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1.
2.
3.
无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极 总被引:2,自引:1,他引:1
采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜.将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560 cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52 cd/A(电压为14 V)的结果.为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(20 nm)/ITO(50 nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460 cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16 cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1 263 cd/m2(电压为19 V)、最大效率为0.26 cd/A(电压为16V). 相似文献
4.
<正> 激光器与电光学(CLEO′90)和国际量子电子学(IQEC′90)会议于1990年5月21日至25日在美国加州Anaheim会议中心同时举行。除了两个会议各自有专题领域外,还有联合专题会议。两个会议的特邀报告和口头报告约1050篇,张贴报告约300篇,内容涉及面很广。其中CLEO′90共15个专题: 1)气体和自由电子激光器; 2)固体和液体激光器; 3)半导体激光器; 4)非线性光学和激光谱的应用; 5)相变和光折射器件; 相似文献
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6.
7.
报道了用五氟苯乙烯共聚甲基丙烯酸环氧丙酯(PFS-co-GMA)的聚合物材料制备的33×33信道热光(TO)可调谐的阵列波导光栅(AWG)。给出了器件的制作工艺流程和测试结果。测得器件的波长间隔为0.81nm,3dB带宽为0.35nm,串扰约为-20dB,中心输出信道和边缘输出信道的插入损耗分别为10.4dB和11.9dB,TO可调谐值为-0.12nm/K,在温度为10~65℃时的器件工作中心波长为1545.21~1551.81nm,调谐范围为6.6nm。 相似文献
8.
本文从程序设计角度介绍一种用于半导体器件模拟的二维三角形面元的自动产生方法,该方法简单易行,适于在开发器件模拟软件时采用。 相似文献
9.
本文报道了利用低压金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)技术,在(001)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs体材料及In_(1-x)Ga_xAs/InP量子阶结构材料的结果.对于TMG/TEIn源,In_(1-x)Ga_xAs材料的非故意掺杂载流子依匿为7.2×1016cm-3,最窄光致发光峰值半宽为18.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶结构材料测到±2级卫星峰;而对于TMG/TMIn源,非故意掺杂载流于浓度为3.1×10 ̄15cm ̄(-3),最窄光致发光峰值半宽为8.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶 相似文献
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