流化床对撞式气流粉碎制备SiC超微粉

采用流化床对撞式气流粉碎(QLM-80K)对工业用SiC粉体进行超微化处理，考察了工作压力对超微化的影响；并采用激光粒度分布仪、扫描电镜、XRD对超微化前后的SiC粉体进行粒度、形貌及结构的研究。研究结果表明：工作压力愈高，SiC粉体的超微化效果愈明显。工作压力为0．6MPa时，超微化前后SiC粉体的平均粒径由3．0lμm降至0．75μm，粒径小于2．5μm的比例由82．86％升至99．85％，粒径主要分布由0．4～1．5μm和8～23μm的双峰分布变为0．4～1．2μm的单峰分布，分布宽度从25．125降到0．833；颗粒主要以片状、小块状存在，分布均匀，超微化前存在的大块状颗粒基本消失，团聚现象明显减少；超微化前后SiC粉体的晶型都属于α-SiC(6H)，超微化后各主要衍射峰的强度减弱、半高宽有所宽化。     

粉体超微化对碳化硅陶瓷显微结构的影响

研究了粉体超微化后碳化硅陶瓷材料显微结构的变化特征 ,分析了超微化处理对碳化硅陶瓷烧结过程及显微结构的影响机理。经超微化处理后 ,粉体颗粒尺寸减小 ,分布范围变窄 ,硬团聚解聚 ,颗粒形状均匀分布 ;素坯均匀性提高 ,坯体烧结温度降低 ,促进了坯体烧结过程 ;陶瓷材料表面显微结构缺陷明显减少 ,获得了理想的显微结构和良好的力学性能