p+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析

采用微波反射光电导衰减法测量了P+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在P+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.     

紫外探测技术应用

本文对以成像、光谱技术为主的紫外探测技术在空间科学、环境监测、工业生产、军事等方面的应用进行了介绍。     

平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究

通过闭管锌扩散制备了256元平面型铟镓砷(In0.53Ga0.47As)线列探测器,室温下焦平面平均峰值探测率为5.79×1011cmHz1/2W-1,不均匀性为31%,平均峰值响应率为0.33 A/W.并且通过拟合其伏安曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,基于这两个相互独立的参数可以对器件不同区域的性质加以考查,结果表明器件材料具有较好的均匀性,而器件的欧姆接触电阻偏大,且不均匀性达到39%,为工艺的改进提供了重要依据.     

紫外线列探测器的演示成像系统

提出了一种以国产64×1可见盲紫外线列探测器为核心的紫外演示成像系统。设计了 F =1.8，焦距90 mm的大相对孔径紫外物镜，该物镜采用纯折射结构，通过光学材料的合理组合以及光焦度的巧妙分配较好地解决了紫外光学材料种类少、折射率低带来的像差校正困难和光学系统效率不高的问题。电路系统采用了FPGA为主控元件，USB为通讯接口的图像采集/传输系统，可以灵活配置探测器的工作参数并实现高速的数据通讯。最后针对不同的紫外目标，设计了两种典型的成像实验，实现了64×1紫外线列探测器的成像，通过不同光照条件下所获得图像准确、直观地反映了探测器的成像性能。     

AIGaN紫外探测器及其应用

AlGa基紫外探测器具有量子效率高,工作电压低并能够通过调节组分改变相应波段,在用于多光谱成像时能减少滤光片的使用,提高系统效率,因此成为国内外研究的热点.介绍了AlGaN紫外探测器的发展现状,并以国产AIGaN日盲/可见盲双波段探测器组件为核心建立了演示成像系统.利用此系统设计完成了多种光照条件下目标的成像实验,并且介绍了实验结果.     

p＋-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析

采用微波反射光电导衰减法测量了P -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在P n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.     

紫外双光谱演示成像系统设计

文章利用AlGaN基双色线列探测器研制了一种紫外双光谱演示成像系统,其工作波段为250～280nm和330～365nm.系统采用探测器一维并扫的扫描方式,能够对0～360°视场进行周视成像.针对双色线列探测器,专门研制了对线视场进行优化设计的大相对孔径的紫外双色物镜以及基于FPGA的双通道紫外图像采集处理系统.系统以USB作为信号传输总线,配合上位机软件能够完成图像的实时显示、存储.在多种光照条件下的成像实验中成功地获取两个通道的紫外图像,在国内首次报道了AlGaN基紫外双色探测器的成像结果.