2～5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器

采用分子束外延方法在GaSb和GaAs衬底上生长了不同周期厚度的InAs/GaSb高质量Ⅱ型能带结构超晶格红外探测器,其探测波长覆盖2～5 μm红外波段.采用高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射测试、室温与低温光电流响应谱及室温与低温光荧光谱等多种测试手段检验了分子束外延生长在不同衬底上的超晶格材料质量与光学...     

基于密文强不可分性的云数据确定性删除方案

实现云数据删除的确定性是云存储安全领域亟待解决的关键问题。现有方案普遍存在过度依赖于密钥销毁、不具备密文强不可分性和加解密开销过大等缺陷。结合AONT转换与分组加密，提出一种基于密文强不可分性的云数据确定性删除方案，通过混淆原始数据本身实现密文数据的强不可分性。理论分析和实验结果表明，该方案销毁密文数据的任何一个密文数据块都将导致原始数据无法复原，摆脱了对密钥销毁的过度依赖，实现了确定性删除的预期目标；通过引入数据块乱序并减少密码运算次数，在提升抗密文分析能力的同时大幅降低了计算开销，与现有方案相比具有明显的性能优势。     

云存储中基于可信平台模块的密钥使用次数管理方法

为保护云存储中数据的机密性并控制密钥的使用次数,提出了一种基于可信平台模块的密钥使用次数管理方法.首先,通过基于密文策略的属性加密算法对密钥加密,使得只有满足一定属性的指定用户能够解密密钥.然后在本地将密钥与可信平台模块绑定,保证密钥的安全存储,并利用可信平台模块的物理单调计数器为每一个密钥生成一个虚拟的单调计数器.其次,通过比较单调递增的计数器值和预定的密钥使用次数值,判断密钥是应被删除还是能继续使用,从而控制密钥的使用次数.最后,利用可信平台模块的防物理篡改功能、计数器的单调性和数字摘要防止攻击者对硬盘数据进行重放攻击.实验结果表明,所提出的方案性能开销小,能够安全有效地存储和保护密钥,达到密钥使用次数受限制的目的.     

台风期间考虑配电终端功能可用性的配电网重构方法

近年来,包括地震、台风、山火等事件在内的极端灾害,给城市配电网的电气和通信控制设备造成了极大的破坏。为此,考虑台风灾害冲击,提出了一种考虑配电终端信息物理功能短时可用特性的配电网受灾和恢复过程仿真方法,用于改进配电网韧性量化评估结果。分析了灾害中储能支撑配电终端信息物理功能短时存续的能力,建立了考虑配电终端可用性的多阶段配电网拓扑重构流程,设计了配电网韧性评估指标和恢复过程仿真算法。针对IEEE 33节点系统算例的研究表明,灾害下配电终端信息物理功能削弱将造成配电网停电损失扩大、韧性水平下降。实验结果说明了所提方法的合理性和有效性。     

产品开发与服务方向的确定

随着企业生产经营自主权的进一步扩大,企业管理中的经营决策越来越成为企业研究的中心课题,所谓经营决策,就是对企业的经营目标和实现的手段作出最优的选择。经营决策是否正确,对企业兴衰成败有着决定性的影响。产品决策是企业经营决策的一个重要组成部分,是企业生产活动的起点,产品决策的正确与否直接关系到企业的经济效益。进行产品决策首先要确定企业的     

GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长

采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.     

磺草酮的绿色合成研究

以2-氯-4-甲砜基苯甲酸为起始原料,经过酰化、缩合和重排3步反应,合成了玉米田高效除草剂磺草酮。对于中间体1,3-环己二酮的合成,也进行了一定的研究。选取了一条绿色的合成路线,对各步反应进行了优化,提高了反应收率。反应总收率在85．6％以上,含量达98．3％。     

1.5微米波段GaAs基异变InAs量子点分子束外延生长

1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值。本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度。在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用。在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长。最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491nm,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点。     

基于信任扩展的可信虚拟执行环境构建方法研究

为保护虚拟机运行环境及上层服务软件的完整性、安全性,提出了一种基于信任扩展的可信虚拟执行环境的构建方法.首先,建立物理平台配置寄存器(PCR,platform configuration register)与虚拟PCR的映射关系,以此实现虚拟可信平台模块(vTPM)与底层可信计算基的绑定;其次,利用本地vTPM管理器签...     

快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响

从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移.