食管静脉曲张套扎术18例疗效分析

探讨内镜下套扎治疗肝硬化食管静脉曲张(EV)疗效,并与药物组进行对比分析。套扎治疗组效果优于药物治疗组,故EVL是治疗肝硬化EV破裂出血的有效手段之一,它既可紧急止血,也是预防EV再出血的长期处理措施,且操作简便易行。     

微电子专业的通才和专才培养模式

国内微电子产业迅猛发展,支持在低端产品的基础技术人员的储备已经达到相当规模,但自主研发高端产品的专业人才匮乏。目前高等学校微电子专业改革中,在通才和专才培养模式之间很难找到平衡点。本文通过对比中美的微电子人才培养模式,讨论微电子专业通才和专才的培养模式。     

从表层定量解读描绘的街路景观——《清明上河图》的成分分析

作为定量解读描绘的街路景观的继续,以《清明上河图》为分析对象,应用成分分析的方法,通过对共通成分和示差成分的分析,得出了《清明上河图》中所绘表层的一般型和示差成分的结构,以此解释《清明上河图》中所绘表层的统一性和多样性的并存.     

基于电阻网络修调的高精度基准源

针对高精度集成电路系统,工艺条件导致的误差需要通过修调弥补。基于 0.18 μm CMOS 工艺设计了一种针对片上基准源的修调电路,通过调整数字输入信号,对电阻网络修调电路进行控制,通过重配置输出级电阻比例,从而达到对基准源电压的调整。基准源采用改进的 Neuteboom 带隙电路,在 5 V 电源电压的工艺条件下进行仿真测试,在-40～125 ℃温度范围内,实现了 2.98×10^-6/℃的温度系数。通过电阻网络修调的基准电压变化范围为 2.3840～2.5154 V,电压修调步长为 2 m V。     

基于双极型晶体管的温度传感器

提出了一种基于双极型晶体管（BJT）宽温度范围的温度传感器。该温度传感器电路通过两个温度特性互补的电流产生一个高斜率的电压,采用电流增益补偿技术和斩波稳定技术来提高传感器输出电压的线性度,同时可通过合理调节电阻值和电流镜比例获得不同的输出电压。在0.18μm HVCMOS工艺下对传感器进行仿真,结果表明,在-55～125℃的温度范围内,温度传感器的温度系数为11.2 m V/℃,误差在-0.8～0.8℃。     

爆炸冲击波作用下建筑结构动力特性的数值模拟与试验

利用ALE算法和炸药爆轰产物JWL状态方程,采用动力分析有限元程序LS-DYNA3D,对2层框架结构建筑物在爆炸冲击波作用下的动力特性进行数值模拟,并通过结构模型的爆炸试验,得出不同位置处质点压力和加速度时程曲线.研究表明,数值模拟与现场试验结果基本吻合,汽车炸弹在近距离爆炸时对建筑物的破坏威胁较大.     

利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路

传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。     

环境友好缓蚀剂的研究现状和展望

围绕缓蚀性能、环境保护、经济效益研究开发适用绿色化学要求的环境友好缓蚀剂是缓蚀剂未来的发展方向。概述了有机、无机环境友好缓蚀剂的国内外研究现状,强调了复配增效技术在制备环境友好缓蚀剂中的作用及应用情况,介绍了利用天然植物制备环境友好缓蚀剂的情况,并提出了该领域的发展趋势。     

集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响

对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.