排序方式: 共有28条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
在充分考虑电子枪栅极的工作环境后,对铪(Hf)栅极进行了800、900和1000℃的真空退火处理,对其组织、织构特点进行了分析,并利用离子束辅助沉积技术在Ba-W阴极表面分别沉积金属钼膜和铪膜,以模拟栅控行波管中钼栅极和铪栅极表面吸附阴极蒸发物质时的表面状态,测试了这两种栅极表面“热电子发射”能力和“二次电子发射”系数.结果表明,随着退火温度的升高,铪(Hf)栅极的结晶度、晶粒尺寸增加,织构减少,铪的最佳退火温度为900℃,铪栅极表面吸附的阴极发射物质要远少于钼栅极,用金属铪作栅极材料能有效抑制栅电子发射. 相似文献
2.
3.
利用自行研制的新型石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置进行轩金刚石薄膜的实验研究。用扫描电子显微镜(SEM)对形貌观察和喇曼谱测试表明,由此装置可以面积较大、晶体良好、杂质少、比较纯净的高质量金刚石薄膜。 相似文献
4.
基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。 相似文献
5.
利用自行研制的石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置,研究了硅基片的不同预处理方式对沉积结果的影响。通过扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,基片预处理能提高形核密度;用于预处理的金刚石研磨膏的粒度不同,影响金刚石薄膜沉积时的形核密度,晶形和薄膜的质量;表面划痕对沉积金刚石薄膜的影响具有双重性。 相似文献
6.
7.
利用发射光谱(Optical emission spectroscopy,OES)对感应耦合等离子体增强化学气相沉积(Inductivelycoupled plasma enhance chemical vapor d印osition,ICPECVD)类金刚石(Diamondlike carbon,DLC)膜过程中的各种基团进行分析,并对不同条件下薄膜沉积速率以及薄膜显微硬度进行测试.分析结果发现,感应耦合等离子体源激发甲烷等离子体中存在比较突出的碳氢离子成分,从而促进形成高硬度的DLC膜.而且射频功率、沉积气压等沉积参数的变化对DLC薄膜沉积过程的中性基团、离子基团以及原子氢等成分都有着明显影响,从而最终影响薄膜沉积过程及薄膜性质. 相似文献
8.
用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)制备金刚石薄膜涂层之前,采用盐酸、硝酸化学腐蚀和氢-氧等离子体对WC-Co硬质合金(YG6)基体表面进行去钴预处理。扫描电子显微镜形貌观察和X射线衍射谱分析都表明,与化学腐蚀方法相比,氢-氧等离子体处理具有独特的表面去钴效果,沉积金刚石薄膜的喇曼谱分析更证实其对涂层质量的改善,且对MWPCVD过程而言有其技术上的一些优越性。 相似文献
9.
Avarietyofmethodsforvacuumplasmadepositionofdiamond--likecarbon(DLC)filmshavebeenstudied.DLCfilmsaregrownonvarioussubstratesofpurehydrocarbonssuchasacetylene,methaneorbenzeneundertheconditionsoflowpressure(<3Pa)andnegativebiasofsubstratetomaximizethepositiveionfluxatthesubstrate[1].Dielectricbarrierdischarge(DBD)atatmosphericpressurehasbeenappliedbyS.P.Bugaevtoproducehydrogenatedamorphouscarbon(a-CfH)filmswithmethanedepositiongas[21.Thismethodisattractivebecauseitallowsfastd;positionofa-… 相似文献
10.
行波管阴极热子组件结构的热分析 总被引:3,自引:2,他引:1
本文分析了不同结构的阴极热子组件与其加热效率的关系.组件的加热效率受阴极支持筒侧面辐射的影响较大,支持筒直径与阴极基底直径相近时,组件加热效率高.并利用ANSYS软件对阴极热子组件进行了热模拟,计算了不同结构组件的温度分布.制备的阴极热子组件的温度试验,结果与计算机仿真在趋势上是一致的,从而为阴极热子组件的设计和优化提供了有力的理论依据和指导. 相似文献