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1.
使用溶胶-凝胶法制备N∶ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)对晶体结构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌,用荧光光谱仪测量低温(8K)及变温条件(8~200K)下的光致发光(PL)光谱。分析了各个发射峰的形成机理,通过薄膜缺陷态发光和受主能级的关联性,计算出了N作为受主所需电离能的大小在0.255~0.31eV范围内。研究结果为以后P型ZnO薄膜的制备和研究提供了依据。  相似文献   
2.
针对传统图像缩放算法的不足,本文提出一种边缘检测和双线性插值结合的方案,用以实现图像缩放的功能。借助FPGA并行高速处理的优势,搭建各功能模块,最后通过仿真工具和板级验证,结果表明该设计能够有较理想的图像放大效果。  相似文献   
3.
随着1000Mbps以太网和全双工通信技术的发展与成熟,以太网也向着更高速和高效的方向发展。文中通过Xilinx的开发平台及配套硬件来设计10/100/1000以太网MAC.同时采用自顶向下的方法划分和设计模块,最后利用StateCAD进行状态机的设计,从而完成了hdl代码的编写,并使用modelsim进行了时序功能验证。  相似文献   
4.
邓明  黄世震 《电子器件》2011,34(4):411-414
介绍了一种基于IEEE802.16标准的高频段WiMAX低噪声放大器(LNA)的设计方法,工作频段在5.8 GHz,采用稳 茂0.15 μm pHEMT工艺4×50 μm晶体管大信号模型,选用Current-Reused结构作为LNA电路结构,并优化设计LNA的电路 偏置电路.利用Agilent公司的 ADS2008 ...  相似文献   
5.
采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化钨/多壁碳纳米管(WO3/MWCNTs)薄膜材料,并在此基础上研制NO2气敏元件.采用X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)来研究WO3/MWCNTs材料的表面形貌、表面化学状态、表面化学元素等材料特性.研究结果表明,MWCNTs已经掺杂进WO3材料,合成的WO3/MWCNTs气敏元件表现出对NO2气体有较高的灵敏度和较好的响应-恢复特性,并解释了该元件的工作机理.  相似文献   
6.
罗志聪  黄世震 《电子科技》2010,23(10):49-52
分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响。最后基于理想的设计方程和Load Pull技术,采用 0.18 μm CMOS工艺,设计出高效率的差分E类功率放大器。在电源电压1.8 V,温度25 ℃,输入信号0 dBm条件下,具有最大输出功率26.1 dBm,PAE为60.2%。  相似文献   
7.
随着FPGA单片可编程容量的日益增大,传统的嵌入式系统设计正在逐渐被片上系统所取代,用于数据通信的以太网片上系统设计也越来越备受关注,另外,通信数据采集的可视化及数据处理的简单化要求也越来越明显,基于这两方面,本文简要介绍了如何利用Xilinx公司的MicroBlaze微处理器软核,以及相应的嵌入式操作系统Xilkernel和Lwip协议功能函数,采用片上系统设计理念,来设计完成基于FPGA的嵌入式以太网与Matlab通信平台的数据传送交互系统。  相似文献   
8.
数字下变频器(Digital Down Converter,DDC)是WCDMA直放站的重要组成部分,它将高速采样的数字中频信号下变频到基带,然后进行抽取,低通滤波。重点研究了数字下变频器的数控振荡器NCO和半带滤波器的原理和硬件设计仿真,通过FPGA芯片Virtex-6 XC6VLX75T设计实现了适用于WCDMA直放站的数字下变频器,并对其进行硬件仿真与验证。  相似文献   
9.
磁控溅射WO3薄膜特性研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
用磁控溅射法制成WO3薄膜,通过改变成膜的溅射参数来改变WO3薄膜的性能.利用XRD分析了样品的粒径大小,研究了成膜工艺参数对气敏元件性能的影响.结果表明,薄膜中WO3晶粒的平均尺寸为17 nm,该传感器对NOx气体有非常好的灵敏度和选择性,对体积分数为1×10-5的NOx气体灵敏度高于50倍,而对其他干扰气体的灵敏度小于2倍.  相似文献   
10.
提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。  相似文献   
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