首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   0篇
机械仪表   2篇
一般工业技术   2篇
自动化技术   1篇
  2009年   1篇
  2008年   1篇
  2007年   2篇
  2005年   1篇
排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
AZ5214E反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用   总被引:9,自引:0,他引:9  
陈光红  于映  罗仲梓  吴清鑫 《功能材料》2005,36(3):431-433,440
研究了AZ5214E反转光刻胶的性能并选择适当的工艺可制得利于剥离的倒台面,并将其应用于射频MEMS开关的制作中剥离厚 2μm的金薄膜。用扫描电镜(SEM)测出胶的侧壁为倒台面。  相似文献   
2.
采用厚度为2μm的Au制作成共平面波导(CPW)、聚酰亚胺作为牺牲层、PECVD法淀积Si3N4薄膜作为悬臂梁,制作成悬臂梁接触式RF MEMS开关。着重对开关的关键工艺-CPV的Au剥离工艺和悬臂梁制作工艺进行研究,讨论了工艺中存在的问题及其解决方法。通过实验获得较佳的工艺参数,并制作出驱动电压为12-20V的悬臂梁接触式RF MEMS开关。  相似文献   
3.
概述射频MEMS开关的研究背景及意义,介绍国内外射频MEMS开关的研究现状,列举出两种主要的射频MEMS开关:电容耦合并联式开关和金属.金属接触串联式开关的结构、工作原理、性能比较。  相似文献   
4.
PECVD法生长氮化硅工艺的研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
吴清鑫  陈光红  于映  罗仲梓 《功能材料》2007,38(5):703-705,710
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.  相似文献   
5.
主要介绍微机电系统(MEMS)中几种测量薄膜力学性能的方法,如纳米压入法、单轴拉伸法、基底弯曲法、微旋转结构法,比较了各种方法的优缺点。这对MEMS器件的设计与研究具有重要意义。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号