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Journal of Materials Science -  相似文献   
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Photonic Network Communications - In the present work, a high-speed optical encoder is proposed based on two-dimensional photonic crystal ring resonator using coupled mode theory and resonance...  相似文献   
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Anzaldo  Alexis  Andrade  Ángel G. 《Wireless Networks》2022,28(8):3613-3620
Wireless Networks - Beyond five generation (B5G) systems will demand strict and heterogeneous service requirements for the emerging applications. One solution to meet these demands is the dense...  相似文献   
5.
于江  王嘉懿  谢利  周星  边文慧 《包装工程》2022,43(19):49-55
目的 从包装功能实现的角度分析研究时间–温度指示器和食品新鲜度指示器的原理、类型与发展趋势,指出开发设计时间–温度指示器和食品新鲜度指示器应完成的包装功能,为有效实现包装交流功能提供研究思路和技术支持。方法 列出现有食品包装功能在物理环境、周围环境和人类环境下的实现矩阵,通过研究时间–温度指示器和食品新鲜度指示器的实现原理和所满足的包装交流功能,探讨这2种技术提高矩阵中分值较低元素的可行性。结果 时间–温度指示器监测食品所经历的时间、温度的完整历程,有助于提高实现矩阵中ComA元素的分值;食品新鲜度指示器提供生理变化或微生物生长引起的食品质量变化的定性或半定量信息,有助于提高实现矩阵中ComH元素的分值。结论 时间–温度指示器和食品新鲜度指示器能够有效提升食品包装的交流功能,保证消费者安全,减少资源浪费,具有广阔的发展前景。  相似文献   
6.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The Co1?xZnxFe2O4 (Co–Zn) ferrite nanoparticles with x varying from 0.0 to 0.4 have been manufactured by facile chemical...  相似文献   
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Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The ZnO and TiO2 nanopowders have been prepared by means of the pulsed laser reactive ablation of metallic (Zn, Ti) targets. The Structural,...  相似文献   
8.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - Non-volatile organic memory devices were fabricated using polystyrene sulfonate (PSS)?+?nitrogen-doped multi-walled carbon...  相似文献   
9.

InN thin films are grown on sapphire substrates by remote plasma-assisted metal organic chemical vapor deposition while varying the indium pulse length and substrate temperature. The effects of the indium pulse length and temperature on the structural, morphological, electronic, and optical properties of the thin films are studied. The structural parameters are determined by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy and the effects of incorporating oxygen atoms in the structure is described. The N K-edge X-ray absorption spectroscopy (XAS) and X-ray emission spectroscopy (XES) measurements are used to determine the band gap and it is found to be 1.80?±?0.25 eV for all samples. A complementary measurement namely, X-ray excited optical luminescence measurement is performed to confirm the band gap value obtained from XAS and XES measurements. O K-edge XAS measurements are performed to determine the presence of oxygen impurities in the samples. Meanwhile, we carry out the density functional theory calculations for Wurtzite InN, hypothetical Wurtzite-type InO0.5N0.5, and InO0.0625N0.9375 structures. We find that the measured N-edge spectra agree well with our Wurtzite InN calculations and the measured O K-edge spectra agree better with hypothetical Wurtzite-type InO0.0625N0.9375 than Wurtzite-type InO0.5N0.5.

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Journal of Materials Science: Materials in Electronics - In the recent years, metal oxides have attracted more interest for researchers because of their applications in energy and...  相似文献   
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