X波段400 W GaN内匹配功率管北大核心CSCD

报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN HEMT内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN HEMT管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到了400 W以上,功率增益大于9dB,附加效率高于37.7%,带内峰值输出功率450 W。     

“容积与容积单位”教学片段与反思

在数学教学实践中,给学生提供丰富的素材,充分调动学生的多种感官进行观察与操作,通过动手实践、自主探索的方式,从而感受数学概念的实际意义。本文就小学数学《容积与容积单位》一课的教学片段来加以说明。     

一种变步长LMS自适应滤波算法研究

为了解决最小均方(LMS)算法的稳定性及收敛速度(自适应速度)和稳态误差(自适应滤波器的精度)之间的矛盾,本文提出了一种自适应变步长的LMS算法,它的权系数的调整取决于误差曲面在新权值点上的梯度.分析了新算法的收敛特性以及参数选择对算法性能的影响.该算法具有较快的收敛速度、鲁棒稳定性且运算小易于实现的特点.计算机仿真的结果证实了该算法的收敛性能优于标准的LMS算法并且具有较好的实用性.     

14～14.5 GHz 20 W GaAs PHEMT内匹配微波功率管

介绍了一种Ku波段内匹配微波功率场效应晶体管.采用GaAs PHEMT 0.25μm T型栅工艺,研制出总栅宽为14.4 mm的功率PHEMT管芯.器件由四管芯合成,在14～14.5 GHz频率范围内,输出功率大于20 W,附加效率大于27%,功率增益大于6 dB,增益平坦度为±0.3 dB.     

对采用国际标准和国外先进标准的探讨

采用国际标准和国外先进标准(简称“双采”)是全球性的战略措施,也是我国一项重要技术经济政策,是技术引进的重要组成部分。“双采”有利于技术改革和技术进步,提高企业产品质量,增强企业竞争力有利于进出口和对外贸易,保证进口产品质量     

8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz~10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。