WLED用单基质硅酸盐荧光粉的制备及性能研究

采用溶液-燃烧法制备了Ca2MgSi2O7白光LED用荧光粉,探讨了溶液-燃烧法制备样品的工艺参数并分别对单掺Eu3+和三掺Eu3+,Ce3+,Tb3+在不同浓度下的荧光性能进行分析。通过同等条件下荧光光谱的对比分析发现单掺Eu3+离子,掺杂浓度为金属离子浓度的1%时荧光强度最强;三掺Eu3+,Ce3+,Tb3+的物质的量比为1∶1.5∶1时样品荧光强度最强。     

高层建筑地下室上浮变形特征及处置措施研究

以神华准能办公大楼地下室上浮整治为工程背景,通过现场监测、试验等手段对办公楼地下室上浮变形特征、整治设计参数进行分析,提出泄水降压+抗浮锚杆综合整治的工程措施,详细介绍了抗浮整治过程。该地下室上浮属施工控制不当导致力学条件失衡,从而引起结构构件工后失效,变形特征主要表现为地下室梁、柱节点处产生水平裂缝、墙体产生45°斜向裂缝,柱体节点产生明显压曲现象。此类工程仅仅依靠泄水降压并不能够彻底地整治,需结合抗浮锚杆等主动措施。抗浮设计时通过设置监测井确定抗浮水位、采用抗拔试验确定锚固体与土层的粘结强度标准值,保证设计参数的合理性。对于类似地下室上浮工程,采用泄水降压+抗浮锚杆措施,工艺简单,经济性好,整治效果显著。     

用密封超高真空系统对GaAs进行反应离子束蚀刻和表面清洁处理

近年来,在光电集成电路(OEIC)及高速电子集成电路的微加工中,对GaAs及有关的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导休的干法蚀刻已进行了广泛的研究。因为蚀刻区域要求具有光学或电子学的功能,就需要一种能精确地控制蚀刻速率和蚀刻断面形状的无损伤和无污染的镜面光滑的蚀刻工艺技术。这个方法特别针对OEIC微加工和表面清洁处理的目标,解决激光二极管的微型化和集成化,进行密封清洗的蚀刻处理,并“实地”地进行金属化和纯化处理。本文报导了GaAs和AlGaAs反应离子蚀刻(RIBE)和原子团束清洗(RIC)的主要实验结果及蚀刻引入的损伤     

电泳淀积图形化碳纳米管场发射阴极及其场发射特性研究

基于电泳和半导体工艺,制备了图形化的碳纳米管场发射阴极。用较高的电场激活碳纳米管薄膜,使得碳纳米管的场发射特性有了很大的改善,讨论了这一激活过程的物理机制。研究表明,这一激活过程可能的物理机制一方面是由于碳纳米管薄膜表面形貌发生了变化,增大了碳纳米管的场增强因子;另一方面是由于碳纳米管表面吸附的气体脱附,降低了碳纳米管的表面功函数。电场激活处理后,碳纳米管薄膜的开启电场为2.1 V/μm,应用电场为6 V/μm时,电流密度达到1.19mA/cm2。该图形化的碳纳米管场发射阴极可以应用到高分辨率场发射显示器。