弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响

研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜（μc-Si∶H）及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si∶H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7～0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化,且变化的幅度较大,当弱硼补偿剂量大于2.5ppm时,过度的弱硼补偿将导致μc-Si∶H薄膜的结晶状况恶化.此外,光敏性、暗电导及电导激活能的测量结果进一步表明,弱硼补偿显著影响μc-Si∶H薄膜的光电特性,弱硼补偿剂量为2.5ppm左右时,材料的光电特性最为理想.因此,优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量μc-Si∶H材料的有效途径.     

弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响

研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si:H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7～0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化,且变化的幅度较大,当弱硼补偿剂量大于2.5ppm时,过度的弱硼补偿将导致μc-Si:H薄膜的结晶状况恶化.此外,光敏性、暗电导及电导激活能的测量结果进一步表明,弱硼补偿显著影响μc-Si:H薄膜的光电特性,弱硼补偿剂量为2.5ppm左右时,材料的光电特性最为理想.因此,优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量μc-Si:H材料的有效途径.     

SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析

采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 ,并获取所需的存储陷阱分布参数     

H.264/AVC视频编码变换量化核的硬件设计

基于H.264/AVC视频编码标准,完成了编码模块中的4×4整数变换量化核的分析和硬件实现的优化设计。通过三种优化设计处理后,在硬件开销改变不大的情况下,使4×4整数变换量化核的最高工作频率相比优化前的30.7MHz提高了82%,达到55.8MHz,为H.264/AVC视频编码标准的硬件实现提供了参考。     

PCI总线仲裁器的设计及实现

本文简要介绍了PCI总线的仲裁机制,完成了PCI总线仲裁器核心的设计、实现。通过ModelSim进行了软件仿真,最后在XILINX公司的FPGA上加以了验证。     

MNOS结构界面陷阱分布的TSC谱研究

本文应用热激电流(TSC)方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储峰的分析理论.该理论满意地描述了实验结果,并得出所研制的MNOS结构存储陷阱分布的主要参数N_o、E_t和d分别为1.47×10~(10)cm~(-3)、1.09eV和50A,模型参数τ_o及v_o和前人的理论结果一致。本文同时确定了该MNOS结构中、超薄SiO_2膜Si/SiO_2界面上态密度的D_(it)(E)分布,其结果和MOS结构中厚SiO_2膜的界面情况类似.     

基于Wagner抵消场法的输电线感应过电压计算

由于使用条件的限制,规程法计算公式不能准确反映雷击杆塔塔顶时输电线路上的感应过电压。基于场抵消法理论,先计算雷击塔顶的单位方波响应,然后通过Duhamel积分求解任意雷电流波形下导线上的感应过电压。根据目前得出的主放电速度、上行先导与雷电流幅值的函数关系,利用MATLAB编写了雷击塔顶时输电线感应过电压的计算程序,获得了感应过电压的数值和随时间变化的波形,并总结了感应过电压幅值、时变特性及其影响因素和影响规律。     

基于Web的多媒体教学资源库系统的设计与实现*

介绍了一种基于Web的多媒体教学资源库系统,讨论了系统的设计和实现过程。该系统可用于多媒体网络教学,对提高教学质量和教学水平有一定的应用价值。     

基于表面势的多晶硅晶体管漏电流物理模型

提出了一种基于薄层电荷模型、陷阱态密度和表面势的多晶硅薄膜晶体管漏电流物理模型。模型采用非迭代的运算方法, 简单且适用于所有大于平带电压的工作区域。 考虑了包括高斯分布的深能态和指数分布的带尾态在内的陷阱分布形式, 陷阱分布参数的提取通过光电子调制谱方法实现。通过模型与现有实验结果的比较, 得到一致的符合结果。     

光纤布拉格光栅反射谱旁瓣的抑制

计算分析了光纤布拉格（Bragg)光栅中折射率变化分布,折射率变化直流分量对反射旁瓣（Sidelobes)的影响;采用二次曝光技术,用高斯光束和均匀相位模板刻制出反射旁瓣受到有效抑制的光纤布拉格光栅,使光栅的主反射带具有相当锐利的边裙。