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设计一种低压共源共栅带隙基准源,具有结构简单、面积小、电源抑制比较高等特点。该电路采用CSMC 0.35um CMOS工艺,用Cadence中的Spectre仿真,输出电压为1.185V,在-40～125℃温度范围内,温度系数为6.9ppm,在1000Hz频率时电源抑制比为-70dB。 相似文献
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采用简化的对称势垒连续隧穿模型模拟复合分子线电子器件低偏压下电子隧穿过程,并由电子透射谱随垒宽、垒距、垒高及电子有效质量的变化规律推断低偏压下分子器件的电导规律.结果发现:随着势垒增宽或增高,分子器件的低偏压电导G明显变小;但是随着垒距或电子有效质量增大,则分子器件的低偏压电导G反而变大.这表明可以通过适当的控制方式(如改变复合分子组成、构型等)来修改分子电子器件的低偏压输运性质. 相似文献
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