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报道了一种新颖的热剂焊接方法,采用该种热剂焊接方法可以在无电条件下,不借助任何辅助设备,便可十分方便的进行手工焊接作业。通过分别添加不同含量的微硅粉和硅灰石作为稀释剂对热剂反应进行调控,获得了不同燃烧速率的热剂焊条;对在不同燃烧速率下焊接所得的焊接接头进行了显微组织分析。结果表明:在高的燃烧速率下焊接时,焊缝组织中易出现缩松和夹渣缺陷;随着燃烧速率的降低,焊缝显微组织中的缩松和夹渣缺陷逐渐消除;当燃烧速率进一步降低时,焊缝组织中开始出现大量气孔缺陷。分析表明:这种显微组织的演变与不同燃烧速率下焊接熔池所经历的升温过程有关。 相似文献
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采用热浸镀方法将陶瓷定向移动通过铝熔液,可以形成牢固地粘附在陶瓷表面的铝膜。利用X射线衍射法测定了沿C面切割氧化铝单晶热浸镀铝样品的宏观织构,发现热浸镀铝膜为多晶,和氧化铝C面之间取向多样,并不存在文献报道的低指数晶面异相外延生长关系。由此推断,采用热浸镀工艺之所以能使铝液在氧化铝表面铺展成膜,是由于铝和氧化铝表层氧原子发生化学反应,显著降低界面能所致。 相似文献
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本文探讨了采用型内球化、型内孕育和铜钼合金化的方法生产6110柴油机球铁曲轴。文中介绍了曲轴的化学成分的控制范围、热处理规范及型内球化和型内孕育的工艺参数。试验结果显示出本曲轴所应用的各种工艺措施对改善石墨球形态和基体组织起到有益的作用,从而促使其机械性能比包内球化的铜钼合金球铁有所提高。曲轴法兰端部分(Φ130)所测得金相组织和机械性能如下:球化类型——2级;石墨球大小——2级,珠光体量——90~95%;磷共晶及渗碳体量——0.5~1.0%;σ_b——90.5~93.0kg/mm~2;δ——3.35~4.80%;HB——269~292。 相似文献
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采用Ti、Al、C和TiC粉末为反应物原料,研究了Ti∶C=3∶2时,不同Al含量(12.3%~25.4%,atomic fraction)对Ti-Al-C体系燃烧合成Ti3AlC2粉体的影响。探讨了Al含量对燃烧合成Ti3AlC2的影响机理。实验表明,Al含量对Ti-Al-C体系燃烧合成Ti3AlC2影响较大,Ti3AlC2的含量随Al含量(12.3%~19.4%)增加而增加,但在Al含量为20.6%~25.4%时,却随Al含量的增加而降低。 相似文献
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采用燃烧合成的方法合成NiAl/TiC复相材料,采用XRD分析了合成材料的相组成,结果表明产物由TiC和NiAl相组成,没有其他的物相产生.用SEM研究了合成产物的微观形貌,SEM图像显示产物的宏观形貌为多孔结构,微观形貌观察显示TiC相颗粒呈近球状.NiAl相则包裹在TiC相的周围,形成三维网状结构,靠近TiC颗粒边缘NiAl以胞状方式生长,远离TiC颗粒的NiAl以枝晶方式长大. 相似文献
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通过在陶瓷浆料中添加起泡剂后搅拌起泡,然后添加引发剂引发陶瓷浆料中预添加的有机单体和聚合剂的聚合反应形成泡沫凝胶,经高温烧结得到多孔陶瓷.发现起泡剂和搅动工艺对多孔陶瓷的气孔率有显著影响,通过控制成孔工艺参数,可制备出气孔率达90%的羟基磷灰石多孔陶瓷. 相似文献
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尝试用热浸镀铝工艺在氧化铝陶瓷表面形成一层铝硅合金薄膜,再以该合金膜作为钎焊料,采用常规钎焊法进行氧化铝陶瓷和铝板的钎焊连接。研究结果表明:适当控制金属化过程中气氛的氧含量,可以在陶瓷表面形成一层厚度约为10μm的铝硅合金层;在此之上叠加铝板,在氮气气氛中钎焊,可以将陶瓷与铝连接在一起,其90o撕裂强度大于10N/mm,且断裂发生在铝板夹持部,未从界面处撕开。本实验还对铝硅合金的硅含量对连接工艺的影响以及陶瓷和铝连接机制进行了研究。与传统工艺相比,该工艺具有方法简单、成本低及连接强度高等优点。 相似文献
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高热导率氮化硅陶瓷作为基板材料有着广泛的应用前景.如何在尽可能保持氮化硅陶瓷机械性能的前提下,提高其热导率是其实际应用的关键,而选择适当的烧结助剂是提高热导率的一个重要途径.本文研究了稀土氧化物种类及CaO、MgO烧结助剂对氮化硅陶瓷的热导率及电学和机械性能的影响,分别采用Y2O3-MgO,Y2O3-CaO,CeO2-MgO,CeO2-CaO,La2O3-MgO和La2O3-CaO 6种烧结助剂,采用放电等离子烧结后热处理的工艺制备氮化硅陶瓷.研究结果表明:氮化硅陶瓷的热导率随着烧结助剂稀土元素阳离子半径的增大有减小的趋势;与添加MgO助烧结相比,添加CaO助烧结不利于氮化硅柱状晶的生长,热导率及强度普遍较低,但硬度较高.采用Y2O3-MgO助烧剂和适当的烧结工艺,可以得到热导率高于80 W/m·K、抗弯强度大于1000 MPa、体电阻率大于1×1013Ωm、介电常数小于10、介电损耗小于3×10-3的氮化硅陶瓷. 相似文献
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对电流在氮化硅陶瓷放电等离子烧结过程中的作用进行了研究,采用放电等离子烧结工艺,分别对含助烧剂(Y2O3/MgO)氮化硅(α-Si3N4)粉体,以及用纯氮化硅粉体包覆的含助烧剂粉体进行了烧结;并且考虑到包覆层引起的试样烧结温度的差异,在较低温度进行了无包覆试样烧结。实验结果表明:包覆层明显抑制了氮化硅陶瓷的相转变及晶粒生长。通过与低温烧结试样进行对比,排除了包覆层引起的温度差异的影响,认为是SPS电场在氮化硅的烧结过程中通过导电的液相形成电流,促进了溶解在液相中的氮化硅的扩散,从而加快了相转变及柱状晶生长这些和溶解析出相关的过程。 相似文献