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1.
RDRAM模块是一种PCB级堆叠封装的存贮器件,由于其特殊的封装结构,返修时很容易散架而造成报废,本文的目的主要是探讨适合RDRAM模块返修的经济有效的方法。在本文设计的返修方法中,我们采用了一种自制的双层结构的热风吹嘴,改变了以往返修方法“自上而下”的导热路径,直接将热风传送至RDRAM器件与PCB主板之间的界面上,从而实现RDRAM模块的返修,避免其散架问题。研究结果表明,这种返修方法可以大幅提升RDRAM模块的返修成功率,是可行的。  相似文献   
2.
采用间接耦合的方法对BGA(Ball Grid Array)器件ZX2101的回流过程进行有限元模拟,得出回流结束后BGA器件整体、PCB以及芯片基板的温度分布,同时仿真分析了焊球阵列部分的温度分布随时间变化的情况,据此得到回流结束后PCB与芯片基板的变形。在设定的温度边界条件下,得到了四点回流曲线,模拟结果与实测结果相吻合。  相似文献   
3.
为了提高球栅阵列焊点封装器件的自组装成品率,研究了焊点体积偏差率及焊盘直径对器件自组装成品率的影响。考虑封装器件的温度翘曲变形、焊点体积的不可避免的制造误差及焊点位置的随机性,分析了器件自组装过程。通过求解不同体积焊点的形态,得到了不同体积焊点的液桥刚度曲线。基于不同体积焊点的液桥刚度曲线,仿真分析了焊点体积偏差率及焊盘直径对器件自组装成品率的影响。结果表明,焊点体积偏差率及焊盘直径的减小会增大焊点液桥刚度曲线的公共范围,从而提高器件的自组装成品率。  相似文献   
4.
在狭长光滑平行板间形成的体积恒定的液桥,随着两板间距的变化,液固界面宽度受平板长度方向的边界约束保持不变,但液桥会沿着平板长度方向自由地伸长缩短,这必将引起液桥形态参数的变化,进而使液桥的受力发生变化。该文考虑细长液桥轮廓的边缘效应,建立液桥的拟三维受力模型。在液桥体积恒定的条件约束下,根据其细长形态特征利用高效的方法求解液桥形态微分方程。最后,该文研究平行板间距变化引起的接触角、长度、宽度等液桥形态参数的变化与液桥受力变化之间的联系,并将计算结果与Surface Evolver的仿真结果进行对比,证明该文所述方法的正确性和实用性。  相似文献   
5.
印制电路板的散热效果直接影响高频多功能电子产品的可靠性。基于混压高频子板的多层印制电路板,其散热性能受到设计、制造材料与工艺的限制。本文简述了大功率元器件引发高频混压多层板的热问题,探讨了高频混压多层板散热方法及其局限,提出改善高频混压多层板散热性能的有效方法。  相似文献   
6.
为了寻找BGA焊点体积、焊盘尺寸及焊点节距之间的最佳匹配关系以提高焊接成品率,研究了焊点形态对焊接高度的影响。通过Runge-Kutta方法求解带体积约束的Young-Laplace方程,仿真分析了特定节距下焊点体积与焊盘尺寸对焊接效果的影响。结果表明,焊点体积的变化会使得整个焊点高度与承载力的关系曲线向左或者向右平移,而焊盘直径则对焊点的最大高度影响更加明显。需要同时改变焊点体积及焊盘直径以得到能够适应相应封装形式的翘曲变形。最后,按照中兴通讯股份有限公司某封装的0.4mm节距BGA的标准,分析了0.35mm节距及0.3mm节距BGA封装下焊点体积与焊盘直径的最佳匹配关系。  相似文献   
7.
电子封装用纳米导电胶的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
在微电子封装领域纳米导电胶越来越引人注目,因为与传统导电胶相比纳米导电胶具有特殊的电性能和力学性能。目前纳米导电胶的研究涉及采用纳米颗粒、纳米线和碳纳米管等作为导电填料制备高性能导电胶,以及采用自组装单分子膜(SAMs)技术改性各项异性导电胶互连中金属填料和金属焊盘的界面来提高互连接头电性能。概述了近年来纳米导电胶的研究进展。  相似文献   
8.
目前电子产品正朝着高集成化、多功能及微型化方向不断发展。堆叠封装(PoP)作为一种新型3D封装技术,在兼容现有的标准表面贴装技术(SMT)的基础上能够实现不同集成电路在垂直方向上堆叠,从而能够提升封装密度,节省PCB板组装空间,缩短互连线路长度。该技术已从初期的低密度双层堆叠发展至当前的高密度多层堆叠,并在互连方式与塑封形式等封装结构及工艺上不断改进,以适应高性能电子产品的发展需求。通过对PoP上层与下层封装体结构及其封装工艺的近期研究成果进行综述,对比分析它们的各自特点与优势,并展望PoP未来发展趋势。  相似文献   
9.
再流焊接工艺作为SMT生产线上的核心工艺环节,其质量与效率的提高集中体现在再流焊温度曲线的优化与控制上。再流焊焊接工艺仿真与预测研究越来越受到关注。提出了再流焊焊接工艺仿真简化模型,将其应用于计算机辅助分析中,预测再流焊温度曲线,辅助工艺制定。  相似文献   
10.
将芯片简化为层合板,基于弹性力学的多层板弯曲理论,通过求解板弯曲微分方程,得到芯片在自由边界约束条件下的温度翘曲变形的解析表达式。该芯片翘曲变形表达式可以反映材料参数随温度的变化,为再流焊温度变化幅度较大的芯片翘曲分析提供了有效的快速计算方法。通过与有限元分析计算结果及实测结果的对比,表明理论计算结果基本符合实际情况,层合板简化模型近似程度可以满足工程预估分析的要求。  相似文献   
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