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1.
源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
以高纯石墨作靶,CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜。拉曼光谱表明,CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I(D)/I(G)减小,晶粒增大,芳香环结构出例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论,指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。 相似文献
2.
本文用多弧离子镀方法制备了Ti1-xAlxN(x<0.3)薄膜,并且运用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等技术对Ti1-xAlxN进行测试和分析。结果表明:膜层中除含Al、Ti、N元素外,还出现了一定量的氧;薄膜呈现了(111)、(222)等晶面的择优取向;薄膜与基底间的附着力较好。 相似文献
3.
基于变压器模型,本文对感应耦合等离子体中线圈产生的空间电场分布、等离子体电阻、电感及功率耦合效率等进行了数值计算.在计算过程中,考虑了低气压等离子体无碰撞随机加热机制的作用.结果表明,同心线圈的感应电场呈中空分布,径向和轴向均呈现很大的不均匀性;功率耦合效率随线圈品质因数Q及耦合系数K的增大而增大.功率耦合效率的理论分析和计算为线圈优化设计提供了依据. 相似文献
4.
Fluorinated amorphous carbon films (a-C:F) were prepared at different temperatures using a microwave electron cyclotron resonance chemical vapor deposition (ECR-CVD) reactor with CHF3 and C2H2 as source gases. Films were annealed at 500℃ in vacuum ambience inorder to investigate the relationship of their thermal stability, optical and electrical propertieswith deposition temperature. Results indicate that the films deposited at high temperature have a less CFx bonding and a more cross-linking structure thus a better thermal stability. They also have a lower bandgap, higher dielectric constant and higher leakage current. 相似文献
5.
为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构穿过调制界面外延生长的多晶超晶格结构特征。显微硬度测量表明 ,TiN/NbN纳米多层膜存在随调制周期变化的超硬效应。薄膜在调制周期为 8 3nm时达到HK39 0GPa的最高硬度。分析认为 ,两种不同晶格常数的晶体外延生长形成的交变应力场 ,对材料有强化作用 ,这是TiN/NbN纳米多层膜产生超硬效应的主要原因 相似文献
6.
使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a—C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a—C:F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。 相似文献
7.
利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :基片温度从 2 0 0℃升到 30 0℃过程中 ,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为 4 0 0℃下沉积的膜 ,其电阻率具有较低值 ,且在可见光区其透光率约为 90 %。 相似文献
8.
感应耦合等离子体(ICP)是微电子工业刻蚀高精度沟槽结构的首选高密度等离子体源.研究ICP的电特性与等离子体电学参量的变化显得非常重要.本文中,在平板型ICP源的感应线圈和介质窗口之间,使用了对称、均匀、呈辐射状的法拉第屏蔽板.结果表明,屏蔽板的使用不仅极大地降低了干扰等离子体参量测量的等离子体射频电位,而且也降低了线圈中的放电电流和等离子体中的轴向微分磁场信号强度,但Ar等离子体的发射光谱表明,法拉第屏蔽的采用对等离子体功率吸收的影响不大.对测量信号中出现的高次谐波行为也做了定性的讨论. 相似文献
9.
上流辉光氧等离子体对聚乙烯醇,海藻酸钠等有机高分子膜作表面改性处理,其亲水性和电阻等性能有了很大改变。发现膜与水的接触角和表面电阻率这两种性能经等离子体处理后呈现类同的变化规律,它们之间存在着某种关联。 相似文献
10.
Low pressure argon dual-frequency (DF) capacitively coupled plasma (CCP) is generated by using different frequency configurations, such as 13.56/2, 27/2, 41/2, ... 相似文献