蒸半透明 Au膜 ,背面蒸 Al作欧姆接触后 ,都在正向偏置下观察到电致发光 (EL ) .在一定的正向偏置下 ,EL强度和峰位以及电流都随 Si层厚度的增加而