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1.
ZnO薄膜应用的最新研究进展   总被引:28,自引:3,他引:25  
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。详细介绍了ZnO薄膜在太阳能电池、表面声波器件、气敏元件、压敏器件等领域的应用以及在紫外探测器、LED、LD等潜在应用领域研究开发的最新进展。  相似文献
2.
ZnO薄膜生长技术的最新研究进展   总被引:9,自引:3,他引:6  
汪雷 《材料导报》2002,16(9):33-36
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族半导体材料,目前已研究了开发了许多ZnO薄膜的生长技术,其中,磁控溅射,喷雾热分解,分子束外延,激光脉冲沉积,金属有机物化学气相外延等沉积技术得到了有效应用;而一些新的工艺方法,如溶胶-凝胶,原子层外延,化学浴沉积,离子吸附成膜,离子束辅助沉积,薄膜氧化等也进行了深入研究,详细阐述了ZnO薄膜生长技术的最新研究进展。  相似文献
3.
ZnO薄膜的晶体性能的分析   总被引:7,自引:2,他引:5  
在硅基上制备了c轴取向高度一致的ZnO薄膜,这将有可能成为新型GaN单晶薄膜的过渡层,对ZnO薄膜的晶体性能了进行了分析,研究了不同衬底和不同衬底温度对ZnO薄膜的结晶状况的影响,并着重用TEM研究了硅基ZnO薄膜的晶体性能。  相似文献
4.
直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料,对短波长的光电 子器件如UV探测器,LED和LD有着巨大的潜在应用。本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,薄膜呈柱状结构,晶粒大小约为100nm,晶粒内为结晶性能完整的单晶,但晶粒在C轴方向存在较大的张应力。ZnO薄膜在He-Cd激光器激发下有较强的紫外荧光发射,应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动,提高衬底温度有利于降低应力和抑制深能级的绿光发射。  相似文献
5.
溶胶-凝胶法制备硼酸镁纳米棒   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
以硝酸镁、硼酸、柠檬酸为原料,利用溶胶-凝胶法及不同温度后续煅烧制备了硼酸镁(MgB4O7和Mg2B2O5)纳米棒.用X射线衍射(XRD)分析了纳米棒的结构,用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察了纳米棒的形貌.实验结果表明,750℃煅烧产物为MgB4O7纳米棒,950℃煅烧产物为Mg2B2O5纳米棒,纳米棒的径长比可以通过调节原料硝酸镁和硼酸的比例来控制.用自催化机理解释了硼酸镁纳米棒的生长机理.  相似文献
6.
直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,生长气氛为NH3 O2 中。利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究 ,结果表明 ,ZnO薄膜为高度c轴取向 ,在 5 0 0℃的衬底温度下具有很好的结晶性能 ,而且 ,该温度下ZnO还实现了p型转变 ,电阻率为 10 3 Ω·cm ,载流子浓度 10 15cm-3 ,Hall迁移率 3 4cm2 / (V·s)。这是利用溅射技术首次制备出p ZnO薄膜。实验还表明p ZnO薄膜在可见光区域具有 90 %的高透射率 ,室温下光学带宽约为 3 2 1eV。  相似文献
7.
一维硅纳米材料的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
作为微电子领域最重要的半导体材料,硅的一维纳米结构在器件组装、纳米尺寸磁性器件、光电子等领域具有重要的作用,已经成为国际上材料科学研究的一个热点.从制备方法、应用前景等方面综述了国际上关于纳米硅丝和纳米硅管的研究进展,并提出今后的研究方向.  相似文献
8.
硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
汪雷  王学森 《真空科学与技术》2002,22(2):104-106,111
利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(100)表面生长Si,Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明:Si在Si(100)表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si(100)表面生长形成规则的三维小岛,而在Si/Ge/Si(100)多层膜上生长则形成大小二种三维岛,研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构。  相似文献
9.
硅基LiNbO3薄膜的微结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用透射电子显微镜及X射线衍射,研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构.结果表明,在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下,在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜,为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体,本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理.  相似文献
10.
ZnO薄膜的晶体性能的分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在硅基上制备出了c轴取向高度一致的ZnO薄膜 ,这将有可能成为新型GaN单晶薄膜的过渡层。对ZnO薄膜的晶体性能进行了分析 ,研究不同衬底和不同衬底温度对ZnO薄膜的结晶状况的影响 ,并着重用TEM研究了硅基ZnO薄膜的晶体性能。  相似文献
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