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1.
真空电子器件是电子工业器件中最重要的器件之一,其主要的部件之一是绝缘外壳。外壳的共同要求是真空气密性好、机械强度高、绝缘性能优良等。某些器件(例如真空开关管)还要求真空器件寿命保证20年之久。目前国内外真空开关管绝缘外壳大多采用95%Al_2O_3陶瓷与活性Mo-Mn法封接工艺,产品质量上国内不如国外的,国内产品只应用于低端市场。本人对真空开关管绝缘外壳进行了比较系统的研究分析,提出了我国Al_2O_3粉体和高Al_2O_3陶瓷的不足之处和相应的改进措施。  相似文献   
2.
专辑序     
材料是现代文明三大支柱之一,新型材料被视为新技术革命的基础和先导。世界各发达国家对新型材料的研究、开发、生产和应用都极为重视。中国也不例外,特别是近年来,在各方面和多个领域都取得非常令人鼓舞的成就。  相似文献   
3.
叙述了陶瓷金属化技术的沿革和Mo粉在金属化组分中的重要性。综述了目前Mo粉存在的主要问题和改进建议。最后,介绍了本行业Mo粉的几种测试方法及其相互比较。  相似文献   
4.
分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。  相似文献   
5.
针对CVD金刚石在微波管中的应用特点,提出一种金刚石膜表面金属化新工艺。该工艺采用Ti/Mo/Ni体系和磁控溅射镀膜方法,与无氧铜焊接获得了良好的接合性能,封接件平均抗拉强度大于113.7 MPa。X射线衍射分析证实:经820℃真空热处理,金刚石与钛膜界面形成Ti8C5和TiO。  相似文献   
6.
本文叙述了近期国外陶瓷-金属封接技术的进展,特别是有关Mo粉的有关特性,并对国外典型产品作了分析报告。  相似文献   
7.
用Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化两种氧化铝陶瓷材料。封接强度实验结果表明,Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂不适宜高纯Al2O3陶瓷的金属化封接,而比较适宜95%Al2O3陶瓷的金属化封接。用该膏剂金属化95%Al2O3陶瓷,其焊接强度最高值可达150MPa以上。通过显微结构分析发现,高纯Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶瓷金属化的机理不同,前者中玻璃相仅仅通过高温熔解-沉析与表面的Al2O3晶粒反应,后者金属化层内玻璃相与陶瓷内玻璃相相互迁移渗透。  相似文献   
8.
氧化铝陶瓷封接强度的统计分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用Weibull分布和正态分布,对氧化铝陶瓷封接强度进行统计分析,并通过Weibull模数和变异系数来表征了材料强度的离散性。同时通过Weibull分布,比较了标准组合抗拉强度、拉钉强度和抗折强度测试的数据。  相似文献   
9.
采用ANSYS软件对三维复杂形状宝石窗与可伐封接件在焊接过程中产生的应力进行分析,裂纹位置、形式与模拟的应力结果一致。在数值模拟分析基础上,优化封接结构,改进工艺,封接取得了成功。  相似文献   
10.
高压钠灯用氧化铝透明陶瓷的进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
为进一步提高高压钠灯性能 ,延长寿命 ,制造高质量的氧化铝透明陶瓷管至关重要 ,获得高纯度和一定粒度级配的氧化铝原料也是必不可少的。1 氧化铝原料的发展为了使陶瓷管有好的透光率 ,其原料必须采用高纯、超细氧化铝粉。目前国内外制备上述氧化铝粉的方法很多 ,主要有 :硫酸铝铵热分解法、铝醇盐加水分解法、金属铝水中火花放电法、碳酸铝铵热分解法、改进的拜尔法等。作为规模化生产 ,国内目前仍以硫酸铝铵热分解法为主。在国外 ,除大量采用硫酸铝铵热分解法外 ,铝醇盐加水分解法亦已商品化 ,并得到广泛的应用。其中 ,日本住友化学工业…  相似文献   
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