全文获取类型
收费全文 | 193篇 |
免费 | 7篇 |
国内免费 | 33篇 |
专业分类
综合类 | 27篇 |
化学工业 | 32篇 |
金属工艺 | 61篇 |
武器工业 | 3篇 |
无线电 | 4篇 |
一般工业技术 | 105篇 |
冶金工业 | 1篇 |
出版年
2019年 | 1篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 10篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 16篇 |
2011年 | 17篇 |
2010年 | 12篇 |
2009年 | 12篇 |
2008年 | 19篇 |
2007年 | 37篇 |
2006年 | 17篇 |
2005年 | 6篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 13篇 |
2002年 | 7篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 11篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 1篇 |
1988年 | 3篇 |
1986年 | 1篇 |
排序方式: 共有233条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
The lead-free piezoelectric ceramics (1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3(abbreviated as KNLN) were synthesized by a traditional solid state reaction. The effects of Li^+ on the sintering characteristic, the phase structure and piezoelectric properties of KNLN ceramics were investigated. The sintering temperature of KNN-based ceramics is decreased by doping Li^+ and the range of the sintering temperature is narrow. The KNLN ceramics exhibit an enhanced piezoelectric properties with the piezoelectric constant d33 value of 180-200 pC/N, The electromechanical coupling coefficients kp is 35%-40%. The results show that (1-x)(K0.5Na0.5)-NbO3-xLiNbO3 (x=0.05, 0.06) is a promising high-temperature lead free piezoelectric ceramic. 相似文献
2.
分析了低温预氧化过程对聚碳硅烷(PCS)先驱体结构的影响,研究了不同预氧化温度和时间下SiCf/SiC复合材料室温和高温介电性能的演变规律。结果表明:经预氧化处理后基体中的氧含量增加,生成具有低介电常数的Si CxOy相,且其含量随着预氧化温度的升高或时间的延长逐渐增加,SiC微晶和自由碳的含量均减少,因此SiCf/SiC复合材料的复介电常数明显降低,同时高温复介电常数的升高幅度显著减小。经260℃-6 h预氧化处理后,700℃时复合材料在整个X波段的反射率均达到-8 d B以下,高温吸波性能得到有效改善。 相似文献
3.
SiC_f/LAS玻璃陶瓷基复合材料的界面 总被引:4,自引:0,他引:4
:详细评述了SiCfLAS玻璃陶瓷基复合材料的界面。该界面是在热压过程中形成的,由富碳层或富碳层和碳化物层构成,这些界面层的存在导致了界面的弱结合。界面具有很好的热相容性。在惰性气氛或还原性气氛中,界面具有很好的热稳定性。在高温氧化性气氛中,界面层很快因氧化而消失,导致纤维与基体间的强结合,使材料发生脆断。 相似文献
4.
采用传统陶瓷工艺制备了PNW-PMS-PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;随着PNW含量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大;研究了室温下PNW含量对介电性能和压电性能的影响,实验表明,随着PNW含量的增加,介电常数rε、机电耦合系数kp和压电常数d33先增加,PNW含量为0.02 mol时分别达到最大值,然后降低;随着PNW含量的增加,介电损耗tanδ一直增加,机械品质因数Qm和居里温度TC始终降低。PNW含量为0.02 mol的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其性能为:rε=2 138,tanδ=0.005 8,kp=0.61,Qm=1 275,d33=380 pC/N和TC=205℃。 相似文献
5.
以热压烧结的方法制备了Al2O3/Cr复合材料,探讨了Al2O3/Cr复合材料显微结构、力学性能及微波介电性能随Cr粒子含量变化的规律。SEM结果表明,在垂直于压力方向上,Cr粒子有明显的受压拉伸现象;当Cr粒子含量从10vol%增加至30vol%时,复合材料中Cr粒子的分布由孤立向桥连方式转变。随Cr粒子含量的增加,复合材料致密度略有下降,抗弯强度明显降低。与纯氧化铝陶瓷相比,含10vol%Cr粒子Al2O3/Cr复合材料的断裂韧性提高了81%以上。复介电常数测试结果表明,在8.2~12.4GHz频率范围内,复合材料复介电常数的实部和虚部随Cr粒子含量的增加大幅度上升,且存在明显的频散效应。当Cr粒子含量达到30vol%时,由于Cr粒子之间的部分桥连现象而使介电常数虚部在一定频段出现负值。 相似文献
6.
Si/C/N纳米粉体的吸波特性研究 总被引:17,自引:0,他引:17
采用XRD研究了氮原子百分含量为11.61%的Si/C/N纳米粉体的相组成,并测定了粉体介电常数根据介电常数,分别优化设计了单层和双层的吸波徐层,设计的吸波涂层对8~18GHz范围的电磁波有较好的吸收作用.设计厚度为2.7mm的单层吸波涂层,在8~15GHz范围内反射率<-5dB设计厚度为2.8mm的双层吸波涂层,在8~18GHz频率范围内电磁波的反射率均<-5dB,反射率<-8dB的频带为6GHz.针对纳米粉体的吸波特性,提出了Si/C/N纳米粉体的吸波机理. 相似文献
7.
采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2~12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。 相似文献
8.
采用传统固相法制备了CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)(CCTO,x=0,0.04,0.08,0.12)陶瓷。用X线衍射仪和扫描电子显微镜研究了Zn~(2+)掺杂含量的变化对CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷的相结构、微观形貌的影响规律,并研究了CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷的低、高频介电性能。结果表明,少量Zn~(2+)的加入影响CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷的相结构和微观形貌。在低频范围内,CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷均具有巨介电常数(>104),且CaCu_(2.92)Zn_(0.08)Ti_4O_(12)陶瓷的介电常数温度依赖性小,介电损耗最小,这加速了CCTO陶瓷在陶瓷电容器方向应用的潜力。在微波频段(5.85~8.2GHz)范围内,CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷均具有介电弛豫现象,CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷的介电常数实部随掺杂量的增加而减小,介电常数虚部和损耗对应的频率变化趋势与实部一致。 相似文献
9.
10.
莫来石陶瓷的制备及其微波介电性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用SiO2溶胶和Al2O3溶胶以及分析纯SiO2和Al2O3粉末,采用热压烧结法制备了莫来石陶瓷。研究了莫来石陶瓷的微波介电特性与烧结致密度、烧结助剂MgO以及测试频率之间的关系。结果表明,烧结条件对莫来石陶瓷致密度和介电常数有很大影响,其中以热压温度对莫来石陶瓷烧结致密度和复介电常数的影响最大。烧结条件不同时,可以得到一系列具有不同复介电常数的莫来石陶瓷。添加烧结助剂MgO后,莫来石陶瓷复介电常数的实部和虚部均有所升高。在8~12GHz频率范围内,莫来石陶瓷的复介电常数没有表现出明显的频散效应。 相似文献