光固化氮化硅陶瓷烧结致密化的机理研究

采用电场辅助烧结技术结合低熔点的烧结助剂,成功制备出致密的光固化氮化硅陶瓷.利用光固化增材制造技术成形的生坯具有粉末装载量低、孔隙率高的特性,调节烧结过程中烧结温度、保温时间等工艺参数可以有效地提高试样的致密度.在烧结致密化过程中,不同的应力指数n代表不同的致密化机理,通过简化后的烧结动力学模型,计算出所有试样的应力指...     

铝基波纹表面结霜特性实验研究

本文针对铝基波纹翅片换热器广泛应用及结霜问题,基于相变驱动力分析结霜机理,实验研究了在不同冷表面温度(-5～-15℃)、空气温度(11～17℃)、空气流速(1.5～2.5 m/s)等工况下,铝基裸铝波纹表面的结霜情况,观察了铝基波纹表面上霜层生长过程中的微观形貌,并采用田口实验法分析了环境因素对表面结霜情况的影响。结果表明：环境因素的改变会对铝基波纹表面结霜产生不同程度的影响,以波纹角度11.3°为例,结霜60 min时,与冷表面温度为-5℃相比,冷表面温度为-10℃和-15℃时结霜量分别增长12.20%和31.28%,霜层厚度分别增长19.95%和47.24%。田口实验法分析表明：相比湿空气温度和空气流速,冷表面温度和湿空气相对湿度对波纹表面结霜特性影响相对较大,对波纹表面结霜量的贡献率分别为37.3%和31.8%,对霜层厚度的贡献率分别为61.1%和22.6%。空气流速对结霜量的贡献率为22.6%,而对结霜层厚度的贡献率仅为4.2%,表明空气流速对霜层的致密化作用较大。     

内容中心网络中能效感知的概率性缓存机制

内置缓存技术是内容中心网络(Content Centric Networking, CCN)的核心技术之一。现有的研究大多主要针对网络资源利用率的优化,而忽略了网络能耗的问题。该文首先建立了一个能耗模型对CCN的网络能耗进行分析,并设计了一个能效判决条件来优化缓存过程的能效性。进而,在此基础上综合考虑内容流行度和节点中心性等因素提出一种能效感知的概率性缓存机制(E2APC)。仿真结果表明,该机制能在保证较高的缓存命中率和较小的平均响应跳数的同时有效地降低网络的整体能耗。     

内容中心网络中基于内容迁移的协作缓存机制

内容中心网络(CCN)是为了适应未来网络通信模式的转变,提供对可扩展和高效内容获取的原生支持而提出一种新型的网络体系架构,内容缓存机制是其研究的关键问题之一。现有机制在缓存节点的选择时往往过于集中,缓存负载分布严重不均,大大降低了网络资源利用率以及系统的缓存性能。该文提出一种基于缓存迁移的协作缓存机制,首先在缓存节点选择时考虑节点的中心性保证内容尽可能缓存在位置更重要的节点。同时,在缓存压力过大时,通过可用缓存空间大小、缓存替换率以及网络连接的稳定性等信息选择合适的邻居节点进行缓存内容的转移,充分利用邻居资源实现负载分担。仿真结果表明该机制能有效地改善缓存负载在节点上分布的均衡性,提高缓存命中率和缓存资源利用率并降低平均接入代价。     

LF6铝合金搅拌摩擦焊焊缝中S曲线对接头拉伸性能的影响

在铝合金搅拌摩擦焊中,当焊接规范参数选取不当时,焊缝中会出现一种S形曲线。采用圆柱右螺纹搅拌头,对铣去对接面氧化膜和不铣去对接面氧化膜的试样分别进行搅拌摩擦焊试验,研究焊缝中S线对接头性能的影响。结果表明:焊缝中的S线对接头的拉伸性能有影响。含有S线的试样沿焊缝上的S线断裂,断面呈"S"状;焊缝中无S线的试样在焊核中断裂,断面呈45°。焊缝中的S线使接头的强度下降。     

大果木姜子挥发油的提取工艺优化、成分分析及抗氧化活性

为研究大果木姜子挥发油的最优提取工艺及其成分组成和抗氧化活性,以大果木姜子挥发油得率为指标,在单因素实验基础上,采用响应面法对提取工艺进行优化;采用气相色谱-质谱法（GC-MS）分析挥发油的组成;运用清除DPPH·试验初步评价大果木姜子挥发油的体外抗氧化活性。结果表明,最佳提取工艺为浸泡时间5 h,料液比1:5 g/mL,提取时间8 h,在上述条件下,实际得率为10.67%。从大果木姜子挥发油中鉴定出74个成分,占挥发油总量的93.175%,其中相对含量高于3%的分别为1,8-桉叶素（21.854%）、正癸酸（12.893%）、β-蒎烯（4.873%）、对伞花烃（4.579%）、α-蒎烯（4.452%）、月桂酸（3.734%）、α-萜品烯醇（3.188%）;大果木姜子挥发油抗氧化活性随着浓度的增加而逐渐升高,当浓度在1.0~6.0 mg/mL范围内时,最高清除率为92.94%。优化的工艺适用于大果木姜子挥发油的提取,大果木姜子挥发油中含有多种成分,其中以萜类、烃类及酸类成分为主,抗氧化结果提示其具有一定的体外抗氧化能力。     

特高压主变充电导致直流周期性换相失败的原因（英文）

换相失败是直流输电系统逆变器最常见的故障之一,通常故障清除后直流系统可以恢复换相,周期性换相失败很少发生,过去国内从未出现过换相失败闭锁直流的情况。通过对林枫直流现场数据的深入分析,得出换相失败持续时间达到保护定值,保护正确动作;而励磁涌流引起枫泾站换流母线电压畸变、阀控VBE对已关断阀执行重触发以及换相失败恢复期间直流电流过冲等因素是导致林枫直流发生周期性换相失败的主要原因。在此基础上,基于电磁暂态程序建立了林枫直流输电研究模型,其中控制保护采用了与实际工程一致的详细模型,通过仿真研究提出了极控系统的改进措施:取消瞬时电流控制、优化换相失败预测和低压限流等功能,最后在林枫直流输电工程中进行了现场验证试验,试验结果验证了所提措施的有效性。     

电解铜箔表面处理技术及添加剂研究进展EI北大核心CSCD

随着5G通讯、新能源汽车等高端产业的发展,对电解铜箔产品性能提出更高的要求。表面处理技术是铜箔生产中极为重要的一项工艺技术,是解决铜箔绿色环保生产和获得高性能电解铜箔的主要途径。本文从国内外铜箔研究现状出发,归纳了包含粗化、固化、合金化、钝化、硅烷化等工艺流程的表面处理技术,并对每道工序中电解液的成分以及电沉积的影响因素进行分类总结,综述了粗化工序中添加剂的分类及研究现状与技术进展,重点阐述了包括晶粒细化剂、整平剂、光亮剂、表面活性剂与无机盐等各添加剂的作用机理及其对铜箔组织形貌和性能变化的影响规律,展望了我国铜箔的发展方向,为我国自主开发高性能铜箔生产技术提供参考。     

脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(I_DS-V_GS)在评价中发生了严重正移。本文通过脉冲实验,模拟GOA关键器件M2的实际工作环境,重现了转移特性曲线严重正移的不良现象。通过设置不同的脉冲实验,揭示了造成不良的主要影响因素：M2器件关闭时,漏极与源极之间的压差V_DS过大,使IGZO膜层内的氧空位V_O⁺在电场作用下同时向IGZO与GI(Gate Insulator)的边界及源极端迁移,由于氧空位V_O⁺对电子的捕获作用,最终导致转移特性曲线发生正移,并发现迁移的氧空位V_O⁺经过加热后可以复原。此外,在不改变IGZO成膜条件下,通过减小M2器件关闭时的V_DS压差,...