斗轮机静动态应力分析

通过在工作环境下的几种实测方法测得大型斗轮堆取料机的各项力学性能,即:对拉杆施以侧向扰动推算得拉杆初始应力; 利用应变与应力的线性关系和钢结构载荷与应力的线性关系, 通过监测动态应变推算设备的动态力学性能; 通过对拉杆的动态应变进行监测推算拉杆动态应力和斗轮挖掘力识别等.将各项测试结果与设计要比较,表明其与有限元分析结果接近, 从而可知测试结果可靠.     

氧分压对磁控溅射ZnO薄膜生长行为和光学特性的影响

采用反应射频磁控溅射方法,在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射,透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术,研究了氧分压对薄膜的表面形貌和光学特性的影响.研究结果显示:0.04～0.23Pa的氧分压范围内,ZnO薄膜存在三个不同的生长模式,薄膜生长模式转变的临界氧分压分别位于0.04～0.08Pa和0.16～0.19Pa之间;在0.16Pa以下时,ZnO薄膜的表面岛呈 c取向的竹笋状生长;当氧分压＞0.19Pa时,薄膜的表面岛以-c取向生长为主;ZnO薄膜的折射率,光学带隙宽度以及PL光谱强度均随着氧分压的增大而增大,氧分压为0.19Pa时,薄膜的发光峰最窄,其半峰宽为88meV.     

沉积温度对ZrO2薄膜结构及表面形貌的影响

采用反应磁控溅射方法,在室温～550℃的沉积温度下,在Si(100)和玻璃基片上沉积了厚度在纳米量级的ZrO2薄膜.通过高分辨电子显微镜、原子力显微镜和透射光谱分析,研究了沉积温度对ZrO2薄膜的相结构、表面形貌和折射率的影响.研究结果表明沉积温度低于250℃时,ZrO2薄膜的结构完全呈非晶态,但250℃沉积的薄膜有比较高的致密度;随着沉积温度的升高,薄膜出现了明显的结晶现象,主要为单斜ZrO2相;沉积温度为450℃时,ZrO2薄膜晶化不完全,在晶粒堆砌处有非晶ZrO2相存在;沉积温度为550℃时,ZrO2薄膜完全晶化,在晶粒堆砌处有四方ZrO2相存在.此外,根据薄膜相结构和表面形貌的研究结果,探讨了沉积温度对薄膜生长行为的影响及其物理机制.     

二氧化锆栅介质薄膜光学及电学特性研究

采用反应RF磁控溅射法在氧气和氩气的混合气氛中制备了具有较高介电常数、较宽光学禁带间隙的ZrO2薄膜。利用变角度光谱椭圆偏振仪研究了不同O2/Ar流量比下制备所得薄膜的厚度、复折射率、复介电常数和吸收系数,估算了薄膜的光学禁带间隙,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V、I V特性曲线。通过对O2/Ar流量比分别为1/9、1/4、4/1、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜的α2与光子能量关系图的拟合,确定了其光学禁带间隙Eg分别为6.27、5.84、6.03、5.92eV,在O2/Ar流量比为1/9、1/4、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜,其ZrO2/SiO2叠层的有效介电常数keff计算结果分别为14.6、19.6和9.3,漏电流较低(<5.0×10-5A/cm2),其击穿电场强度分别为5.6、6.3、9MV/cm。     

脉冲激光沉积制备Co掺杂ZnO薄膜的磁学性质研究

采用脉冲激光沉积的方法,利用Zn0.95Co0.05O陶瓷靶,在不同氧气压力下制备Zn1-xCoxO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、电子探针、吸收光谱对薄膜中Co含量、Co2+离子比例以及相组成进行了定量分析,研究了沉积过程中氧气压力对薄膜中Co含量的影响,定量讨论了薄膜中Co含量、Co2+离子比例以及相组成与薄膜室温磁性之间的关系,分析了薄膜磁性的起源.分析结果表明:薄膜中Co含量随氧气压力增大而减少,Co以替位Co2+离子为主.精细XRD分析表明,薄膜中存在纳米尺度的金属Co团簇,其含量与薄膜室温磁性估计的结果一致,Zn1-xCoxO薄膜的室温磁性归因于金属Co纳米团簇的超顺磁磁化机制.     

钢筋弯曲机电机容量选择

GW40钢筋弯曲机虽于1986年通过了技术鉴定,但实际上该机电机容量严重不足,缺口达30%以上,设备已无法正常运转,为此,本文仅就这一具体问题提出如下意见,期能对工作有所俾益。 GW40弯曲机及其配用电机均参考引进样机研制的新产品,用于弯曲φ40mmA3钢筋,电机为高转差率双速带电磁制动鼠笼电机,基本参数是:型号YDEJ90L,工作方式53～40%,额定功率1.6/3.2kW,最大转矩倍数2.77,最小转矩倍数2.2,额定转速1320/2640     

南四湖历史演变及其现状

通过对历史资料的整理,梳理出南四湖的形成原因及历史演变。分析了南四湖现状及存在的问题,并提出南四湖今后的发展机遇。     

浅析水平井开采技术及其产能影响因素

本文首先简单介绍了水平井的概念,然后全面系统分析了水平井技术目前现状,并对其相关因素对水平井产能造成的影响进行了综合评价。旨在为水平井开发设计及产能分析提供更好的理论指导。     

射频磁控溅射制备HfLaO薄膜结构和光学性能研究

采用射频磁控溅射技术制备HfLaO薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,通过紫外可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了薄膜的折射率和禁带宽度,利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌.结果表明:沉积态HfLaO(La:25%～37%)薄膜均为非晶态,随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的结晶化温度逐渐升高,HfLaO(La～37%)薄膜经900℃高温退火后仍为非晶态,具有优良的热稳定性,AFM形貌分析显示非晶薄膜表面非常平整.随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的透射率先降后增,在可见光范围薄膜均保持较高的透射率(82%以上).HfLaO薄膜的折射率为1.77~1.87.随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的折射率呈先增后降的变化趋势,同时HfLaO薄膜的Eg逐渐降低,分别为5.9eV(La～17%)、5.87eV(La～25%)、5.8eV(La～33%)和5.77eV(La～37%).