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5G 通信迫切需要毫米波集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD),要求该类器件低成本、高性能。基于高阻硅(High Resistivity Silicon, HRS)工艺设计并加工了一款四阶交叉耦合毫米波微带滤波器,基于测试结果和有耗耦合矩阵理论反提取得到四阶滤波器谐振器的真实无载品质因素。进而对高阻硅基的毫米波工艺参数(例如,损耗角正切)进行修正,利用电磁仿真软件进行验证;分析了金属粗糙度对于滤波器损耗的影响。修正后的模型仿真结果和测试结果吻合较好,验证了修正后毫米波段高阻硅基参数的有效性,为芯片级毫米波无源器件的设计提供了支撑。 相似文献
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LTCC及其在三维微波集成电路中的应用 总被引：2，自引：1，他引：1
介绍了用于三维微波集成电路(3D-MIC)的新技术LTCC(低温共烧陶瓷)的物理性能及主要特点;阐述了LTCC的制作工艺;重点讨论了基于LTCC的三维微波集成电路和内埋无源元件技术. 相似文献
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