醇热还原法包覆超微Si3N4粉体

针对热CVD法制备的无定形超微Si3N4粉体表面富舍N—H键的特性,以RuCl3为钌源,采用醇热还原法对Si3N4粉体进行了钌包覆。并利用傅立叶红外光谱（FTIR）、紫外-可见光谱分析（UV—Vis）、扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）等检测手段对所得样品的结构和形貌进行了表征。研究结果表明,在Si3N4表面包覆了一层钌颗粒。并对钌包覆层的形成机理进行了讨论。     

氨气在4A分子筛上的吸附动力学研究

采用固定床中4A分子筛吸附的方法,研究不同NH3浓度和吸附床温度条件对分子筛吸附效果的影响.通过吸附穿透曲线和吸附床中的吸附平衡质量测定分子筛的吸附容量,并利用Langmuir等温方程对吸附等温线进行拟合.结果表明:分子筛的吸附容量随吸附床温度升高而降低,随吸附质初始浓度升高而升高,吸附平衡符合Langmuir方程.     

Si3N4 粉体制备工艺的热力学分析

根据热力学相关理论，利用基本函数△rHT^0、△GT^0、Kp在Si3N4粉体制备过程中的变化特征，分析了典型Si3N4粉体合成工艺的反应进行趋势，生成相的化学组成、稳定性，合成工艺最大转化率以及发展动向，讨论了过程可控和获得高纯、优质Si3N4粉体的热力学条件，开发优质、低能耗、高产率以适应工业化批量生产的Si3N4粉体合成工艺，流态化CVD是一条重要途径。     

氮化硅纳米粉体的表面改性研究

文章采用硅烷偶联剂HG-560作为改性剂,丙酮为分散剂对氮化硅纳米粉体进行表面改性。利用悬浮液沉降实验与扫描电子显微镜观察表征氮化硅纳米粉体的分散效果。结果表明,当偶联剂用量为氮化硅粉体质量的1%时,该粉体在丙酮溶液中的沉降速率最小,分散效果较好。     

典型分解炉中硅烷分解沉积速率的研究

研究在典型硅烷分解炉中硅烷分解沉积多晶硅的沉积速率。硅烷分解沉积多晶硅实验在硅棒表面温度790～900℃、炉内气压5×10^4Pa条件下,探讨硅棒温度、硅烷流速与沉积速率的关系。结果显示：沉积反应活化能53．4kJ／mol。并与真空条件下沉积硅的过程进行对比,提出在典型硅烷分解炉中提高多晶硅沉积速率的可能途径。     

钢铁表面氮化硅薄膜生成技术

氮化硅(Si3N4)因其优异的性能可能在钢铁表面的改性技术中获得重要应用,钢铁表面复合氮化硅层的生成和应用已成为当今材料科学研究开发的热点之一.综述了钢铁表面形成氮化硅薄膜的基本过程,各种制备方法、特点及影响因素.     

LaPO_4:Ce~(3+),Tb~(3+)/YBO_3纳米核/壳复合结构的制备与发光性能

采用水热法+溶胶凝胶法两步合成工艺制备LaPO4:Ce3+,Tb3+(LAP)/YBO3纳米核/壳复合结构,并利用X射线衍射、透射电子显微镜对样品的结构、形貌进行了表征。荧光光谱分析表明,该纳米复合结构大幅度提高了发光效率,可能是由于YBO3壳层材料降低了LAP纳米荧光粉的表面缺陷和表面复合,使得非辐射跃迁几率增加;同时核壳摩尔比对发光效率具有重要的影响,当核/壳摩尔比为6∶1时,发光效率比LAP纳米荧光粉提高近58%。     

高阻硅低温欧姆接触

提出用激光诱导扩散法在室温电阻率大于15,000(Ω·cm)的P型高阻硅上制备低温欧姆接触(77—300K).研究了激光参数对低温比接触电阻值的影响关系,结合诱导区表面热学性质的理论计算讨论了实验结果.比较了二种不同的铟焊引线方法.     

传统硅烷分解炉内分解过程的模拟

基于硅烷热分解的总体反应模型,利用Fluent软件模拟了钟罩式硅烷分解炉内同时发生的传热、传质和热化学反应过程.模拟结果定量地表述了传统硅烷分解炉内发生的各个过程,借此探讨了分解炉内的气压、硅棒温度和硅烷流量等工艺条件对硅烷热分解沉积硅转化率及能耗等技术指标的影响.指出硅棒温度为700～800℃,炉内压力升高至0.3 MPa时,有利于提高硅烷分解率,抑制硅粉的产生和降低能耗.     

六角状SmF3:Eu3+纳米晶体的制备与表征

采用水溶液沉淀法成功地制备了具有六角状结构的SmF3Eu3 纳米晶体. 分别采用了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和光致发光光谱仪(PL)等手段对产物的晶体结构、形貌、光致发光性能进行了表征.结果表明产物为纯相六方晶系的SmF3晶体,且具有由规则六方状结构、尺寸分布较均匀等特点.最后对掺杂5mol%Eu3 离子的SmF3晶体的发光光谱作了初步的分析,发现其在波长为325 nm的激发源激发下,发出强烈的红光且单色性较好.