基于FPGA的自适应多路TS流复用器设计

随着DVB产业的飞速发展,促进了TS流复用器研究的发展。文章追随时代的步伐,设计了一款能够将1路至8路的SPTS复接成1路MPTS的复用器,该系统精确符合系统目标解码器（T-STD）。本系统在一片FPGA芯片上实现,体积小,重要轻,方便安装和使用。通过多次功能仿真以及实验板上验证,本设计完全符合自动将1路或多路的单节目TS流复合成1路的MPTS流的要求。     

铌酸锂电光调制器的温度特性研究

采用折射率椭球基本理论和数值计算方法,分析了纵向和横向调制下,出射光光强随温度的变化趋势,以及在这过程中与晶体折射率、晶体热膨胀系数及晶体尺寸间的关系,并进行了相应的数值模拟。结果表明,纵向调制下出射光光强随温度的变化趋势只跟晶体折射率的变化有关;横向调制下出射光光强随温度的变化趋势不仅要受到晶体折射率的影响,还要受到晶体尺寸及其膨胀系数的影响,因此可以利用特殊尺寸的晶体来提高电光调制器的温度稳定性。     

无后向反射镜的SBSYAG激光器实验研究

对无后向反射镜SBS调Q的YAG激光器做了实验研究。在对透镜焦距、池子长度、聚焦位置优化后,当重复频率分别为1Hz和5Hz时,得到了稳定的高质量激光输出。     

外腔半导体激光器阵列波长稳定的实验研究

自由运行的半导体激光器列阵输出激光谱线较宽、中心波长易漂移.为此,本文采用体全息光栅(VBG)构成外腔半导体激光器阵列(EcLD)系统,利用体光栅能够稳定波长、压窄线宽的特点,从而克服上述缺点.实验表明:采用了VBG外腔反馈后,在最好的情况下,LDA的输出光谱宽度从自由运行时的2.3 nm压窄到了O.96 nm;在测试的环境温度变化范围内(14～3l℃),LDA的峰值波长稳定在体光栅布拉格波长808 nm处,输出光的线宽维持在1.14 nm之下;并且,在测试的偏置电流变化范围内(7-13A)峰值波长和谱宽无明显变化.     

高斯反射率镜谐振腔的非稳条件

根据非稳腔的横向放大率和点源位置必须为实数,求出了高斯反射率镜(GRM)谐振腔的非稳条件。并指出高斯反射率镜不可能构成非稳腔。     

关于非稳腔热稳定性分析的补充

在文献［１］中，以放大率Ｍ为特征参数讨论了非稳腔的热稳定性，并得到了热稳条件的解析解。本文对其实用性作了补充说明。     

纳米级铝包覆光波导耦合特性研究

为了研究10nm级铝包覆光波导特征参量对其耦合情况的影响,理论模拟了不同金属层折射率和厚度、不同导波层折射率和厚度情况下的衰减全反射谱,分析了特征参量对耦合情况的影响。通过实验验证了金属层折射率和厚度对其耦合情况的影响,发现纳米级铝膜的复介电常数发生了很大的变化。结果表明,导波层厚度影响激发导模的数目,但对耦合深度影响不大;导波层折射率同时影响激发导模的数目和耦合深度;耦合层金属膜厚度不影响激发导模的模数,但对耦合深度的影响很大;对于相同的耦合层金属膜厚度,金属折射率不同,耦合情况大不相同。研究结果为基于双面金属包覆光波导的脉冲展宽器的制作和设计过程提供了参考。     

非相干瞬态谱的实验研究

通过进行多次电爆炸金属丝实验,进行比对研究,并对采集到的铝丝和铜丝电爆炸的非相干光谱及发光能量进行的研究发现,对于同种金属丝,注入能量的速率决定了电爆炸的剧烈程度以及电爆炸过程中的中间产物,同时也决定了电爆炸的光谱特性;通过对不同电压下相同铝丝电爆炸采集的能量分析得到,随着注入能量的速率增加,光谱的强度越大,而且充电电压存在一个阈值,低于此阈值,爆炸将不能充分进行。     

利用SBS调Q的铒玻璃激光器模型

文章在前人的工作基础上,建立了适合于研究用受激布里渊散射（ＳＢＳ）进行调Ｑ的铒玻璃激光器的理论模型。利用该模型可以研究激光器的输出功率、脉冲宽度等特性。