硅纳米管的水热法合成与表征

采用水热法成功合成了新型的硅纳米管一维纳米材料,并采用透射电子显微镜、选区电子衍射分析、能量色散光谱及高分辨透射电子显微镜对合成的硅纳米管进行了表征．研究表明硅纳米管是一种多壁纳米管,为立方金刚石结构,生长顶端呈半圆形的闭合结构,由内部为数纳米的中空结构,中部为晶面间距约0.31nm的晶体硅壁层,最外层为低于2nm的无定形二氧化硅等三部分组成．     

硅纳米管的制备及应用前景

自组生长的硅纳米管是在一定条件下由一个个原子自己搭建生成、内部排列有序的一种新型的一维纳米材料,它完全可以体现硅纳米管的真实特性,同时具备碳纳米材料和硅纳米线材料的性能,在传感器、晶体管、光电器等纳米器件及场发射显示屏等方面具有广泛的应用前景。作者采用全新的水热溶液生长法合成硅纳米管。这种硅纳米管是国际上第一次合成自组生成的硅纳米管,为将来制造纳米电子器件提供了继碳纳米管、硅纳米线后的又一种全新的纳米材料。     

SCLC法测量非晶硅有效隙态密度

提出了用空间电荷限制电流（SCLC）法测量非晶硅材料的有效隙态密度的新方法，并且报告了用4061A型半导体综合测试仪测量有效隙态密度的结果。测量结果发现与用低频电容法所得结果相符。     

自蔓延高温合成La0.7Sr0.3MnO3热处理工艺研究

研究了热处理温度、时间对自蔓延高温合成La0.7Sr0.3MnO3物相、形貌、晶粒度、抗弯强度、电导率的影响,结果表明,热处理可以有效消除自蔓延高温合成产物中的杂质相,且随着热处理温度的升高,产物中杂质相呈现减少的趋势,La0.7Sr0.3MnO3,粉末晶粒尺寸逐渐增大,但较高的热处理温度会使粉末烧结现象加重.热处理有助于提高SHS合成La0.7Sr0.3MnO3的导电性,当工作温度为800℃时,未经过热处理试样的电导率为42.5S·cm^-1,而经过800℃热处理试样的电导率达到48.3 S·cm^-1.     

Y2O3∶Eu3+纳米管阵列的荧光和拉曼光谱研究

用电场辅助电沉积的方法,在多空有序氧化铝模板(AMM)中成功合成了Eu3 掺杂的Y2O3纳米管阵列.扫描电镜和透射电镜观察表明这些稀土化合物纳米管是均匀、连续的、且相互平行.纳米管的外径大约60nm、壁厚3nm.实验中得到的全是纳米管,没有发现纳米丝.XRD、Raman光谱、XPS和荧光光谱表明Eu3 离子确实进入了晶格.大部分Eu3 离子占据缺少反对称中心的C2位置,只有少量的Eu3 离子占据具有对称中心的S6位置.在394nm波长的紫外光激发下,Y2O3纳米管阵列的发射光谱仅在612nm处有一个峰,这对应于Eu3 中电子的5D0→7F2跃迁.当Eu3 与Y3 的摩尔比为7.5%时,纳米管阵列的发光最强.     

SHS法合成La1-xSrxMnO3的烧结性能

采用SHS法制备了SOFC阴极材料La1-xSrxMnO3（LSM）}研究了不同温度下烧结LSM强度、相对密度与掺Sr量的关系，烧结试样的孔隙率以及膨胀系数随温度的变化关系。结果表明；随着Sr含量的增加，合成LSM粉末的粒度增大，烧结试样的相对密度略有降低；较高的烧结温度有利于降低试样的孔隙率；烧结LSM的热膨胀系数与YSZ匹配较好。     

自蔓延高温合成技术法合成La0.7Sr0.3MnO3过程的热力学分析

通过热力学计算研究自蔓延高温合成技术合成La0.7Sr0.3MnO3反应机制。结果表明：对于Mn，La2O3，SrCO3，NaClO4组成的自蔓延高温合成La0.7Sr0.3Mn0.3反应体系，理论上Mn粉优先与La2O3反应生成LaMnO3，低温下Mn粉优先与O2反应生成少量MnOx，大部分剩余的Mn粉高温（〉1417K）下优先与O2反应生成SrMnO3；同时，少量低温（〈1417K）时形成的MnOx与SrCO3反应生成SrMnO3。高温下，SrMnO3与LaMnO3反应生成La0.7Sr0.3MnO3，这是SHS法合成La0.7Sr0.3MnO3的主要途径。另外，当温度大于1235K时，少量La2O3与SrCO3反应生成La2SrOx，La2SrOx再与LaMnO3反应生成La0.7Sr0.3Mn0.3。     

硅纳米管的研究进展

元素硅是sp3杂化,而不是易于形成石墨管状结构的sp2杂化,所以具有这种sp3杂化键的物质难于形成中空一维硅纳米材料,即硅纳米管.综述了硅纳米管及性能的理论研究,同时论述了采用模板法合成硅纳米管的最新实验进展情况,指出了目前硅纳米管的研究中需要解决的一些问题,并展望了发展.     

硅纳米线纳米电子器件及其制备技术

硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望。