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1.
晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜
张立东
刘春海
孙化冬
张伟
《功能材料》
2012,43(3):394-397
用多靶射频磁控溅射技术,在纯氩气氛中不同溅射功率(40~100W)下在Si(100)基底上制备晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜。同时用四点探针(FPP)X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及其附带的能谱分析仪对薄膜的电性能和微结构进行表征。分析结果表明AlCrTaTiNi高熵合金薄膜在溅射功率为80W时的晶粒尺寸最大,电阻率最低,为160μΩ.cm左右。同时截面SEM形貌显示形成的晶体并非柱状晶体。
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