矩形脉冲电流退火与激励电流对Co基非晶带巨磁阻抗效应的影响

利用矩形脉冲电流对Co_(66.3)Fe_(3.7)Si_(12)B_(18)非晶带进行退火处理,研究了退火电流密度对非晶带巨磁阻抗效应的影响,同时研究了激励电流频率对退火处理后的非晶带巨磁阻抗效应的影响。结果表明,该非晶带的特征频率为1.4 MHz。最大巨磁阻抗所对应的磁场随激励电流频率的增加逐渐向高磁场方向移动。     

非晶合金带巨磁阻抗效应新型磁传感器研究

介绍了非晶合金带巨磁阻抗（GMI）效应的产生机理,对样品进行脉冲电流退火,获得了显著的GMI效应。实验分析了样品阻抗变化率随外加磁场、样品最大阻抗变化率随激励电流频率的变化关系。通过优化工作参数,提高了传感器的灵敏度、线性度和量程。在样品上均匀绕400匝线圈,以提供偏置磁场,将传感器的工作点移至线性区域。室温环境下,在激励电流频率f=1 MHz、有效值Irm s=25 mA、测量范围为±10 A/m时,传感器的测量精度优于0.96%,灵敏度为16.5 mV/Am^-1,在弱磁检测领域具有很好的应用前景。     

MCS—51与IBM—PC机的串行数据通讯

本文介绍了一种单片机与ＩＢＭ－ＰＣ机进行串行通讯的方式；用于工业控制系统的中心控制微机与现场单片机的为数据交换。     

新型处理电路干涉测振装置

相较传统接触式测量,激光非接触式测量具有无可比拟的优势。提出一种采用激光多普勒效应的零差测振装置,分析多普勒测量原理及光路电路结构,并阐述实现振幅测量的原理与硬件电路设计,以纸盆中央贴有反射镜面的扬声器为振动测量对象,结合初步实验数据给出误差分析。该仪器光路中采用PIN二极管为光电探测器,省去了声光调制器,信号处理电路采用窄脉冲参考鉴频电路,省去复杂的锁相环鉴频器与相敏检波电路,结构简单,性价比高,具有良好的应用前景。     

非晶丝微磁化线圈磁电阻抗效应研究

本文研究了铁基及钴基非晶态合金丝在由微磁经线圈所产生的轴向交变磁场的作用下所呈现的磁电阻抗效应，经出了一些测试结果，结果表明，微磁化线圈两端的电压信号峰－峰值随轴向外磁场Ｈｅ的增加而单调减少，钴基非晶丝可呈现巨磁电阻抗效应，利用该效应可制成新型磁敏元件及器件。     

非晶态合金力传感器的研究

本文介绍了我们研制的一种新型的力传感器,该传感器用非晶合金薄带作为敏感材料,多谐振荡回路作为传感器电路。它是一种精确、可靠、敏感、线性的力传感器,该传感器可用于高温、高噪音环境下的机械系统中,如工业自动控制上。本文给出了该传感器的工作原理,材料的制作方法及测试结果。     

FeCuNbSiB单纳米晶磁芯双绕组新型电流传感器理论分析

炉内等温退火法制得的纳米晶合金F e73.5Cu1N b3S i13.5B9环形磁芯,由于在退火过程中材料内应力得以充分驰豫释放,使其具有高的磁性能温度稳定性及高的磁灵敏度,特别适合于制作对微弱电流进行测量的传感器。利用纳米晶合金材料作为敏感材料,提出了采用单纳米晶磁芯双绕组结构,多谐自振荡励磁,可进行非接触检测微弱电流的新型传感器。建立了传感器的数学模型,从理论上分析了传感器工作原理,该理论与实验结果很好地吻合。并利用傅里叶变换对桥路输出信号进行分析,指出了传感器信号调理电路的设计方法。     

采用多谐振荡桥的非晶磁场传感器

介绍一种新型磁场传感器.它采用的敏感材料为非晶态合金软磁材料,这种线性磁场传感器具有体积小、结构简单、灵敏度高等特点.     

钴基非晶磁芯巨磁阻抗效应电流传感器

利用钴基非晶薄带环形磁芯的巨磁阻抗效应研制了新型非接触电流传感器。磁芯在2kA／m横向磁场作用下，用密度为25A／mm。短时矩形脉冲电流退火30s，通过CMOS多谐振荡电路产生的频率为900kHz窄脉冲电流激励，最大阻抗变化率为34％，磁场灵敏度约为45％Oe。分析了传感器工作原理，设计了传感器电路，通过参数的优化和电流负反馈设计提高了传感器的分辨率、线性度、灵敏度和测量范围。设定测量范围为-2．5～＋2．5A时，传感器测量精度为0．45％，灵敏度为0．67V/A     

低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3．7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗（GMI）效应。结果表明，在低频脉冲电流下，巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△Z／Z先随退火电流密度的增加而增强，当电流密度为104A／mm^2时，△Z／Z达到最大值53．8％，此后随电流密度增大，GMI变化率开始减小。对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场凤对GMI效应的影响，发现HK有利于提高GMI效应的峰值，但同时存在一个临界值，当超过这个值时，GMI效应的峰值减弱。