无机填料对环氧模塑料导热和阻燃性能的影响

采用两种无机填料Si3N4和Al（OH）3复合填充环氧树脂制备了环氧模塑料（EMCs）,研究了两种填料用量及单独添加和复合添加对环氧模塑料导热性能和阻燃性能的影响。研究结果表明,单独添加Si3N4或A1（OH）3对环氧模塑料导热性能和阻燃性能的影响规律基本一致,即随着填料含量的增加,环氧模塑料的导热性能和阻燃性能均有不...     

ZnO-Al2O3-B2O3-SiO2系微晶玻璃结晶行为及对金刚石磨料的润湿性

为改良微晶玻璃结合剂,以熔融法制备锌铝硼硅系微晶玻璃,研究硼硅比和烧结工艺对其热学、力学性能,析晶行为,显微结构及对磨料的润湿性的影响。发现:硼含量增多,锌铝硼硅系玻璃的热膨胀系数升高、耐热性下降、抗弯强度先升高后降低;硼含量过高时,结合剂完全包覆磨料,不利于磨削加工。另一方面,硅含量增多,玻璃的黏度增大、对磨料的润湿性能变差;硅含量过高时,试样抗弯强度不足。ZABS系微晶玻璃的最佳配比w_B:w_Si=1:1。热处理工艺为710℃时保温2 h,得到的试样的热膨胀系数为5.132 7×10-6℃-1,抗弯强度达78 MPa,对磨料的润湿性好。      

电子浆料用玻璃的研究及发展趋势

随着微电子技术的快速发展,电子元器件日益向微型化、集成化以及高频化方向发展。电子浆料作为电子元器件的关键材料,发挥着越来越重要的作用。玻璃粘结剂是电子浆料的重要组成部分,在电子浆料中占据重要位置。通过介绍广泛应用于电子行业的Au、Ag、Cu、Al、Ni、Zn等电子浆料研究应用现状及其特点,总结了广泛应用于电子浆料的玻璃粘结剂的种类和特性,并重点讨论了玻璃粘结剂的性能对电子浆料研究应用的影响。最后,结合电子浆料用玻璃现状,介绍了电子浆料用玻璃的发展趋势。     

SONOS非易失性存储器件研究进展

随着半导体存储器件的小型化、微型化，传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大，对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近，基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件，以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展，并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。     

内嵌金属导热通道环氧模塑料导热性能与模拟

设计了垂直与水平两种导热结构，用高导热金属铜为填料在环氧模塑料（EMC）中进行填充，通过热模压法制备了样品。采用双热流计稳态法对样品导热系数进行了测试，采用ANSYS软件对EMC的热传导规律进行了模拟，并与实验结果进行比较分析。研究发现，随着铜填充量的增加，EMC的导热系数随之提高，填充量仅为25vol％时垂直导热结构试样导热系数高达104．62W／m·K。相同填充量下，垂直导热结构样品的导热系数远高于水平导热结构样品，垂直导热结构样品随着铜填充量的增加导热系数增加速度也明显快于水平导热结构样品，并出现明显的渗逾效应。模拟结果与实验结果符合较好。     

环氧模塑料中导热通道的构造与导热性能

以低密度聚乙烯(LDPE)为原料,添加不同含量的高导热氮化硅陶瓷颗粒和短切玻璃纤维,熔融挤出不同直径的Si3N4/LDPE杆料。采用热模压法制备了环氧模塑料(EMC)。研究了杆料直径、陶瓷填充量对EMC导热性能、介电性能的影响。结果表明:在相同填充量下,杆料直径越大,样品热导率越大;5mm含玻纤杆料φ(填充量)为40%,热导率高达2.1W/(m·K)。样品的εr随杆料填充量的增大而显著减小,φ5mm含玻纤杆料填充量为40%时降至最低,为3.25(1MHz)。     

无铅化微电子互连技术与导电胶

介绍了电子互连用导电胶（ECA）的组成和基本性能，综述了ECA在电学性能、力学性能和稳定性等方面的研究进展。随着世界范围内含铅材料的限制和禁止使用，电子制造过程中的无铅化已成为该领域的发展方向和必须面对的挑战。ECA是替代含铅钎料、实现微电子互连技术无铅化的重要发展方向。虽然目前ECA仍存在着电阻率偏高、易老化失效和电流通过能力偏低等问题，但是高性能树脂和新型导电填料的不断涌现，将为ECA性能的提高提供新的解决途径和方法。     

Ba_2Ti_9O_(20)基微波介质陶瓷的微观组织与微波介电性能

采用固相合成法,通过控制烧结温度和烧结时间,成功制备了单相Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷。采用XRD、SEM研究了Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的物相组成和微观结构,采用平行板谐振法测试了Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的微波介电性能。结果表明,单相Ba2Ti9O20微波介质陶瓷具有均匀一致的等轴晶,过高或过低的烧结温度将导致柱状BaTi4O9晶出现。1 360℃烧结4.5 h制备的Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷介电性能为:?r=39.53,Q?f=33 800 GHz,τf=1.68×10–6/℃。     

添加CaF2-YF3的AlN陶瓷的热导率

用CaF2和YF3做添加剂，在1750℃制备了热导率高于170W/m.K的的AlN陶瓷，并用XRD和SEM研究了AlN陶瓷在烧结过程中的相组成，微结构以及晶格参数的变化，并讨论了其对热导率的影响，研究发现，当使用CaF2-YF3做添加剂时，微结构差异对AlN陶瓷热导率的影响很小，AlN陶瓷的热导率主要由AlN晶格氧缺陷浓度决定，由于CaF2-YF3能有效降低AlN颗粒表面的氧含量，从而有利于获得高的热导率。     

燃烧合成长柱状Ybα-Sialon粉体

研究了各参数对燃烧合成长柱状Ybα-Sialon相组成及形貌的影响.结果表明,不同m,n值对燃烧产物相组成有很大影响.原料中Si3N4,AlN,NH4F的增加有利于Si的氮化,同时,Si3N4和NH4F的增加使α-Sialon晶粒由柱状转变为颗粒状.燃烧合成长柱状α-Sialon的形成过程是α-Sialon首先从Yb-Si-Al-O-N液相中形核析出,然后在适宜的生长条件下择优生长,发育成长柱状晶体.