基于AlN轮廓模式矩形盘谐振器的研究

介绍了一种微型化体声波谐振器的理论模型和实作结果,采用微电子和微机械加工技术,实现了一种上、下电极覆盖压电AlN的"三明治"空气腔悬梁结构。该谐振器具有微型化,高品质因数,低成本的特点,实作的谐振器频率约20MHz,品质因数为800,机电耦合系数约0.5%。     

CMOS门阵列电路用封装外壳的研制

介绍了一种用于封装万门至十万门级ＣＭＯＳ门阵列电路的ＰＣＡ１３２多层陶瓷外壳的研制。该外壳的设计采用了ＣＡＤ设计布线,模拟并优化外壳的信号线电阻、线间电容、电感及传输延迟等参数,使其满足电路要求。并且通过结构可靠性设计,使外壳抗机械冲击、温度冲击能力大大提高,满足了高可靠应用要求。     

S波段FBAR滤波器芯片的研制

采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片。该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化。在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空气腔制作等关键工艺技术,制备的4节FBAR滤波器中心频率为2 340MHz,3dB带宽为25MHz,中心插损为3.8dB,矩形系数达2.24∶1,输入、输出阻抗均为50Ω,芯片体积仅为1mm×1mm×0.3mm,该性能与同频率、同带宽的介质滤波器性能进行了对比,体积可缩小几千倍,矩形系数优于介质滤波器。     

高性能AlN薄膜体声波谐振器的研究

报道了一种空气隙型S波段薄膜体声波谐振器,该谐振器采用一维Mason模型进行仿真,电极材料选用Mo,压电薄膜材料选用AlN,通过对AlN薄膜制备条件的优化,得到了半高宽为3.32°的AlN压电薄膜,并用于研制薄膜体声波谐振器。测试结果表明,其串联谐振频率和并联谐振频率分别为2 185 MHz和2 217 MHz,有效机电耦合系数(kt2)为3.56%,在串联谐振频率和并联谐振频率处的品质因数(Q)值分别为1 571.89和586.62,kt2Q达到了55.96。根据实测结果提取了MBVD模型的参数,并将实测结果与MBVD拟合结果进行了对比,两者吻合得很好。     

1.8GHz AlN薄膜体声波谐振器的研制

提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究。采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟。给出了采用半导体加工工艺制备器件的工艺流程,并实际制做谐振器样品,样品的测试结果:器件的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp分别为1.781和1.794 GHz,相应的有效机电耦合系数为1.8%;串联谐振频率处和并联谐振频率处的Q值分别为308和246。该谐振器样品实际尺寸为0.45 mm×0.21 mm×0.5 mm,可以用来制备高性能的滤波器、双工器和低相噪射频振荡器等。     

一种高矩形平延时带通滤波器的设计

高性能微波通信系统对滤波器的性能要求越来越高.特别是在中频输出电路或脉冲调制系统中,为保证信号波形无畸变的输出,高矩形系数、带内平坦、平延时的滤波器受到相当重视.传统的滤波器不能满足要求,介绍了一种新型中频带通滤波器的设计,椭圆滤波电路级联时延均衡网络集成一体来实现滤波性能,具有高矩形、平延时的特点.可根据具体要求灵活设计均衡电路结构及节数,以补偿高矩形系数滤波电路的陡峭时延,工程实用化强,便于调试和制作,应用于幅度相位要求高的微波系统中,将极大地提高系统指标.     

一种新型具有陷波特性同轴介质带通滤波器

针对同轴介质滤波器有限传输零点不易实现的问题,介绍了一种新颖的带陷波特性的介质带通滤波器,由1/4波长的同轴介质谐振器相互耦合,并在任意入出端级联一段吸收网络组合优化而成。该网络在通带外边缘既产生了有限传输零点,又增加了滤波器节数,且可灵活设计零点的位置,对特定的频率进行吸收,具有易装配、易调试、工程实用化强的特点。实例制作的中心频率1.0 GHz、3 dB带宽约30 MHz,50 dB陷波频点975 MHz,仿真设计和实测结果吻合很好。     

基于AlN轮廓模式矩形盘谐振器的研究

介绍了一种微型化体声波谐振器的理论模型和实作结果,采用微电子和微机械加工技术,实现了一种上、下电极覆盖压电AlN的"三明治"空气腔悬梁结构。该谐振器具有微型化,高品质因数,低成本的特点,实作的谐振器频率约20MHz,品质因数为800,机电耦合系数约0.5%。