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X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析 总被引:1,自引:0,他引:1
X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中,掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素,如果控制不当,会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀,使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型,并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明:采用背面后烘方式,在达到稳态时出现高温区和低温区,最大温差为10.19℃,容易造成光刻胶局部烘烤过度,而采用正面后烘方式,掩模达到稳态的时间短,温度分布均匀,烘烤效果好。 相似文献
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介绍了一种由高性能空气循环冷却系统和以微处理器为核心的智能测控系统组成的新型电子吊舱微环境控制系统,该系统制冷性能优良,节能效果好,数据采集,存储,实时处理,控制,报警功能完全硬件化,实现了对吊舱微环境温度,温度,压力的综合可靠控制,其设计思想和方法可推广应用于其它航空,航天和地面复杂环境的控制。 相似文献
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对以SiNx为衬基的X射线光刻掩模在背面刻蚀过程中的形变进行数值仿真,研究了Si片和衬基的各种参数对掩模最大平面内形变和非平面形变的影响.结果表明,参数的变化明显影响最大非平面形变量.当Si片的厚度和直径增大,衬基的厚度和初始应力减小时,最大平面内形变与非平面形变减小,而衬基的材料对两者的影响不明显. 相似文献
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