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类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制 总被引:6,自引:0,他引:6
采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm^2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。 相似文献
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有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装 总被引:4,自引:0,他引:4
利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20—180℃的基板温度范围和10—30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和Si/N比相应增加,而沉积速率和H含量相应减少;随着射频功率的增加,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si/N比相应增加,而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件(OLED)的封装。 相似文献
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PSA技术与医用分子筛制氧设备 总被引:4,自引:0,他引:4
从PSA技术制服氧气的机理和特点出发,阐述了用这种技术制取的氧气可作为医用氧气的理论依据,并简介了我所PSA医用分子筛制备氧设备的工艺流程及其使用性能。 相似文献
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低能Ar+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜 总被引:3,自引:0,他引:3
采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析. 相似文献
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烧蚀产物ZrO2 对ZrC改性C/C复合材料烧蚀的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
采用ZrOCl2溶液浸渍法把含锆组元引入碳纤维预制体,结合热梯度化学气相渗透、高温石墨化工艺制备了ZrC改性C/C复合材料. 用氧乙炔烧蚀测试材料的烧蚀性能,XRD测试材料烧蚀前后的物相组成,采用SEM观察材料的微观形貌. 烧蚀结果表明:随着烧蚀次数的增加,若每次烧蚀后不去除ZrO2,材料的线、质量烧蚀率呈先增加后减小的趋势,最后趋于稳定;若每次烧蚀后去除ZrO2,材料的线、质量烧蚀率均呈增大的趋势. 产物ZrO2的蒸发吸收了材料烧蚀表面的热量,减缓了火焰对烧蚀表面的冲蚀,材料的线烧蚀率减小,然而,ZrO2的蒸发会增加材料的质量损失速度,导致材料的质量烧蚀率增大. 相似文献