The growth units and hydrothermal preparation of lead tungstate (PbWO4) crystallites

The crystal structure of lead tungstate (PbWO4) can be regarded as ordered combination of the tungsten oxide tetrahedrons (WO4) and lead ions (Pb2 ). According to the growth unit model, the growth units of lead tungstate are the aggregations of the tungsten oxide tetrahedrons and lead cations with various geometry configurations. It is suggested that the favorable growth units of lead tungstate crystal are pyramidal, tetragonal prism and quadrangular units corresponding to geometric orientations of the simple forms of the crystal. Under low restricted growth conditions, the growth form of lead tungstate crystallites is the aggregation of the geometric configurations of these favorable growth units. The above conclusions are completely confirmed by the experiment on hydrothermal preparation of lead tungstate crystallites.     

Mg－PSZ中二种析出相的初步研究

本文采用了较简便的烧成工艺制度制备Ｍｇ－ＰＳＺ材料．用ＴＥＭ对这种Ｍｇ－ＰＳＺ材料中的析出相进行了观察，对析出相的结构进行了初步的研究，发现了其中的二种未知析出相Ｘ１相和Ｘ２相．Ｘ１相具有简单四方结构，点阵常数约为ａ＝１．４４８ｎｍｃ＝２．１００ｎｍ．Ｘ２相也具有简单四方结构，点阵常数约为ａ＝１．４４０ｎｍ，ｃ＝４．０７２ｎｍ．     

分步冷却烧成制备Mg—PSZ材料的研究

采用分步冷却烧成工艺制备Ｍｇ－ＰＳＺ材料，也就是将Ｍｇ－ＰＳＺ材料ｃ相区烧结固溶后的降温过程中，当样品通过ｃ＋ｔ二相区时采用较慢的降温速率，当样品进入ＭｇＯ析出相区时采用较愉的降温速率，发现采用这种烧成工艺可以使Ｍｇ－ＰＳＺ材料抗弯强度达到８１０ＭＰａ，断裂韧性达到１１．０ＭＰａ．ｍ＾１／２，对Ｍｇ－ＰＳＺ材料的抗弯强度，断裂韧性和ＭｇＯ含量间的关系进行了研究，用ＸＲＤ对材料的抛光面和断裂面的单斜     

正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响

采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺, 在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下, 沉积了纳米金刚石薄膜. 用X射线衍射, 场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析. 结果表明, 施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向, 表面形貌发生较大变化. 当偏流为8A时, 薄膜晶粒达到最小值, 约为20nm, 薄膜表面也最光滑. 本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系.     

硫化物晶体的生长习性

在自然界中硫化物晶体的种类较多,其结构较复杂,其中硫离子以S^2-和对硫S^2-₂形式存在．一部分晶体的生长习性得不到满意的解释．本文采用配位多面体生长习性法则合理地解释了MoS₂、ZnS、CuFeS₂和PbS晶体的生长习性．发现MOS₂晶体的生长习性为六方平板状｛0001｝,其各晶面的生长速度为：V_＜0001＞＜V_＜1010＞;CuFeS₂和ZnS晶体的生长习性为四面体,其各晶面的生长速度为：V_＜111＞＞V_＜001＞＞V_＜111＞;PbS晶体的生长习性为八面体｛111｝,立方体只是它的一种习性变化.     

Mg—PSZ中二种析出相的初步研究

本文采用较简便的烧成工艺的制度制备Ｍｇ－ＰＳＺ材料，用ＴＥＭ对这种Ｍｇ－ＰＳＺ材料中的析出相进行了观察，对析出相的结构进行了初步的研究，发现了其中的二种未知析出相Ｘ１相和Ｘ２相。Ｘ１相具有简单四方结构，点阵常数约为ａ＝１．４４８ｎｍ，ｃ＝２．１００ｎｍ。Ｘ２相也具有简单四方结构，点阵常数约为ａ＝１．４４０ｎｍ，ｃ＝４０．０７２ｎｍ。     

水热介质pH值对纳米(Ce)ZrO2晶粒制备的影响

用水热法制得纳米 (Ce)ZrO2 粉体 ,其晶粒粒度为 3～ 7nm ,而且为单一分散。用XRD、TEM分析了水热媒介pH值对粒度、m相含量、晶粒形貌的影响关系。结果表明 :水热煤介 pH值增大 ,ZrO2 晶粒也增大 ;pH值减小至酸性时 ,ZrO2 晶粒中出现部分m相 ,且晶粒易团聚