以就业为导向的高职教学实践的研究

近年来,我国高职教育规模发展迅猛,但教学模式并没有摆脱传统学历教育,这对高职学生成功就业产生了很大影响。本文结合我院计算机多媒体技术专业近几年专业培养方案的修订,从培养目标定位、能力分解表的制定、课程的合理设置和教学手段的现代化四个方面提出了如何提高高职教学效果,培养出合格的计算机多媒体技术专业人才。     

职业技能教育融入高等学历教育人才培养的探索

本文从职业技能教育融入高等学历教育的背景入手,分析职业技能教育融入高等学历教育存在的障碍,并提出解决的对策。     

挤压膨化结合酶解制备低GI代餐粉及其体外消化率测定

以藜麦、燕麦、青稞、苦荞为主要原料,辅以薏仁、葛根、桑叶、菊粉、低聚果糖等,利用酶解植物性原料及挤压膨化工艺制备代餐粉。以分散性指数和感官评分为指标,通过单因素试验和Box-Behnken试验结合优化原料挤压膨化工艺,并对原料代餐粉、挤压膨化代餐粉和酶解挤压膨化代餐粉的品质、体外消化率和血糖生成指数进行测定。结果表明：酶解挤压膨化代餐粉的最佳挤压膨化工艺为挤压温度150℃,螺杆转速810 r/min,喂料速度340 r/min,该工艺下代餐粉的分散性指数98.81%,感官评分89分。三种粉品质差异显著,酶解挤压膨化代餐粉的分散性指数和感官品质最高,酶解挤压膨化代餐粉eGI值为51.56,属于低GI食物,可为低GI代餐粉的开发提供一定的参考。     

喷雾涂胶机旋转主轴动态特性研究

旋转主轴作为喷雾涂胶机的关键部件,其性能的优劣直接影响着光刻胶的喷涂质量。根据工艺要求提出了喷雾涂胶机旋转主轴的主要技术指标,建立了旋转主轴的三维模型,利用有限元软件ANSYS对旋转主轴进行了动态特性分析,验证了结构设计的合理性,为旋转主轴的开发设计提供了理论基础。     

熔纺Kraft硬木木质素基活性炭纤维的活化工艺及性能研究

以熔融纺丝制备的Kraft硬木木质素纤维(HKL)为原料,经炭化得到木质素基炭纤维(HKL-CF),再采用水蒸气活化法制备了活性炭纤维(HKL-ACF),通过红外光谱仪和扫描电镜研究了水蒸气活化对活性炭纤维化学结构和表面形貌的影响,采用全自动物理吸附仪、X射线衍射仪和拉曼光谱仪等研究了活化时间、活化温度和活化水蒸气流量对所制备活性炭纤维的比表面积、孔结构和微晶结构的影响规律。研究表明,水蒸气活化处理提高了活性炭纤维中的C—O和C＝C结构含量;随着活化时间的延长,活性炭纤维的比表面积增大,且随活化温度和水蒸气流量的提高呈现出先增大后减小的趋势;晶粒尺寸随着活化时间和温度的提高,逐渐变小,纤维表面的石墨化程度随活化时间的增加,逐渐变大;活化温度800 ℃,活化时间4 h,水蒸气流量1 mL/min下制备的活性炭纤维的BET比表面积最高可达2 081.34 m²/g,总孔容最大为1.60 cm³/g。     

啮合型同向旋转双螺杆挤出机的挤出机理研究进展

论述了啮合型同向旋转双螺杆挤出机挤出机理研究的最新进展,分析了存在的问题和难点,并提出研究发展的方向。     

深回填土地层电力竖井注浆围护方案研究

以深回填土地层电力工程为背景,采用midas GTS NX有限元分析软件对真实施工过程进行数值模拟,对比分析注浆加固围护方案与非加固方案情况下,竖井基坑土体形变和支护结构应力的规律,得出注浆加固围护方案对基坑支护具有积极影响效果;通过分别建立二维及三维数值模型并分析,得出在尺寸及空间效应的影响下,电力竖井基坑二维分析与...     

熔融沉积法3D打印制备氧化锆陶瓷及其力学性能研究

在传统熔融沉积方法的基础上,采用颗粒混合料和螺杆挤出机构3D打印制备了致密和多孔氧化锆陶瓷,系统研究了颗粒原料的打印性能、坯体显微结构特征和陶瓷材料的力学性能。研究结果表明,该方法可以实现倾角达165°和跨度为5.5mm的无支撑结构的打印成型。研究了两种打印路径对致密氧化锆陶瓷抗弯强度及抗弯强度Weibull模数的影响,结果表明与传统单线填充模式相比,"单线+矩形"复合填充模式可以得到更高致密度和更优力学性能的陶瓷(抗弯强度达到637.8 MPa, Weibull模数达到9.10)。研究了不同气孔率多孔氧化锆陶瓷的压缩力学行为,结果表明陶瓷的抗压强度和气孔率之间存在复合指数规律,低气孔率时异面压缩的应力–应变曲线只呈现弹性阶段,高气孔率时出现弹性阶段和坍塌阶段,均未出现密实阶段。     

多普勒频率代替方位频率将影响SAR分辨率精度

针对一种典型结构双基地SAR的多普勒频率与方位频率的差异对精细成像分辨率的影响,推导了分辨率误差公式并推广到单基地模式,通过仿真发现：以往在合成孔径成像中以成像单元的多普勒频率代替方位频率,对成像的方位分辨率造成的误差一般小于4％;但是,在波长变长、斜视角增大和发射信号调频率增大等参数条件下若忽略两种频率的差异有可能引起高达10％甚至27％以上的方位分辨率误差。因此．只有针对不同参数的SAR系统和不同的成像精度要求,才能确定是否可以用多普勒频率代替方位频率。     

适用于电动汽车的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究

为了基于PSpice电路对电动汽车DC/DC变换器中的碳化硅(SiC)MOSFET的工作特性进行实时准确地仿真,针对SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型VCCST(voltage-controlled current source type)PSpice仿真模型。首先,为了获得SiC MOSFET准确的静态特性建立了电压控制电流源作为SiC MOSFET的内核,以描述SiC MOSFET的转移特性和输出特性;然后,为了获得SiC MOSFET准确的动态特性,建立了基于电压控制电流源与恒定电容的栅漏电容(CGD)子电路模型,所提SiC MOSFET VCCST PSpice模型在简化参数提取方法的同时,能够满足模型准确性的要求;最后,建立的SiC MOSFET VCCST PSpice模型应用于Boost变换器进行仿真和实验,并对SiC MOSFET的特性进行测试。测试结果验证了所提SiC MOSFET VCCST PSpice仿真模型的准确性和实时性,从而为SiC MOSFET在电动汽车DC/DC变换器中的设计和应用提供了便利。