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1.
测量了Bi_4Ge_3O_(12)(BGO):Pr、Eu和Ce的吸收、激发和发光光谱。掺杂BGO吸收和激发带相应于pr~(3+)、Eu~(3+)和Ce~(3+)离子特征跃迁。Xe灯中不同波长激发所得到掺杂BGO的发光光谱可通过Bi~(3+)心和掺杂材料之间能量传输过程加以解释。Bi~(3+)心400—600mm发射强度因受到Ce杂质影响变弱,这现象在高Ce浓度晶体里更为显著。  相似文献   
2.
钨酸铅晶体生长及其组份挥发   总被引:16,自引:4,他引:12  
本文首次报道了用坩埚下降技术生长钨酸铜(PWO)晶体,研究了提拉和坩埚下降两种技术生长PWO晶体的组份挥发,得到的结果是PbO的挥发速率高于WO3,并对一组晶体不同部位的X射线发光性能作了研究。  相似文献   
3.
本文阐述了PbF2可用作闪烁晶体的许多优点,并对其发光性能的研究历史,特别是它在低温、相变和掺杂条件下的发光特征作了评述,报道了PbF2晶体发光性的最新研究进展,明确了目前存在的问题及今后应注意的几个研究方向。  相似文献   
4.
本文报导了用光声技术研究铁电陶瓷 Pb(Zr,Ti,Sn)O_3(PSZT),透明 PLZT 以及 Li_(1-x)Na_xNbO_3(LNN)的相变,清楚地揭示了这些陶瓷所呈现的不同相变特性以及相变点随组分的变化,与某些常规研究方法相比较,显示了在相变点附近,光声信号的幅度和相位的变化非常灵敏。并用热力学解释了实验结果。  相似文献   
5.
BGO晶体的热释光效应及光损伤后晶体的恢复   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文介绍 BGO 晶体的热释光效应,BGO 大单晶光损伤后恢复的实验。BGO 晶体热释光曲线的次峰位温度约在200℃,光伤后的 BGO 大单晶一般通过200~250℃保温5~7h 的热处理就能使晶体完全恢复。  相似文献   
6.
大尺寸Y:PbWO4晶体的坩埚下降法生长与光学均匀性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了大尺寸Y:PbWO4晶体的坩埚下降法生长工艺,讨论了影响晶体生长的主要因素.探讨了消除晶体开裂、抑制晶体组分过冷的工艺措施,成功地生长出无宏观缺陷的大尺寸Y:PbWO4晶体,尺寸达52mm×52mm×250mm.同时,对实验样品沿晶体生长方向不同部位的横向透过率及发射光谱进行了测试,结果表明,坩埚下降法生长的大尺寸Y:PbWO4晶体具有较好的光学均匀性.  相似文献   
7.
以X射线荧光光谱分析为手段,测试了用Bridgman方法生长的PbF2:Gd晶体中Gd离子沿生长方向的分布.发现该晶体在X射线激发下的发光强度与Gd在PbF2晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低,表明PbF2:Gd晶体的发光是不均匀的,这种不均匀性源于Gd离子在PbF2晶体中的分布不均匀性.通过在PbF2:Gd晶体中掺入一定量的碱金属离子,可以比较有效地改善Gd离子在PbF2晶体中的不均匀分布,使晶体的发光均匀性和透光率得到明显提高,其中以Na离子的均匀化效果为最好.推测Na离子的作用是消除了PbF2:Gd晶体中因Gd离子的掺杂而造成的间隙F离子,从而使晶体中的缺陷浓度大大降低.  相似文献   
8.
通过对下降法生长的全尺寸钨酸铅(PbWO4)晶体沿长轴方向不同点的透过率和光产额的测量、分段晶体的透过率和光产额的测量,研究了钨酸铅晶体的发光均匀性及其影响因素.结果表明:钨酸铅晶体发光均匀性主要由生长后期的钨酸铅晶体质量所决定,采用晶种为大头的加工取向有利于提高钨酸铅晶体的发光均匀性.  相似文献   
9.
PMN-PT单晶与陶瓷在性能及相变方面的特点   总被引:5,自引:0,他引:5  
着重介绍了用Bridgman方法生长的(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT)固溶体单昌在介电,压电、热释电性能及相应方面的一些特点;①异常高的电常数d33(高达3000pC/N以上),耦合系数kg(在0.6以上),k33(达0.90),高的介电常数ε(高达500甚至更高),低的Qm值(约60),热释电系数也较高。②强烈的各向异性。③随着PT含量的增加,系统的弛豫行为逐渐减弱,在x=0.33时,材料在室温下成为正常铁电体,但PE-FE相变并非正常铁电相变,表现在T>Tm时,ε-T关系不遵守居里-包斯定律,而是遵守Smolenskii的关系。该相变也明显地与弥散相变不同,这种行为可用无场的观点加以解释。  相似文献   
10.
低温烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处.提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用,解释了材料ε~T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象.根据给出的合体深能级的等效电路模型,计算机拟合结果与实验数据基本相符.  相似文献   
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