温-湿敏两功能材料的研究

<正> 本文针对铁电材料的温湿两功能问题,探讨了不同掺杂元素、不同掺杂方法及不同掺杂含量对材料温湿敏感性的影响,得到较为理想的几种造孔杂质及其含量。 本文用常规掺杂法和溶液浸泡法掺杂,微量杂质选用铬酸锌和铁酸镁等,按一般陶瓷烧     

PZN－PT－PMN电致伸缩陶瓷的介电性质

对（１－ｘ－ｙ）ＰＺＮ－ｘＰＴ－ｙＰＭＮ（０＜ｘ＜０．１，０＜ｙ＜１）陶瓷的电致伸缩与介电特性进行了系统的研究。利用ＸＲＤ定性分析了在相同工艺条件下，组成及Ｋ~＋，Ｌａ~（３＋），Ｙ~（３＋），Ｗ~（６＋）等掺杂离子对微观结构、电致伸缩及介电性质的影响。分析表明：施主、受主离子掺杂对钙钛矿相的生成有不同的作用，掺杂后的材料介电常数均减小；而电致伸缩系数增大，其中适当掺Ｋ~＋和过量ＭｇＯ可使应变量得到提高；而过量ＺｎＯ使应变量减小。ＰＺＮ－ＰＴ－ＰＭＮ的应变性质和温度特性均优于ＰＺＮ，三元系的电致伸缩特性与各组成含量有关，其中铁电相含量的增大是应变量增大的原因。     

涂覆扩散型SrTiO3基陶瓷晶界叠加势垒模型

根据涂覆扩散型ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的晶界结构特点，势扩散分布与压敏电压的关系，提出了两晶粒之间的ｎ－ｎ‘－ｉ－ｎ’－ｎ的物理模型以及晶界叠加势垒模型。以此模型推导晶势垒高度与扩散层深度的公式，对实验数据，晶界势垒高度及其在晶界的分布进行了模拟，其结果明确地说明了摭用层浓度增加，晶界势垒高度提高从而ＶｌｍＡ提高、并证明了叠加势垒模型比Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒模型更加合理。     

梯度功能材料的研究现状与展望

回顾了梯度功能材料（ＦｕｎｃｔｉｏｎａｌｙＧｒａｄｉｅｎｔＭａｔｅｒｉａｌｓ，ＦＧＭ）的诞生背景，综述了ＦＧＭ的表征技术，制备方法和研究现状。ＦＧＭ的应用领域不再局限于结构材料，已扩展到其它功能材料，成为国际材料科学研究的前沿课题。本文重点介绍ＦＧＭ在电子材料和光学工程方面的应用，并对ＦＧＭ的未来进行了展望。     

(Sr,Ca)TiO_3系复合功能陶瓷的涂覆离子热扩散

采用碱金属离子液相涂覆热扩散方法,研究了涂覆离子、热扩散条件等对(Sr,Ca)TiO_3系陶瓷电性能的影响;用电子探针(EPA)分析了涂覆离子在晶粒边界的浓度分布;根据中间夹层的双 Schottky势垒模型,对测量出的C—V特性进行了计算和拟合,求得各种热扩散条件下的晶界势垒高度。讨论了扩散条件、电性能、晶界势垒之间的内在联系。     

PZN—PT—PMN电致伸缩陶瓷的介电性质

对（１－ｘ－ｙ）ＰＺＮ－ｘＰＴ－ｙＰＭＮ陶瓷的电致伸缩与介电特性进行了系统的研究。利用ＸＲＤ定性分析了在相同工艺条件下，组成及Ｋ＾＋，Ｌａ＾３＋，Ｙ＾＃＋，Ｗ＾＾＋等掺杂离子对微观结构，电致伸缩及介电性质的影响。     

在金属基片上以LNO为过渡层制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜的电性能

采用溶胶-凝胶法和快速热处理工艺,分别以不锈钢(SS)和镍合金(NC)为基片,成功制备了表面均匀、无裂纹的锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜.为了缓解金属基片与PZT薄膜之间由于晶格常数和热膨胀系数不同所造成的不匹配状态,引入了镍酸镧(LaNiO3,简写为LNO)薄膜作为过渡层.XRD和SEM结果表明,经过600℃下30min的晶化,PZT薄膜已经由无定型转化为钙钛矿相.以LNO为过渡层,在NC金属基片上制备的PZT薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗(1kHz下ε=717,tanδ=0.08),较低的漏电流(50kV/cm下J=2.6×10-7A/cm2)以及较好的铁电性能(+Pr=90μC/cm2,-Pr=14 μC/cm2,Ec=32.5kV/cm).同时,在SS基片上,通过引入LNO过渡层,制备的PZT薄膜也具有比较好的性能.     

Sol-Gel制备Ba1-x Srx TiO3系铁电薄膜的介电、调谐性能*

用sol-gel工艺制备Ba1-xSrxTiO3系铁电薄膜（1－x=0.3,0.5-0.9)。实验证实,在制备溶胶过程中,提高加热温度能有效增加BST薄膜的介电调谐百分率。室温下,100kHz,各组分薄膜的介电常数（ε）和介电调谐百分率（Tunability%)均呈现较高的值。其中,Ba0.8Sr0.2TiO3的介电常数和调谐百分率达到最大分别为：678和39％,比国际上同类文献报道的数据高。BST的ε－E曲线呈良好的单值函数关系。介电温谱出现明显宽化,调谐曲线峰值点对应的温度较居里温度低20－30℃,本文并对上述现象作出解释。     

镍酸镧导电薄膜的热处理制度与电性能研究

研究了镍酸镧(分子式LaNiO3,简称LNO)导电薄膜的制备,及其与性能之间的关系。实验结果表明热处理制度和热处理过程中通氧是LNO薄膜获得良好电性能的关键。实验发现LNO薄膜在退火温度5500C时就已经晶化,并且随着退火温度的升高,薄膜电性能也随之提高,但是当温度高于860℃后,LNO薄膜发生了结构相变并伴有NiO的析出,因此导致了薄膜电阻率的升高。较短的预处理时间和较长的退火处理时间有助于薄膜晶粒的长大,从而提高薄膜的电性能。同时也讨论了LNO薄膜电阻率和工作温度的关系。