UV-LIGA深度光刻机平滑衍射技术研究

UV-LIGA深度光刻技术是加工微型机电系统的一项重要的微细加工技术。介绍了一种平滑衍射效应的位错强度叠加原理，它采用了蝇眼积分透镜去平滑衍射，并模拟数值计算了硅片表面的光强分布，最后给出了光刻结果。     

MEMS运动件的芯片外机械驱动方法

研究MEMS微结构的片外机械式驱动问题 ,介绍了在MEMS硅芯片背面贴合一块宏观尺度PZT片的驱动思想即PZT产生机械运动 ,在硅固定件与微运动件之间产生动量耦合 ,从而驱动微运动件。重点探讨脉冲驱动、振动驱动两大类基本驱动方法及其特点 ,介绍国外代表性研究结果 ,并提出对该方法进一步研究的观点与设想。     

国际微电子专用关键设备的现状和发展趋势（考察报告）

讲述了参观Ｓｅｍｉｃｏｎ／ｗｅｓｔ９４′展览会及考察美国和西德的５个公司、１所大学所了解到的投影光刻技术、电子束曝光技术、透镜面形测试技术的发展。     

MEMS运动件的芯片外机械驱动方法

研究MEMS微结构的片外机械式驱动问题,介绍了在MEMS硅芯片背面贴合一块宏观尺度PZT片的驱动思想即PZT产生机械运动,在硅固定件与微运动件之间产生动量耦合,从而驱动微运动件.重点探讨脉冲驱动、振动驱动两大类基本驱动方法及其特点,介绍国外代表性研究结果,并提出对该方法进一步研究的观点与设想.     

生物芯片扫描仪研究进展

简要介绍生物芯片的基本概念以及生物芯片检测装置的国内外发展动态;分别介绍了本文设计的CCD系统生物芯片检测仪和激光共聚焦生物芯片扫描仪的原理、结构、工作状况以及设备的技术参数。最后指出更高分辨率(小于1μm)的生物芯片扫描仪是该设备今后的发展趋势。     

软X射线光刻研究现状和发展

新的一代光刻设备朝着两个方向发展 ,一是趋向于大数值孔径、短波长 ;另一方面国际上正在寻求适应二十一世纪、小于 0 .1 5微米线宽的软 X射线投影光刻技术 ,预计成为下世纪制造千兆位以上超大规模集成电路的主要设备。软 X射线光刻及其应用研究是目前国际上非常活跃的高技术领域。把软 X射线光刻列为重要发展项目。本文摘要综述德国、美国、日本、俄罗斯等国近年来在软 X射线光刻关键单元技术及整机研究和发展方面的概况、预计下世纪初美国和日本将有软 X射线投影光刻机投入工艺生产线     

硅基光子晶体板的光刻和反应离子刻蚀

用光刻和反应离子刻蚀的方法对硅材料光子晶体板的制作进行了研究。实验发现,与激光 直写曝光相比,光刻曝光更有利于胶上图形的陡直度。扫描电子显微镜测试表明,反应离子刻蚀后得到深3.3μm,晶格周期10.95μm,占空比50%的孔状光子晶体板结构,孔的陡直度保持较好,基本满足设计要求。     

SU-8环氧树脂的分离实验研究

为分析和解决商业用SU-8胶在355 nm波长的吸收性和后烘缩胶等问题,先采用柱层析对SU-8环氧树脂进行分离,然后进一步用高压液相色谱-尺寸排阻色谱法对SU-8环氧树脂进行分离和分析。结果表明,SU-8环氧树脂包括SU-1,SU-2,SU-4,SU-6和SU-8多种组分及其它杂质,分子量分布在100-100 000的范围。根据分析结果,研究了上述问题出现的原因,并配制了性能优化的SU-8光刻胶,结合全息光刻技术制作了三维光子晶体。     

21世纪的光刻技术

当前世界半导体工业按照摩尔定律,以快速发展的势头向21世纪,光刻特征线宽越来越小,硅片直径越来越大,制造成本越来越高。到2000年0.18μm工艺、300mm硅片的技术将完全进入规模化大生产阶段。在不远的将来,微电子设备的发展将达到传统光学     

用光梯度场控制原子制做纳米点阵研究

提出制做纳米点阵的一种新方法。用波长为 4 2 5 .5 nm的光梯度场操纵铬原子可制做出阵列密度达 2 .2 1× 10 7per/ mm2、理论半高宽度 (FWH M)可达 10 nm的纳米点阵。介绍用光梯度场操纵原子制做纳米点阵的原理 ,对原子束的准直进行分析 ,给出原子束在激光梯度场中聚焦的经典模型和量子模型并进行数值模拟。用光操纵原子制做纳米点阵使器件的阵列密度和尖端曲率得到大幅度提高 ,该器件作为发射极可以降低工作电压和提高发射电流。