Ba（Mg1／3Ta2／3）O3微波陶瓷的损耗研究

本工作用ＸＲＤ，ＥＰＭＡ，ＳＥＭ等测试技术计算和示出了用不同活性粉料制备的Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３微波陶瓷晶格中Ｂ位离子有序度和元素的面分布情况，对它们在Ｘ面下的电行为作了探讨。实验结果表明，ＢＭＴ陶瓷的微波损耗主要与其密度有序度和微观结构的均一度有关。     

Ba1-3x/2Lax(Mg1/3Ta2/3)O3陶瓷的微波介电性能

采用固相合成法制备了Ba1-3x/2Lax(Mg1/3Ta2/3陶瓷,研究了La掺杂对钽镁酸钡的结构和微波介电性能的影响.结果表明:A位取代能改进其烧结性能.在x≤0.02时,烧结样品为单相的钙钛矿结构,B位离子1:2有序;当x>0.02时出现第二相Ba0.5TaO3.B位离子有序度随着x的增大先增加后减小,在x=0.04时出现最大值.x≤0.02时介电常数变化较小,而后其值逐渐增大.品质因数与谐振频率的乘积(Q×f)值随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时取得最大值;谐振频率温度系数(τf)值随着x增大而增大.     

Ba（1-3x/2）Lax（Mg（1/3）Ta（2/3））O3陶瓷的微波介电性能（英文）

采用固相合成法制备了Ba1–3x/2Lax（Mg1/3Ta2/3）O3陶瓷,研究了La掺杂对钽镁酸钡的结构和微波介电性能的影响。结果表明：A位取代能改进其烧结性能。在x≤0.02时,烧结样品为单相的钙钛矿结构,B位离子1：2有序;当x〉0.02时出现第二相Ba0.5TaO3。B位离子有序度随着x的增大先增加后减小,在x=0.04时出现最大值。x≤0.02时介电常数变化较小,而后其值逐渐增大。品质因数与谐振频率的乘积（Q×f）值随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时取得最大值;谐振频率温度系数（τf）值随着x增大而增大。     

基于金刚石薄膜的微间隙室制备

采用金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层是一种新型的微间隙室(MGC)结构。该文详细介绍和讨论了采用常规的微细加工工艺制备基于金刚石薄膜介质层的MGC的制备技术,其典型结构为阳极微条宽20μm,微条间隔180μm,器件探测区面积为38 mm×34 mm。采用热丝CVD法制备的金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层,厚7~8μm,具有(100)晶面结构。金刚石的刻蚀采用反应离子刻蚀,Cr作掩膜,O2和SF6为刻蚀气体,刻蚀速率为79 nm/min,与Cr的刻蚀比约为20:1。实验结果表明,采用的微加工结合自套准工艺可很好地解决金刚石薄膜的制备、图形化及金属阳极电极与金刚石薄膜的相互套准等金刚石薄膜的可加工性及兼容性问题,并制备出采用金刚石薄膜作为电极间绝缘介质层的新型MGC结构。     

Ca掺杂钨镁酸铅陶瓷材料的制备及其介电性能

研究了Ca掺杂钨镁酸铅(PMW)陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现：在Ca^2 摩尔分数小于15％时，能形成单相的PCMW钙铁矿相，结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结，气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗，在频率为1MHz时，介质损耗达到了10^-4。当Ca^2 摩尔分数大于10％时，材料的Curie峰宽化显著，介电常数温度系数降低。     

添加V2O5对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3烧结及微波介电性能的影响

本工作就添加V2O5对Ba（Mg1／3Ta2／3）O3烧结性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论．实验结果发现，添加少量V2O5能明显改善BMT陶瓷的烧结性，当V2O5的添加量为0．1mol％时，烧结体密度可达理论密度的98％同时较纯BMT陶瓷烧结温度降低150℃左右．此时样品仍具有较高的微波介电性能：Q·f＝62450GHz；εγ＝25．     

用柠檬酸盐-凝胶法低温合成单相Ba(Mg1/3Ta2/3)O3

本文利用ＸＴＤ、ＤＴＡ、ＴＧＡ、ＳＥＭ、ＴＥＭ等分析手段研究了用柠檬酸盐－凝胶法低温（６００℃）合成单相Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３的方法。结果发现，与传统的固相反应合成ＢＭＴ的方法相比，柠檬酸盐溶胶－凝胶法能在６００℃的温度下合成单相ＢＭＴ，睽怕粉体具有１０￣２０ｎｍ的单颗粒尺寸。     

掺杂ZrO2对（Pb,Ca）（Fe,Nb）O3陶瓷微波特性的影响

研究了B位Zr掺杂对(Pb     

掺杂ZrO_2对(Pb,Ca)(Fe,Nb)O_3陶瓷微波特性的影响

研究了 B位 Zr掺杂对 (Pb0.45Ca0.55)(Fe1/2Nb1/2)O_3 (PCFN)陶瓷的烧结行为、 微观结构及微波介电性能的影响。试验结果表明 ,PCFNZ陶瓷能在相对较低的温度下烧结 (12000C/2h),在 x=0.025时 ,有较高的 Q· f值 ,它的微波介电性能 :Q· f=9828GHz,ε r=91,τ f=9ppm/0C,用这种材料做成的带通滤波器在中心频率为 928.4MHz下 ,插入损耗为 2.469dB,满足插入损耗应小于 3dB的要求。     

A位取代对钨镁酸铅微波性能的影响

研究了La3 改性钨镁酸铅陶瓷材料的烧结性能、微观结构以及微波介电性能。结果发现:加入La3 的摩尔分数大于50％时,在A位 形成有序的空位,并形成单相的钨镁酸铅镧钙钛矿相。La3 的加入,降低了介电常数,提高了微波性能,同时温度系数显著降低。当 x(La3 )=56％时,得到较好微波性能:εr=28.7,Q·f=18 098GHz,τcf=-5.8×10-6/℃。