AlGaInP／GaInP SCH S—SQW激光器光束质量的矢量矩分析

本文应用非傍轴矢量矩理论,分析了670nm AlGaInP/GaInP分别限制应变单量子阱（SCH S－SQW）激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子M^2,分析结果表明,在两种情况下M^2均小于1,而且前者具有更小的M^2。     

真彩色边缘照明全息图

利用三维漫反射物体的激光色编码技术，并结合边缘照明全息的特点，制造真彩色全息。采用这方法可使彩色全息再现做到方便、严密、整体。具有很大的开发应用前景。     

Crookes辐射计内最佳真空度的实验和仿真研究

应用实验和蒙特卡罗(DSMC)方法,研究了Crookes 辐射计工作的最佳真空条件.在辐射计内转子可以自由转动的条件下,测量了辐射计转子的转速与腔内真空度的关系,实验表明,转子的转速与腔内的真空度、转子叶片的边长有关.在叶片边长分别为20 mm和10 mm的情况下,最大转速分别出现在0.1 Pa和3 Pa.应用DSMC方法,仿真得到了在不同真空度条件下,作用在转子叶片两边的压力差分布,结果表明,在叶片边长分别为20 mm和10 mm的情况下,最大压力差分别出现在0.1～0.5 Pa和2～5 Pa.文中给出了腔内稀薄气体的速度矢量图.     

InP系波导和光电探测器的单片集成器件制作

报道了应用液相外延（ＬＰＥ）方法,制作了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ半导体光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成器件,器件性能的几个主要参数与国外的同类器件相近     

纳米碳的白光强辐射

最近，我们发现非氢化的无定形碳（A-C)在室温、真空并由5种LD激光诱导，当功率密度在1KW/cm^2到1MW/cm^2之间时，出现上转换连用下转换级联的量子过程，并呈现可见，刺眼的强白光辐射。在10种纳米材料中发现了类似的现象，但A-C的能量转换效率最高，超过5%，隐含着潜力。它可能是纳米的特征辐射，也是一个激光的逆过程。     

GaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器垂直于结方向上的光束质量研究

用转移矩阵方法对 680nmGaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器的波导模式作了分析和计算。根据非傍轴光束传输的矢量矩理论 ,对该激光器垂直于结平面方向上的光束质量因子M2 ⊥ 进行了理论计算 ,结果表明M2 ⊥ 小于 1,和实验结果相符合。这一结果有助于认识半导体激光器垂直于结方向上光束的内在本性     

InP系波导和光电探测器的单片集面器件制作

报道了应用液相外延（ＬＰＥ）方法,制作了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ半导体光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成器件,器件性能的几个主要参数与国外的同类器件相近。     

InUP系单片集成波长分离器件的设计和制作

设计和制作了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ单输入光波导，多输出光波导，和光栅的单片集成波长分离器件，文中给出了器件和设计参数，以及制作工艺，并给出了该器件物测试原理图。     

提高CGH再现精度的新途径

报道提高计算全息图（CGH）再现像精度的一种新方法,它在罗曼Ⅲ型计算全息的基础上．在取样点数相同的前提下,利用显示器的固有分辨率,将全图分解成多幅子图．再应用图像处理软件重新拼接,从而提高了再显像分辩率。     

A lGaInP/GaInP SCH S-SQW激光器光束质量的矢量矩分析

本文应用非傍轴矢量矩理论 ,分析了 6 70 nm Al Ga In P/Ga In P分别限制应变单量子阱 (SCH S-SQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子 M2⊥ 。分析结果表明 ,在两种情况下 ,M2⊥ 均小于 1,而且前者具有更小的 M2⊥ 。