不同倾角贯穿节理类岩石试件峰后变形破坏试验研究

用微机控制高刚度伺服试验机,开展预制贯穿节理类岩石试件的单轴压缩试验,系统研究贯穿节理类岩石试件峰后应力-应变曲线、破坏形式、峰后残余强度、峰后视泊松比等与裂隙倾角之间的关系。试验发现：(1)节理倾角为15°时,峰后的应力-应变曲线和完整试件的基本相同,当节理倾角为30°,40°,50°,60°时,峰后应力-应变曲线与完整试件的差别很大;(2)峰值强度随着节理倾角的增大而减小,峰后的残余强度也大致上随节理倾角增大而减小;(3)随着节理倾角的增大,含节理试件的泊松比也随之增大,而峰值强度后破坏阶段的视泊松比则随之变小;(4)试件峰后破坏模式随节理倾角的变化而不同,在倾角为15°时为劈裂破坏,倾角为50°,60°时为剪切破坏,倾角为30°,40°时为劈裂和剪切破坏的混合模式。研究成果可以反映含单组全贯穿节理类岩石材料的加载破坏峰后力学和变形破坏特性。     

麦尔兹石灰窑悬挂缸耐火材料的技术改进

从结构和原材料分析华塑公司3座麦尔兹石灰窑悬挂缸浇注料脱落的原因,提出了技术改进方案,介绍了具体处理措施及改进后的效果。     

氨基改性蠕虫型介孔SiO_2吸附CO_2性能的研究

采用D2000为模板剂,TEOS为硅源,在中性的条件下合成了具有较大孔径的蠕虫型介孔SiO2(MSU-J),并采用四乙烯五胺(TEPA)通过物理浸渍的方法制备不同质量分数的TEPA改性的MSU-J,得到具有高吸附量的CO2吸附剂。利用FT-IR,N2吸附/脱附及TG对所制备的样品进行表征。CO2的吸附试验是在不同氨基质量分数(20%,30%,50%,70%)以及不同温度下测试。吸附实验表明,浸渍TEPA后,吸附剂由单纯的物理吸附转变为以氨基为活性中心的化学吸附,且随着TEPA浸渍含量的增加吸附量先增加后降低,当TEPA负载量(质量分数)为50%时,吸附量可达到164.3 mg/g。温度对吸附剂的吸附性能也有一定的影响,最佳的吸附温度为25℃,这与吸附机理有关,随着温度的升高,反应向解吸附方向移动。循环性试验表明,所制备的吸附剂具有良好的循环性能,材料重复使用6次,对CO2吸附性能只有少量的下降,这可能是由于TEPA的挥发或者部分分解引起的。     

高性能锂离子电池用Ni2Si纳米线阵列

采用化学气相沉积方法制备了镍硅合金(Ni2Si)纳米线阵列,研究分析了纳米线阵列的形貌随反应气氛的变化。该材料用作锂电池负极材料,显示出了优良的循环性能,有潜在的应用价值。     

背电极花样对单晶硅太阳电池机械性能的影响

用三点弯方法研究了3种不同背电极花样的单晶硅太阳电池前后主电极附近以及铝背场和细栅区域的机械性能,初步探讨了背电极花样对断裂强度的影响。研究表明:背电极花样对太阳电池的断裂强度有明显影响,通过改进背电极花样能够有效提高太阳电池的机械性能,降低其破碎率。     

Room-temperature electroluminescence of p-ZnxMg（1-x）O：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode

p-ZnxMg1-xO：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode （LED） was produced on n-ZnO （0001） single-crystal substrate using pulsed laser deposition. The realization of band gap engineering was achieved by the incor-poration of Mg in ZnO layers and was confirmed by photoluminescence spectrum. The p-type ZnxMg1-xO：Na film with low resistance was obtained at 500 ℃ and in which, Na has taken effect evidenced by Hall and X-ray photo-electron spectroscopy measurements. The current-voltage curve of LED showed a rectifying behavior and obvious electroluminescence was realized by feeding a direct current up to 40 mA. Furthermore, its structural and electric characters are discussed as well.     

矾土—尖晶石质自流浇注料的研究和应用

叙述了矾土－尖晶石质自流浇注料的研究结果，认为：（1）临界粒度对矾土－尖晶石质自流浇注料的自流值影响较大；（2）在保证流动性的前提下，尽量减少结合水泥的加入量，以提高耐火材料的高温性能；（3）采用复合减水剂，可有效提高流动性；（4）适量的延迟硬化剂可调节硬化时间，降低矾土－尖晶石质自流浇注料的气孔率、提高其强度。     

退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响

研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的ZnO薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在640℃的应力松弛温度(SRT)下,ZnO薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时ZnO薄膜的结晶性能最优.     

氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化

研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化,利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显微镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于1100℃的条件下,氮气才能与硅表面发生反应,生成氮化硅(Si3N4)薄膜,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应,生成二氧化硅(SiO2)薄膜.     

晶体硅中的铁沉淀规律

研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经110 0℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响.红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低,而且其尺寸较大;在铸造多晶硅中,铁易在晶界上沉淀,沉淀规律也依赖于冷却速度.表面光电压仪测试结果表明:无论在直拉单晶硅材料中还是在铸造多晶硅材料中,快冷形成的铁沉淀对少数载流子扩散长度影响更大.实验结果可以用铁沉淀生成的热力学和动力学规律解释