电子封装用W/Cu复合材料的特性、制备及研究进展

微电子工业的迅速发展对封装材料的综合性能提出了更为严格的要求.针对封装材料的发展趋势,阐述了以W/Cu作为封装材料所应具备的性能要求及其制备技术,并对其发展方向进行了展望.     

WCu合金钨“网络”骨架的制备及其组织结构分析

在自制的设备上,通过化学镀正交试验法获得最佳的铜包覆钨复合粉末,再制成钨网络骨架,用类注射成型法也制得钨网络骨架,采用SEM与XRD手段与传统钨骨架制备技术进行了对比,结果表明:化学镀包覆粉和类注射法能够获得孔隙均匀、数量可控的钨网络骨架。而且影响钨粉化学镀包覆铜的因素较多,特别是钨粉粒径存在一最佳的尺度范围。     

电子封装用W／Cu复合材料的特性、制备及研究进展

微电子工业的迅速发展对封装材料的综合性能提出了更为严格的要求。针对封装材料的发展趋势，阐述了以W／Cu作为封装材料所应具备的性能要求及其制备技术，并对其发展方向进行了展望。     

Cu包覆W粉体的制备工艺及表征

在自制的设备上针对不同粒度的钨粉采用化学镀制备铜包覆钨粉末,用扫描电子显微镜、能谱仪和X射线衍射仪研究包覆粉末的形貌、成分和物象组成。结果表明,镀层均匀,镀层厚度达到0.45μm。钨粉表面化学镀铜的最佳工艺为:五水硫酸铜20 g/L;酒石酸钾钠13.6 g/L;乙二胺四乙酸二钠27.3 g/L;甲醛15 ml/L;pH=12;温度约60℃、钨粉粒径10μm。