特高压主变充电导致直流周期性换相失败的原因（英文）

换相失败是直流输电系统逆变器最常见的故障之一,通常故障清除后直流系统可以恢复换相,周期性换相失败很少发生,过去国内从未出现过换相失败闭锁直流的情况。通过对林枫直流现场数据的深入分析,得出换相失败持续时间达到保护定值,保护正确动作;而励磁涌流引起枫泾站换流母线电压畸变、阀控VBE对已关断阀执行重触发以及换相失败恢复期间直流电流过冲等因素是导致林枫直流发生周期性换相失败的主要原因。在此基础上,基于电磁暂态程序建立了林枫直流输电研究模型,其中控制保护采用了与实际工程一致的详细模型,通过仿真研究提出了极控系统的改进措施:取消瞬时电流控制、优化换相失败预测和低压限流等功能,最后在林枫直流输电工程中进行了现场验证试验,试验结果验证了所提措施的有效性。     

应变测量仪的自校准电路设计及应用

为解决应变测量仪在使用分流法进行校准时存在的费时耗力效率低下、精度不足等问题,实现应变信号的高精度采集,研究并设计了低漂移、低噪声的自校准电路,程控配置采集通道和校准信号,拟合出采集信号和自校准信号之间的函数关系式,获取校准系数,对应变测量结果进行校正,有效降低应变测量的温度漂移误差和噪声误差,满足应变测量仪精度的指标要求。     

电解铜箔表面处理技术及添加剂研究进展EI北大核心CSCD

随着5G通讯、新能源汽车等高端产业的发展,对电解铜箔产品性能提出更高的要求。表面处理技术是铜箔生产中极为重要的一项工艺技术,是解决铜箔绿色环保生产和获得高性能电解铜箔的主要途径。本文从国内外铜箔研究现状出发,归纳了包含粗化、固化、合金化、钝化、硅烷化等工艺流程的表面处理技术,并对每道工序中电解液的成分以及电沉积的影响因素进行分类总结,综述了粗化工序中添加剂的分类及研究现状与技术进展,重点阐述了包括晶粒细化剂、整平剂、光亮剂、表面活性剂与无机盐等各添加剂的作用机理及其对铜箔组织形貌和性能变化的影响规律,展望了我国铜箔的发展方向,为我国自主开发高性能铜箔生产技术提供参考。     

脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(I_DS-V_GS)在评价中发生了严重正移。本文通过脉冲实验,模拟GOA关键器件M2的实际工作环境,重现了转移特性曲线严重正移的不良现象。通过设置不同的脉冲实验,揭示了造成不良的主要影响因素：M2器件关闭时,漏极与源极之间的压差V_DS过大,使IGZO膜层内的氧空位V_O⁺在电场作用下同时向IGZO与GI(Gate Insulator)的边界及源极端迁移,由于氧空位V_O⁺对电子的捕获作用,最终导致转移特性曲线发生正移,并发现迁移的氧空位V_O⁺经过加热后可以复原。此外,在不改变IGZO成膜条件下,通过减小M2器件关闭时的V_DS压差,...     

LF6铝合金搅拌摩擦焊焊缝中S曲线对接头拉伸性能的影响

在铝合金搅拌摩擦焊中,当焊接规范参数选取不当时,焊缝中会出现一种S形曲线。采用圆柱右螺纹搅拌头,对铣去对接面氧化膜和不铣去对接面氧化膜的试样分别进行搅拌摩擦焊试验,研究焊缝中S线对接头性能的影响。结果表明:焊缝中的S线对接头的拉伸性能有影响。含有S线的试样沿焊缝上的S线断裂,断面呈"S"状;焊缝中无S线的试样在焊核中断裂,断面呈45°。焊缝中的S线使接头的强度下降。     

大果木姜子挥发油的提取工艺优化、成分分析及抗氧化活性

为研究大果木姜子挥发油的最优提取工艺及其成分组成和抗氧化活性,以大果木姜子挥发油得率为指标,在单因素实验基础上,采用响应面法对提取工艺进行优化;采用气相色谱-质谱法（GC-MS）分析挥发油的组成;运用清除DPPH·试验初步评价大果木姜子挥发油的体外抗氧化活性。结果表明,最佳提取工艺为浸泡时间5 h,料液比1:5 g/mL,提取时间8 h,在上述条件下,实际得率为10.67%。从大果木姜子挥发油中鉴定出74个成分,占挥发油总量的93.175%,其中相对含量高于3%的分别为1,8-桉叶素（21.854%）、正癸酸（12.893%）、β-蒎烯（4.873%）、对伞花烃（4.579%）、α-蒎烯（4.452%）、月桂酸（3.734%）、α-萜品烯醇（3.188%）;大果木姜子挥发油抗氧化活性随着浓度的增加而逐渐升高,当浓度在1.0~6.0 mg/mL范围内时,最高清除率为92.94%。优化的工艺适用于大果木姜子挥发油的提取,大果木姜子挥发油中含有多种成分,其中以萜类、烃类及酸类成分为主,抗氧化结果提示其具有一定的体外抗氧化能力。     

ECCP干法刻蚀条件下的TFT基板绝缘层过孔腐蚀的改善

过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O_2/SF_6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数。结果表明:ECCP模式下,氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷,是诱发过孔腐蚀的主要因素,ICP模式无腐蚀。反应腔压力增大刻蚀速率增大,均一性下降;偏置射频功率增大,速率增大,均一性提高;源极射频功率增大,速率变化小,均一性下降;O_2/SF_6气体比例对速率影响小,O_2含量越高,均一性越高。为达到PR胶保护GI下沿截面的目的,反应压力增大到1.7Pa,偏置射频功率减小到30kW,源极功率增加到30kW,O_2/SF_6气体保持比例1∶1后,增加了氮化硅的刻蚀量,减小PR胶的内缩量,避免物理溅射表面损伤;同时刻蚀速率达到750nm/s,均一性达到10%,腐蚀发生率为10%～0,使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决。     

楔形刃切削具及其保锐性能

一、保锐现象及其特殊意义我们曾用两种楔形刃硬质合金片(T408和C120)镶焊φ82mm绳索取心钻头(主要用作掏槽刃,也用作扩槽刃)。使用时发现,这类切削具在钻进软和中硬     

虚拟仿真技术在GMP实训教学中的应用

《药品生产质量管理规范》(GMP)课程是高校培养药学及中药学类专业应用型人才重要的专业基础课程之一。但由于GMP教学内容涉及药品生产的多个环节和较多设备及人员管理,GMP实训教学因场地、设备、安全等因素实际很难开展。为了有效开展GMP实训教学,本文对虚拟仿真技术在GMP实训教学中的应用进行了相关探讨。