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1.
通过结构解析, 建立了ABO3型钛铁矿的容差因子计算公式以评估结构的稳定性, 经过分析具有钛铁矿结构的MgTiO3、NiTiO3、CoTiO3、ZnTiO3以及(Zn1-x, Mx )TiO3(M为Mg、Ni、Co)复合钛铁矿的稳定性, 验证了容差因子公式的合理性; 通过对已发现的具ABO3型钛铁矿结构的化合物的统计分析, 提出形成稳定钛铁矿结构的经验容差因子范围和经验电负性差值, 即: t>0.80, e>1.465.  相似文献   
2.
在传统工艺基础上,对V2O5/Sb2O3混合粉体先进行热处理,然后以热处理产物为主要掺杂剂,在950℃合成了显微结构均匀、相对密度98%以上、α大于50的ZnVSb系多元压敏电阻陶瓷材料。并研究了V2O5/Sb2O3预合成粉含量对材料显微结构和性能的影响。结果表明:V2O5/Sb2O3预合成粉含量升高,增大了晶界受主态密度,提高了材料的晶界势垒,使材料在压敏电压升高的同时,非线性系数得到改善。  相似文献   
3.
通过固相烧结法结合半化学法制备了ZnO-(1-x)TiO2-xSnO2(x=0.04~0.20)陶瓷,掺杂1.0%3V2O5(质量分数)-B2O3降低陶瓷的烧结温度,研究了B位取代对ZnTiO3相结构及介电性能的影响。结果表明,Sn的加入促进了六方相分解,形成了立方尖晶石结构的固溶相Zn2(Ti1-xSnx)O4;随烧结温度升高,Sn的固溶量增加,900℃时,最大固溶量为0.08 mol。900℃烧结试样,随x增加,其介电常数ε先增大后减小,而介电损耗tanδ恰好相反,先减小后增大,当x=0.12时,得到ε的最大值(ε=29)和tanδ的最小值(tanδ=9.86×10-5)。900℃烧结的具有优良介电性能的ZnO-(1-x)TiO2-xSnO2(x=0.04~0.20)陶瓷有很好的实际应用前景。  相似文献   
4.
对钼尾矿粉进行活化处理,掺加硅酸盐水泥及外加剂制备复合胶凝材料,采用化学发泡工艺制备了40%钼尾矿粉掺量水泥基保温板。研究了钼尾矿粉掺量对泡沫混凝土的干密度、抗压强度和导热系数的影响,利用Image Pro Plus软件分析了孔径大小及分布,探讨了泡沫混凝土孔径大小及孔隙率对其导热系数的影响规律。  相似文献   
5.
低温烧结钒和钨掺杂钛酸锌介电陶瓷的相转变   总被引:7,自引:1,他引:6  
采用化学法结合传统的氧化物固相烧结法制备钛酸锌陶瓷.研究了原料形态和掺杂V2O5和WO3对钛酸锌陶瓷相稳定性、显微组织以及低温烧结行为的影响,讨论了相转变机制和低温烧结机制.研究表明:以V2O5和WO3作为烧结助剂降低陶瓷的烧结温度,钛酸锌陶瓷的低温烧结行为对所选取的原料极为敏感,TiO2的活性对陶瓷低温烧结行为的影响大于ZnO.V2O5和WO3的掺入使钛酸锌陶瓷的烧结温度降至900℃以下,但同时降低了六方相ZnTiO3的分解温度;V2O5和WO3掺杂具有不同的烧结机制,前者主要是液相烧结机制,后者主要是固相反应烧结机制.掺杂导致的相分解和生成的异相降低了陶瓷的介电性能.  相似文献   
6.
通过化学法结合固相烧结技术制备了(Zn,Mg)TiO3(简称ZMT)陶瓷,掺杂V2O5降低陶瓷的烧结温度,研究了V2O5掺杂ZMT陶瓷的低温烧结行为、相转变以及介电性能.结果表明化学法结合V2O5掺杂有效地将钛酸锌陶瓷烧结温度从1200~1300 ℃降至900℃以下;Mg的加入增强了六方相的热稳定性,扩展了六方相的稳定区间.V2O5掺杂ZMT陶瓷具有良好的介电性能,875℃烧结的ZMT陶瓷介电常数εr=22,介电损耗tanδ=5.7×10-4,是制备LTCCs(低温共烧陶瓷电容器)的优秀候选材料,具有很好的应用前景.  相似文献   
7.
PMN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用传统的氧化物混合烧结工艺制备了Pb(Mn1/3Nb2/3)x(Zn1/3Nb2/3)y(ZrzTi1z)1xyO3四元系压电陶瓷材料。研究了成分及预烧温度对该四元系材料组织结构与性能的影响规律。研究结果表明:随着Pb(Mn1/3Nb2/3)O3含量的增多,陶瓷的相结构由四方相转变为三方相,准同型相界位于0.025 PMN~0.075 PMN之间,且Pb(Mn1/3Nb2/3)O3增加至7.5 %(摩尔分数),可以同时提高机电耦合系数kp和机械品质因数Qm,使kp达到0.575,Qm达到1 621;提高预烧温度可以改善陶瓷的烧结特性,同时可以改善陶瓷的介电、压电性能。  相似文献   
8.
C02Z型高频软磁铁氧体材料的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
综述了近年来高频用软磁铁氧体材料Co2Z的研究进展,着重探讨了低温烧结和掺杂改性,并指出经过掺杂改性后的可低温烧结软磁铁氧体材料Co2Z在制造高频多层片式电感(MLCI)与吉赫兹频段抗电磁干扰元件(EMI)中具有很好的应用前景.  相似文献   
9.
偏振模色散已成为长距离高速光纤通信系统发展的主要障碍之一.主要从改进光纤本身PMD值、光域补偿、全阶PMD抑制等方面出发,探讨了偏振模色散的抑制措施的基本原理与实现方法.  相似文献   
10.
文章简要介绍了几种现代非线性优化算法,在两级偏振控制器和时延线级联补偿器结构的基础上,采用遗传算法作为偏振模色散(PMD)补偿中的反馈控制算法进行全局最优化,使偏振度(DOP)实现最大化,实现PMD补偿.文章对遗传算法在二阶PMD补偿中的应用进行了理论分析,并且设计了以TMS320C6711DSK为核心硬件的整套控制结构.  相似文献   
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